Пятно высшего образования] Основная электронная схема Основное издание 2 Издание 2 Издание издания Liu Baoling Press Press Пекинг Бутик учебник программы высшего образования.
Вес товара: ~0.7 кг. Указан усредненный вес, который может отличаться от фактического. Не включен в цену, оплачивается при получении.
Описание товара
Пекинский проект учебного учебного учебного заведения в Пекине
Электронные основы схемы 2 -е издание 2
Основная информация
Пресс: высшее образование в прессе;
Бумага: стр. 448
Язык: упрощенный китайский
Кайбен: 16
ISBN: 9787040364194
Штриховой код: 9787040364194
Размер товара: 25,8 х 18,2 х 2,4 см
Вес товара: 739 г
Бренд: пресса высшего образования
ASIN: B00BB42F48
Введение«Основы электронных цепей (2 -е издание)», основанные на разработке электронных технологий в последние годы и практических результатах реформы преподавания, перепечатанные учебники были пересмотрены в первом издании первого издания.Новая версия учебника поддерживает структурные характеристики оригинальной главы. Оригинальные учебники.《电子电路基础 (第 2 版) 》主要内容包括 ： 半导体基础知识及二极管电路、双极型晶体管及其放大电路、场效应晶体管及其放大电路、小信号放大电路的频率特性、反馈放大电路、 Интегрированная схема моделирования и ее применение, генерация и схема обработки импульсных сигналов, Приложение.
Выбор редактора
«Основы электронных цепей (2 -е издание)» фокусируется на объяснении физических концепций и основной теории и укрепляет содержание и содержание приложений в интегрированных принципах схемы.“&rdquo“ Фонд моделирования электронных технологий&Rdquo;
Оглавление
Глава 1 Основные знания полупроводников и диодов диодов
1.1 Основные особенности полупроводников
1.1.1 Полупроводник в этих знаках
1.1.2 Два полупроводника, произведенные допингом
1.1.3 Два тока, созданные двумя типами движения в полупроводнике в полупроводнике
1.2 Принцип работы и характеристики полупроводникового диода
1.2.1pn и его одноразовая проводимость
1.2.2 Структура и тип диода
1.2.3 Voliticity диода
T.2.4 Характеристики обратного разрушения, температурные характеристики и эффекты емкости диода
1.2.5 Основные параметры диода
1.2.6 Специальный диод
1.3 Схема полупроводникового диода
1.3.1 Эквивалентное сопротивление диода
1.3.2 Модель диода
1.3.3 Схема моделирования диодов
1.4 Пример компьютерного моделирования
краткое содержание главы
упражнение
Глава 2 Транзистор с двойным типом и его схема усилителя
2.1 Биполярная транзисторная трубка
2.1.1 Принцип работы транзистора
2.1.2 Статическая характерная кривая транзистора
2.1.3 Влияние температуры на кривую характеристики транзистора
2.1.4 Параметры транзистора
2.1.5 Транзистор в интегрированной схеме
2.2 Основные знания усиливающейся схемы
2.2.1 Состав усиливающейся схемы
2.2.2 Основные показатели производительности схемы Amplify
2.3 Принцип работы и метод анализа основной цепи
2.3.1 Принцип работы базовой цепи CO -Ranging
2.3.2 DC Roads and Cankanles
2.3.3 Метод иллюстрации
2.3.4 Метод схемы эквивалентности
2.4 Стабильность статической рабочей точки усиленной цепи
2.4.1 Необходимость стабильных рабочих точек
2.4.2 Типичная статичная стабильная цепь рабочей точки
2.5 Три основные конфигурации цепи с усилителем однопроизводительного усилителя транзистора
2.5.1 вместе схема усилителя
2.5.2.
2.5.3 Сравнение трех конфигураций одной цепи усилителя трубки транзистора
2.6 Источника тока и ее применение
2.6.1.
2.6.2 Применение источника тока
2.7 Дифференциальная схема усиления
2.7.1 Состав и характеристики схем дифференциальной амплификации
2.7.2 Небольшое усиление сигналов дифференциальных схем амплификации
2.7.3 Схема усиления разности активной нагрузки
2.7.4. Производительность цепи амплификации нереальной симметрии дифференциации
2.8 Схема усилителя мощности
2.8.1 Характеристики и классификация схемы усиления мощности
2.8.2.
2.8.3 Крайняя цепь дополнительной выходной схемы
2.8.4 Проблемы с трубкой силовой трубки
2.9 Схема усиления многоуровневого уровня
2.9.1 Метод связи схемы амплификации многоуровневого усиления
2.9.2 Проблемы и решения большой классной схемы непосредственно связаны с большой цепи
2.9.3 Статические рабочие точки с цепи многоуровневого усилителя определяют
2.9.4 Расчет индикатора индикатора переменного тока Multi -LEVER
2.9.5.
2.10 Пример компьютерного моделирования вопросов
краткое содержание главы
упражнение
……
Глава III Полевой эффект Кристаллическая трубка и ее схема усилителя
Глава 4 Частотные характеристики схемы усилителя небольшого сигнала
Глава 5 Схема усиления обратной связи
Глава 6 Имитационная интегрированная цепь и ее применение
Глава 7 Круг генерации и обработки импульсного сигнала
Приложение электронная цепная схема компьютерного анализа и проектирования
Некоторые упражнения ссылаются на ответы
Рекомендации
Абстрактный
Страница авторских прав:
Иллюстрация:
Эта глава в основном вводит принцип работы биполярных транзисторов и различных единичных цепей, состоящих из биполярных транзисторов.
Внутренние условия кристалла транзистора: базовая площадь очень тонкая, а концентрация легирования очень низкая. и область установки мощности большая.Требуемые внешние условия: положительное смещение для запуска, а сбор мощности изменен.Входной ток транзистора к положительному контролю выходного тока является причиной усиления сигнала.В зависимости от внешнего напряжения, кристалл насыщается, увеличивается, обрезается и проникает.Когда температура изменяется, параметры изменения транзистора изменятся.Основными параметрами в настоящее время являются коэффициенты уплотнения 0T и JB, а параметры предела противоположного тока V (BR) CE и высокочастотные параметры.
Существует три принципа схемы усилителя: ① Должен быть подходящая точка DC Q;Его основные показатели производительности включают входное сопротивление, выходное сопротивление, усиление, полоса частот и нелинейные искажения.
Для схемы усилителя точки DC Q являются основой, а усиление связи является целью.При анализе схемы вы должны следовать&Ldquo;&Принцип RDQUO;Методы анализа включают в себя графические и эквивалентные методы схемы. модели и используйте линейную схему для анализа и расчета.
Из -за воздействия температуры на рабочую точку производительность схемы нестабильна, поэтому типичная стабильная схема Q -точки принята в фактическом применении, и она занимает две точки на структуре цепи: во -первых, потенциал базального электрода Отдельная цепь напряжения используется;
Вместе, Co -Collection и Common Base -это три основные конфигурации цепей амплификации с одним тубкой, каждая из которых имеет преимущества и недостатки.Напряжение, ток и усиление мощности цепи Co -Ranging относительно большие и наиболее широко используются; Сопротивление невелико, а выходной сопротивление невелика.
Распространенные источники тока включают источники зеркального тока и два улучшенных типа, источники тока Вильсона, источники пропорционального тока, источники микроатлета и источники тока с несколькими целями. Для большого сопротивления ro.
Основная характеристика разницы состоит в том, чтобы амплифицировать дифференциальный сигнал модели и подавлять сигнал CO -моде. Симметрия и текущая резистентность на выходе из исходного выхода, поэтому вы должны стараться изо всех сил, чтобы улучшить степень сопоставления и улучшить REE.Основное внимание уделяется анализу небольшого сигнала. это то же самое, что у полугреста, а усиление напряжения однопользователя выхода -это двойное двойное усиление - Конечный вывод составляет 2RC, а выходной сопротивление выхода из одной стороны составляет 1/2;Уникальная роль источника тока в качестве активной нагрузки в дифференциальной схеме заключается в том, что выходная схема с двумя конечными средствами может быть превращена в одноэтажный выходной схему, а усиление не теряется.Фактическая нереальная симметрия должна учитывать расстройства, токи и их теплый дрейф.