Основные основы электронной линии 2 -е издание 2 Gao Wenhuan Height Education Press
Цена: 907руб. (¥42.9)
Артикул: 43188119488
Вес товара: ~0.7 кг. Указан усредненный вес, который может отличаться от фактического. Не включен в цену, оплачивается при получении.
Описание товараПродавец:世纪高教图书专营店
Адрес:Пекин
Рейтинг:
Всего отзывов:0
Положительных:0
Добавить в корзину
Другие товары этого продавца
¥601 268руб.
¥39825руб.
¥ 390 2695 684руб.
¥83.21 759руб.
Выбор редактора
«Основы электронных схем (2-е издание)» представляет собой комплексную переработку первого издания.При пересмотре внимание уделялось поддержанию относительно зрелой системы учебных программ, сформированной за последние годы, совершенствованию основного содержания, усилению внедрения МОП-устройств и МОП-интегральных схем, соответствующему расширению знаний, попыткам отразить новые достижения в теории и применении аналоговых интегральных схем за последние годы и стремлению заложить прочную основу для правильного использования и проектирования аналоговых интегральных схем.Было адаптировано и добавлено больше примеров и упражнений, а также уделено внимание согласованию содержания обучения.Для облегчения обучения добавлены справочные ответы к упражнениям.
Оглавление
Глава 1. Полупроводниковые диоды и биполярные транзисторы.
1.1. Носители носителей и их движение в полупроводниках
1.1.1 Полупроводник в этих знаках
1.1.2 Примеси Полупроводник
1.1.3. Движение носителей в полупроводниках.
1,2 PN УЗУ
1.2.1 PN-переход при динамическом балансе
1.2.2 Вольт-амперные характеристики PN перехода
1.2.3 Температурные характеристики PN-перехода
1.2.4 Характеристики обратного пробоя PN-перехода
1.2.5 Емкостный эффект PN-перехода
1.3 полупроводниковый диод
1.3.1 Структура диода
1.3.2 Вольт-амперные характеристики диода
1.3.3 Основные параметры диода
1.3.4 Эквивалентное сопротивление диода
1.3.5 Модель диода
1.3.6 Метод анализа диодной цепи
1.3.7 Примеры схем применения диодов
1.4 Биполярный транзистор
1.4.1 Структура транзистора
1.4.2 Принцип работы транзистора в усиленном состоянии
1.4.3 Эберс транзисторов&-Молль модель
1.4.4 Характеристическая кривая транзистора
1.4.5 Влияние температуры на характеристики транзистора
1.4.6 Основные параметры транзисторов
1.4.7 Принципы применения транзисторов
1.5 Аналоговые компоненты в интегральных схемах
1.5.1 Встроенный NPN-транзистор
1.5.2 Встроенный PNP-транзистор
1.5.3 Диоды в интегральных схемах
1.5.4 Резисторы и конденсаторы в интегральных схемах
1.5.5 Характеристики компонентов интегральных схем
упражнение
Глава 2. Полевые транзисторы.
2.1 Полевой МОП-транзистор
2.1.1 N-канальный полевой МОП-транзистор улучшения
2.1.2 МОП-транзистор с режимом обеднения N-канала
2.1.3 P-канальный полевой МОП-транзистор
2.1.4 Модель полевого МОП-транзистора
2.2 Соединительная полевая трубка
2.2.1 Структура переходной полевой трубки
2.2.2 Принцип работы N-канального полевого транзистора
2.2.3 Характеристическая кривая и уравнение тока N-канального полевого транзистора
2.2.4 Модель переходного полевого транзистора
2.3 Основные параметры полевой трубки
……
Глава 3. Схема базового блока биполярной аналоговой интегральной схемы.
Глава 4. Базовая схема аналоговой интегральной схемы МОП.
Глава 5. Схема усиления обратной связи.
Глава 6. Интегральный операционный усилитель и его базовая схема применения.
Глава 7. Основы схем с токовым режимом.
Глава 8. Схема генерации и обработки импульсных сигналов.
Глава 9 Аналого-цифровые преобразователи и цифро-аналоговые преобразователи
Некоторые упражнения ссылаются на ответы
Рекомендации
1.1. Носители носителей и их движение в полупроводниках
1.1.1 Полупроводник в этих знаках
1.1.2 Примеси Полупроводник
1.1.3. Движение носителей в полупроводниках.
1,2 PN УЗУ
1.2.1 PN-переход при динамическом балансе
1.2.2 Вольт-амперные характеристики PN перехода
1.2.3 Температурные характеристики PN-перехода
1.2.4 Характеристики обратного пробоя PN-перехода
1.2.5 Емкостный эффект PN-перехода
1.3 полупроводниковый диод
1.3.1 Структура диода
1.3.2 Вольт-амперные характеристики диода
1.3.3 Основные параметры диода
1.3.4 Эквивалентное сопротивление диода
1.3.5 Модель диода
1.3.6 Метод анализа диодной цепи
1.3.7 Примеры схем применения диодов
1.4 Биполярный транзистор
1.4.1 Структура транзистора
1.4.2 Принцип работы транзистора в усиленном состоянии
1.4.3 Эберс транзисторов&-Молль модель
1.4.4 Характеристическая кривая транзистора
1.4.5 Влияние температуры на характеристики транзистора
1.4.6 Основные параметры транзисторов
1.4.7 Принципы применения транзисторов
1.5 Аналоговые компоненты в интегральных схемах
1.5.1 Встроенный NPN-транзистор
1.5.2 Встроенный PNP-транзистор
1.5.3 Диоды в интегральных схемах
1.5.4 Резисторы и конденсаторы в интегральных схемах
1.5.5 Характеристики компонентов интегральных схем
упражнение
Глава 2. Полевые транзисторы.
2.1 Полевой МОП-транзистор
2.1.1 N-канальный полевой МОП-транзистор улучшения
2.1.2 МОП-транзистор с режимом обеднения N-канала
2.1.3 P-канальный полевой МОП-транзистор
2.1.4 Модель полевого МОП-транзистора
2.2 Соединительная полевая трубка
2.2.1 Структура переходной полевой трубки
2.2.2 Принцип работы N-канального полевого транзистора
2.2.3 Характеристическая кривая и уравнение тока N-канального полевого транзистора
2.2.4 Модель переходного полевого транзистора
2.3 Основные параметры полевой трубки
……
Глава 3. Схема базового блока биполярной аналоговой интегральной схемы.
Глава 4. Базовая схема аналоговой интегральной схемы МОП.
Глава 5. Схема усиления обратной связи.
Глава 6. Интегральный операционный усилитель и его базовая схема применения.
Глава 7. Основы схем с токовым режимом.
Глава 8. Схема генерации и обработки импульсных сигналов.
Глава 9 Аналого-цифровые преобразователи и цифро-аналоговые преобразователи
Некоторые упражнения ссылаются на ответы
Рекомендации