8 (905) 200-03-37 Владивосток
с 09:00 до 19:00
CHN - 1.14 руб. Сайт - 21.13 руб.

Книги по машинной литографии по продвинутой теории литографии СБИС

Цена: 6 069руб.    (¥287.2)
Артикул: 536403963132

Вес товара: ~0.7 кг. Указан усредненный вес, который может отличаться от фактического. Не включен в цену, оплачивается при получении.

Этот товар на Таобао Описание товара
Продавец:恒安泰图书音像专营店
Адрес:Пекин
Рейтинг:
Всего отзывов:0
Положительных:0
Добавить в корзину
Другие товары этого продавца
¥64.21 357руб.
¥ 130.35 1042 198руб.
¥107.52 272руб.
¥235.424 975руб.


Товарные параметры (красное содержание) .png.

Теория усовершенствованного света и применение негабаритных интегрированных цепей
      Ценообразование359.00
ИздательScience Press
Издание1
Опубликованная датаМарт 2020
формат16
авторВеййичи
УкраситьВ твердом переплете позвоночника
Количество страниц576
Число слов780000
Кодирование ISBN9787030482686

Введение в контент (красный контент) .png.

Оптическая технология является основной технологией всего микро -девисного производства.Особенно при изготовлении интегрированных цепей, именно из -за постоянного улучшения литографической технологии, то есть закон Мура (интеграция устройства поворачивается каждые два года).Эта книга охватывает основные аспекты современной оптической технологии, включая оборудование, материалы, моделирование (расчет литографии) и технологии. Содержание напрямую основано на международных технологиях производства интегрированных цепей. узлы.Многие примеры процессов приведены в книге. Эти случаи были проверены производством, надеясь вдохновить читателей.


Каталог (красный URL) .png.

Оглавление 
Предисловие 
Глава 1 Обзор технологии резания света 1 
1.1 Технологический узел полупроводниковых технологий 1 
1.2 Структура интегрированной цепи и слоя светового седиментации 3 
1.3 Оптическое ремесло 4 
1.4 Управление и глубина фокуса системы экспозиции 6 
1.4.1 Резолюция 6 
1.4.2 Глубина фокуса 9 
1.4.3 Модуляция и переносная функция 11 
1.5 ПРОЦЕСС Коррекции и макета проекта 12 
1.6 Стандарты оценки для легкой вырезанной технологии 14 
1.7 Переседовать глиппер 15 
1.8 Обнаружение дефекта в световой резьбе 16 
1.8.1 Обнаружение дефекта в пленке с легким покрытием после вращения 16 
1.8.2 Решение графика после воздействия 18 
1.9 Стоимость легкого вырезанного ремесла 18 
1.10 Hyundai Lights Lights Research and Development и сотрудничество 20 
1.10.1 Разделение труда внутри оптической резьбы на фабрике пластин и крестом и ограничением вопросов из каждой единицы 20 
1.10.2 Модель R & D Режим 22 
1.10.3 Связь между стереотипами света и травлением 23 
Ссылки 24 
Глава 2 Однородное пластиковое маленькое и применение 26 
2.1 Структура машины для однородного клея 26 
2.2 Процедура управления процессом дисплея глянцевого вентилятора 28 
2.3 Основной ремесленник на однородном клею дисплея 29 
2.3.1 Обработка адгезии поверхности пластины 29 
2.3.2. 
2.3.3 Выпекание и охлаждение 36 
2.3.4 Экранение 39 
2.3.5 Демонстрационная единица 40 
2.4 Процесс очистки 45 
2.4.1 полоскание 46 
2.4.2 Вымыть на задней палате пластины 47 
2.5 Подсистемы в однородном клею дисплея 49 
2.5.1 Система химической жидкости 49 
2.5.2 Микроцитоз и контроль воздушного потока в однородном клею дисплея 57 
2.5.3 Система сбора жидкости отходов 58 
2.5.4 Система базы данных 59 
2.6 Мониторинг производительности Messens of the Lifeline 59 
2.6.1 Мониторинг с толстым клеем 59 
2.6.2 Мониторинг частиц на клейкой пленке 60 
2.6.3 Мониторинг графических дефектов после разработки 62 
2.6.4 Мониторинг температуры горячего диска 64 
2.7 Онлайн -блок измерения, интегрированный в однородный клейкий дисплей 65 
2.7.1 Блок измерения 66 пластика 66 
2.7.2 Обнаружение клея пленки дефект 67 
2.7.3 Используйте динамическую динамику в процессе процесса мониторинга in situ высокоскоростной камеры 68 68 
2.8 Создание закрытого процесса на дисплее Mate 68 
2.9 Тест на получение после установки оборудования для однородного клея 70 
2.9.1 Тест частиц 70 
2.9.2 Принятие единицы консолидации 71 
2.9.3 Принятие единообразии и стабильности роторного покрытия 71 
2.9.4 Тест на однородность и стабильность развития 72 
2.9.5 Тест на надежность системы 72 
2.9.6 Тест производственной мощности 72 
2.9.7 Требования к робототехнике 74 
2.10 Использование девиза однородного клея дисплея 74 
Ссылки 75 
ГЛАВА 3 СВОБОДА И СВОБОДА. 78 
3.1 
3.1.1. 
3.1.2 Процесс воздействия фотократной машины 80 
3.1.3 Настройки рабочего файла экспозиции 81 
3.1.4 Введение в канал Double Works 82 
3.2 Источник света и дизайн света дороги оптической резьбы 83 
3.2.1 Источник света оптической машины 83 
3.2.2 Дизайн проекционной легкой дороги 86 
3.2.3 
3.3 Состояние света 90 
3.3.1 В Освете Оси и Отлечение 90 
3.3.2 Метод освещения в оптическом раке и его определение 92 
3.3.3 Настройки и дифракционные оптические компоненты условий освещения 95 
3.3.4 Пикселизация и программируемый свет 96 
3.3.5 Поляризованное освещение 97 
3.4 Вопросы в системе визуализации 102 
3.4.1 Описание Zernike 103 перед волнами 103 
3.4.2 Поправка к волне визуализации 108 
3.4.3 Тепловой эффект проекционной линзы 109 
3.4.4 Коррекция формы модели 111 
3.4.5 Коррекция теплового эффекта крышки плесени 111 
3.4.6 Коррекция дозы воздействия 113 
3.5 Система фокусировки 115 
3.5.1 Система поверхностного горизонтального зондирования 115 
3.5.2 Сфокусируется на области края вафель 117 
3.5.3 Система измерения поверхности плохих давлений 118 
3.5.4 Источник и мониторинг фокусировки и устойчивости фокусировки 119 
3.6 Металлическая система 120 
3.6.1 Предварительный просмотр и позиционирование формовочной формы 120 
3.6.2 Подготовительное и позиционирование вафель 121 
3.6.3 Metale вопроса со станции моделирования и вафель вафель 122 
3.6.4 Apity of Modeling и Pafers 123 
3.6.5 Дизайн активно активно 127 
3.7 наблюдение за производительностью оптической машины 131 
3.7.1 Стабильность полосы пропускания и энергии лазерного вывода 131 
3.7.2 Стабильность фокусировки 131 
3.7.3 Стабильность активно активно 132 
3.7.4 КЕПИСЕ После остановки световой резьбы 134 
3.7.5 Тест продуктов 134 
Ссылки 135 
Глава 4 Световой резки материал 137 
4.1 Клейтный материал 138 
4.2. 
4.2.1 Оптический клея 139 для I-Line (длину волны 365 нм) и g-line (длина волны 436 нм) 139 
4.2.2 Оптический клея 141, используемый для длины волны 248 нм 
4.2.3 Оптический клея 144, используемый для длины волны 193 нм 
4.2.4 Химический увеличительный клей 145 Используется для фотохимики 193 нм. 
4.2.5 Отрицательный дисплей теневой технологии легкого клей 155 
4.2.6 Направление развития литографии 157 
4.2.7 Выбор оптических желе Soluks 162 
4.3 Оценка производительности LightScape Glore 164 
4.3.1 Чувствительность и контраст 165 
4.3.2 Оптическая постоянная и коэффициент поглощения 168 
4.3.3 Параметры укропа литографии Клей 169 
4.3.4 Коэффициент косита 170 
4.3.5 Возможность оптического пластикового рельефа или анти -Ионской инъекции 171 
4.3.6 Резолюция литографического клея 176 
4.3.7 Шероховатость легкой графики клея 177 
4.3.8 Взаимосвязь между разрешением, чувствительностью и шероховатостью его графического края фоторесеров 183 
4.3.9 Процесс для улучшения шероховатости края световой графики клей 185 
4.3.10 Кривая толщины севооборота с легким к клею 185 
4.3.11 Оценка FAB легкой резьбы 186 
4.4 Анти -рефлексное покрытие 1 88 
4.4.1 Теория отражения света на границе раздела 189 
4.4.2 нижнее анти -рефлексное покрытие 191 
4.4.3 Top Anti -Reflex Pating 196 
4.4.4 Анти -рефлексное покрытие в нижней части которого можно отобразить 197 
4.4.5 Ротационное покрытие, содержащее Si анти -зарефсуренное покрытие 202 
4.4.6 Углеродное покрытие 205 
4.5 Устойчивое покрытие водой 209 для 193 нм погружено в легкую резьбу 209 
4.5.1 Молекулярная структура водостойкого материала для покрытия 210 
4.5.2 Электронный тест и угол контакта поверхности 2111 
4.5.3 Совместимость с легким клей 212 
4.6 Органический растворитель и решение для развития 213 
4.7 Управление и спецификации оптических материалов пластинного завода 217 
4.7.1. Цепочка поставок из огней резные материалы 217 
4.7.2 Прогноз и заказ 217 
4.7.3 Конфигурация световой резьбы на однородном клею дисплея 217 
4.7.4 Поставщик данных фоторезии должен быть регулярно предоставлять для FAB Data 218 
4.7.5 Изменение материалов 220 
Ссылки 220 
Глава 5 охватывает Malte and Management 225 
5,1 раза больше структуры сжатой плесени 225 
5.2 Модельная защитная пленка 227 
5.2.1 Функция модели защитной пленки 227 
5.2.2 Материал защитной пленки 228 
5.2.3 Влияние защитной пленки маски на маску плесени 229 
5.2.4 Влияние толщины защитной мембраны на производительность визуализации маски 230 
5.3 Типы покрытия модели 232 
5.3.1 Модель 232 маски с двойным типом 
5.3.2 Маска фазового сдвига 234 
5.3.3 поочередно переключить маску 238 
5.4 Другие технические проблемы Mask Mold 242 
5.4.1 Дордент эффективность и трехмерный эффект (M3D) 242 
5.4.2 Разница между нижним светом пор на чередовании альтернативной переменчивой плесени 243 
5.4.3 поочередно смещено и маски для оптического измерения 244 
5.4.4. 
5.5 Технический маршрут для разработки маски 248 
5.6 Подготовка графических данных 249 
5.7 Подготовка и контроль качества модели 253 
5.7.1 покрывающие формы 254 
5.7.2 Экспозиция на графике на модели плесени 256 
5.7.3 Coversing Edition Capture Craft 257 
5.7.4 Параметры спецификации маски 259 
5.7.5 Проверка и ремонт дефектов маски 261 
5.8 Дефекты плесени и ее метод очистки и обнаружения 263 
5.8.1 Метод классификации и обработки дефектов маски 263 
5.8.2 Метод очистки плесени 268 
5.8.3 Метод обнаружения дефекта литья 270 
5.8.4 Проверьте дизайн маски 273 
5.8.5 Оценка моделирования воздействия на визуализацию 274 
5.9 Управление работниками худшей фабрики 276 
5.9.1 Сотрудники фабрики и моделирования завод и моделирования 276 моделирования 276 
5.9.2 Система управления моделированием 276 
Ссылки 281 
Глава 6 Апти и Установите Управление ошибкой 285 
6.1 Металлическая работа световой резьбы 287 
6.1.1 Распределение логотипа прицеливания на пластине 288 
6.1.2 Определение сетки площади воздействия 289 
6.1.3 Воздействие коррекции региональной сетки 289 
6.1.4 Металлическая работа литографической машины 291 
6.2 Настройка измерения ошибок 293 
6.2.1 Установите оборудование измерения ошибок 293 
6.2.2 Процесс установки измерения ошибок 294 
6.2.3 Обычно используемые гравюры 296 
6.2.4 Зона воздействия идентификация усадьбы 299 
6.2.5 Настройка измерения ошибок на основе дифракции 300 
6.3 Модель анализа и обратная связь по коррекции результатов измерения ошибок измерения 303 
6.3.1 Результаты измерения 303 
6.3.2 модель анализа 304 из набор ошибок 304 
6.3.3 Независимая коррекция каждой зоны воздействия 308 
6.4 Настройки передовой коррекции процесса 310 
6.5 Основные причины ошибки гравюры 31 1 1 
6.5.1. Влияние покрытия формования деформации нагрева, когда воздействует 313 
6.5. 
6.5.3 Влияние химического шлифования на установленную ошибку 315 
6.5.4 Влияние процесса толстого клея на установленную ошибку 315 
6.5.5. Влияние квази -биасов крышки формы на ошибку седиментации на набор пластин 316 
6.6 Продукты метафиза и установленная цепочка измерения 316 
6.6.1 Схема измерения ошибок 316. 
6.6. 
6.6.3 Установите ошибку между одной машиной и ошибкой установки между различными машинами 321 
Ссылка 323 
Глава 7 Расчет и расчет света. 325 
7.1 Оптическая модель 325 
7.1.1 Тонкие плесени приблизительно 326 
7.1.2 Рассмотрим трехмерный эффект маски 328 
7.1.3 Направление разработки оптической модели 330 
7.2 Оптические химические реакции и внешний вид модель 331 
7.3 Выбор и оптимизация условий освещения 333 
7.3.1 Технология улучшения разрешения 333 
7.3.2 Оптимизация формования маски для источника света 338 
7.4 Коррекция оптических соседних эффектов (0pc) 343 
7.4.1 Поправки к опытному оптическому смежному эффекту на основе опыта 344 
7.4.2 Оптическая соседняя коррекция на основе модели 347 
7.4.3. Активная коррекция (PWOPC) 357, связанный с оптическим резном окном 357 
7.4.4 Эффект на OPC 358 
7.4.5 Рассмотрим модель OPC 3D -эффекта на субстрат 359 
7.4.6 Рассмотрим модель OPC 360 трехмерного эффекта литографии. 
7.5 Экспозиция Вспомогательная графика 360 
7.5.1 Цикл запрета 360 
7.5.2 Размещение вспомогательной графики 362 
7.5.3 Вспомогательная графика на основе опыта 363 
7.5.4 Модель вспомогательная графика 366 
7.6 Оптическая технология. 368 
7.7 Открытие и исключение плохого пятна 368 
7.8 Оптимизация правил проектирования 370 
7.8.1 Принципы и процессы правил проектирования 370 
7.8.2 Оптимизированные правила проектирования 371 
7.8.3 Совместная оптимизация проектирования и ремесел (DTC0) 373 
7.9 Модель исследований и разработок процесса гравировки пилотного света 374 
7.9.1 Цикл обучения по коррекции соседнего эффекта 374 
7.9. 
7.9.3 Ограничение OPC 375 
Ссылка 376 
Глава 8 Настройка и мониторинг светового вырезанного процесса 379 
8.1 Руководство по ремеслу 379 
8.2 Улучшение метода измерения 382 
8.2.1 Появление инструмента рассеяния измеряет графику 382 
8.2.2 Метод смешанного измерения 383 
8.2.3 Концепция измеренной графики для управления 384 
8.3 Определение светового вырезанного окна ремесла 385 
8.3.1 Анализ данных FEM 385 
8.3.2 Стабильность ширины между пластиной и шириной пластины 390 
8.3.3 Проверка потери и нарезки литографии Клей 392 
8.3.4 Дальнейшее подтверждение оптического рифрового окна 393 
8.3.5 Repequet of the Craft Window 394 
8.3.6 Поведение другой ключевой графики в окне ремесла 395 
8.4 Руководство по допущению и дизайну ремесла 396 
8.5 Используйте женскую пластинку для повышения урожайности 398 
8.6 Коэффициент улучшения ошибок модели 404 
8.6.1 Определение и измерение коэффициента улучшения ошибок модели (MEEF) 404 
8.6.2 Снижение MEEF 406 
8.6.3 Linear 406 при покрытии визуализации плесени 406 
8.7 Сопоставление легкой резьбы 408 
8.7.1 Сопоставление условий освещения световой резки 408 
8.7.2 Сопоставление допроса плесени 412 
8.7.3 Сопоставление Ask of Lightscape Glossom 413 
8.8 Оценка настроек и процесса мониторинга ремесленных судов 413 
8.8.1 Настройки мониторинга процесса 413 
8.8.2 Индекс возможности процесса CP и CPK 414 
8.9 Настройки автоматического управления процессом 415 
8.9.1 Управление с линией ширины 416 
8.9.2 Контроль единообразия ширины в стенах 418 
8.9.3 Управление ошибкой гравюры 419 
8.10 Проверьте плохую точку на пластине 420 
Ссылки 420 
Глава 9 Оформление рабочих и облегчения огней 423 
9.1 Традиционные поделки 423 из переоборудования пластин 423 
9.2 Процесс скидки 424 трехверовых оптических резьб (сопротивление/SIARC/SOC) 
9.2.1“ сухой / влажный” ремесло 425 
9.2.2 Удалите SIARC или SOC 427 на пустой пластине 
9.2.3 Три -слойный материал только удаляет легкий клей 429 429 
9.2.4 ОТВЕТИЧЕСКОЕ ОТДЕЛЕНИЕ ПРИВЕТА ПЛАСТИКИ 430 после неудачи процесса 
9.3 Бэй (Беа) с низким уровнем электрического постоянного перевода материала 430 
9.3.1 Двойной малазийский ремесленный процесс 431 
9.3.2 Регент вызвал потерю SI02 (TEOS) 432 
9.3.3 Плазменная опыт мощности с высоким смещением вызывает травму субстрата 433 
9.4 Анализ причины безрассудного рабочего 433 
9.4.1 Классификация общих наград 435 
9.4.2 Быстрая термическая обработка и лазерный отжиг вызывают деформацию пластины 436 
9.5 Управление работниками 437 работников 437 
9.6 Оформление клей с нагренным светом после инъекции иона 438 
9.6.1 Техническая сложность 438 
9.6.2“ сухой / влажный” fa -removing фоторезист 439 
9.6.3“ влажный” fa -Remove Light -Carbed Glue 440 
9.6.4 Новый прогресс 440 
Ссылки 441 
Глава 10 двойная и многопрофильная технология 443 
10.1 Технология двойной экспозиции 443 
10.1.1x/y двойное воздействие двойного освещения 444 
10.1.2 Двойная экспозиция для использования конструкции конструкции контркуляции 445 
10.2 Двойное воздействие затвердевания ** Вторичная графика 447 
10.2.1 Сформировать технологию отверждения поверхностного защитного уровня 447 
10.2.2 Технология CITIC с высокой температурой -связанный глянец 449 
10.2.3 Пакет и субподряд 450 
10.2.4 Другие решения для лечения 451 
10.3 двойной свет (Леле) I Art 451 
10.3.1. 
10.3.2 Используйте отрицательную тень для достижения двойных канавок 454 
10.3.3 Double -Line Light Cresed Technology 456 
10.3.4 Световой сгенерированный клей, содержащий Si для двух -линии процесса 458 
10.3.5 В процессе с двойным линией SIARC используется в качестве твердой маски 458 
10.3.6“LE+Cut” ремесло 460 
10.3.7 Влияние влияния на отклонение и разрешение на процесс 461 LELE 461 
10.4 Трехмерная технология гравировки света (Lelele) 463 
10.5. 
10.5.1 A-C Do“mandrel”/sin или si07“spacer”/si07 или грех, чтобы сделать твердую маску 468 
10.5.2.“mandrel”/si01 do“spacer”/a-c Do Hard Mask 469 
10.5.3 SI07“mandrel”/tin to“spacer”/грех, чтобы сделать твердую маску 471 
10.5.4 Применение технологии самостоятельного обеспечения в устройствах NAND 472 
10.5.5 Повторите (SAQP, SAOP) 473 
Теория усовершенствованного света и применение негабаритных интегрированных цепей 
10.5.6SADP и LE Combine Triple Imaging 476 
10.5.7 Самоспаление для достижения тройной графики, наложенной 477 
10.5.8“SAMP+Cut” ремесло 478 
10.6 Снос графики 480 
10.6.1 Графическое разделение 480 Подходит для процесса LELE 
10.6.2 Графика для ремесленного мастерства Лелеле 484 
10.6.3. 
10.7 Технология двойного дисплея 489 
Ссылки 490 
Глава 11 Extreme UV (EUV) Технология оптической резки 494 
11.1 Extreme Ultraviolet Light Chef 495 
11.1.1 EUV отражатель 495 
11.1.2 Система экспозиции литографической машины EUV 497 
11.1.3 Настройки светового условия 498 
11.1.4 EUV Optical Caring R & D Прогресс и технический маршрут 499 
11.15 Более численные поры EUV Литографические машины Технические проблемы 500 
11.2 Extreme UV Light Source 502 
11.2.1 Структура EUV Light Source 502 
11.2.2 Связь между выходной мощностью и емкостью источника света 504 
11.2.3 Излучение за пределами полосы 505 
11.3 Модель EUV Cover 507 
11.3.1 Управление дефектами модели EUV 510 
11.3.2 Очистка маски EUV 512 
11.3.3 EUV Cover Cover Plomt Protective Film R & D 514 
11.3.4 Пространство EUV, такое как микроскоп 516 
11.3.5 Маска сдвига фазы EUV 517 
11.4 Extreme UV Light Гравирование 519 
11.4.1 Тест порошка легкого клей 5 19 
11.4.2 Разрешение, шероховатость графического края и чувствительность EUV Glue 521 
11.4.3 Материал поверхностного слоя 526 Поглощение излучения за пределами спектра 526 
11.4.4 Материал подземного мира 526 
11.5 Применение расчета света в EUV 528 
11.5.1 Совместная оптимизация источника света EUV и маски 529 
11.5.2 Разница между методом 0pc в EUV и DUV 532 
11.6 Анализ экстремального ультрафиолета используется для массового производства 535 
11.6.1 Текущая ситуация на полюсе ультрафиолетовой резьбы 535 535 
11.6.2 Случайный эффект на вырезов EUV Light 535 
11.6.3 Ошибка продолжения вопроса от EUV и 193i Вопрос 537 
11.6.4 Пример анализа 537 
Ссылки 540 
Китайская и английская легкая резьба сравнивать 546 
Цветная карта