225649 |.
Цена: 1 268руб. (¥60)
Артикул: 41086485802
Вес товара: ~0.7 кг. Указан усредненный вес, который может отличаться от фактического. Не включен в цену, оплачивается при получении.
Описание товараПродавец:奥维博世图书专营店
Адрес:Пекин
Рейтинг:
Всего отзывов:0
Положительных:0
Добавить в корзину
Другие товары этого продавца
¥109.22 308руб.
¥175.43 707руб.
¥ 26.5 25.3535руб.
¥54.41 150руб.
 |
 |
Книги, продаваемые в этом магазине, являются настоящими книгами
559805357
| Заголовок: | [Подлинная] Принципы электронных схем (оригинальная книга, 7-е издание)|3770511 |
| Цена книги: | 125 Юань |
| Автор книги: | (США) Альберт Мальвино; Дэвид Дж. Бейтс |
| Издательство: | Машиностроительная промышленность Пресса |
| Дата публикации: | 2014/9/1 0:00:00 |
| Номер ISBN: | 9787111466932 |
| формат: | 16 |
| Количество страниц: | 0 |
| Издание: | 1-1 |
| об авторе |
| Альберт П. Мальвино служил техником-электронщиком в ВМС США с 1950 по 1954 год. В 1959 году окончил Университет Санта-Клары со степенью бакалавра электротехники.Следующие пять лет он проработал инженером-электриком в микроволновой лаборатории и корпорации Hewlett-Packard, получив степень магистра электротехники в Государственном университете Сан-Хосе в 1964 году.Затем он четыре года преподавал в Футхилл-колледже, получив в 1968 году стипендию Национального научного фонда.Получив докторскую степень по электротехнике в Стэнфордском университете в 1970 году, Мальвино начал карьеру писателя.10 редактируемых им учебников переведены на 20 языков и имеют более 108 изданий.Доктор Мальвино в настоящее время является консультантом и выполняет функции“SPD-SmartTM windows”Проектировать микросхемы управления.Кроме того, он пишет образовательное программное обеспечение для техников-электронщиков и инженеров.Он также входит в совет директоров Research Frontiers.Персональный сайт Мальвино — www.malvino.com. Дэвид Дж. Бейтс — преподаватель факультета электронных технологий Технического колледжа Западного Висконсина (расположен в Ла-Кроссе).Он имеет более чем 25-летний опыт преподавания в качестве технического специалиста по обслуживанию электроники и электронной инженерии.Бейтс имеет степень бакалавра промышленного образования и степень магистра профессионального/технического образования.Он имеет сертификат FCC GROL, сертификат специалиста по компьютерному оборудованию A+ и сертификат уровня квалификации специалиста по электронике Международного общества сертификации специалистов по электронике (ISCET).В настоящее время Бейтс является квалификационным администратором ISCET, членом правления, а также экспертом по базовой электронике (SME) Национального консорциума электронного образования (NCEE).Дэвид Дж. Бейтс также является соавтором Збара, Рокмейкера и Бейтса.“Основное электричество”Экспериментальное руководство. |
| краткое введение |
| «Принципы электронных схем (оригинальная книга, 7-е издание)» знакомит с основными понятиями, принципами и методами анализа электронных схем и устройств.Содержание варьируется от полупроводниковых приборов до функциональных схем, от структуры схемы до диагностики неисправностей, от теоретического анализа до практического применения. К полупроводниковым приборам относятся: диоды, биполярные транзисторы, полевые транзисторы с переходом, полевые МОП-транзисторы и тиристоры;усилители включают: одноламповые усилители, дифференциальные усилители, усилители мощности и операционные усилители;функциональные схемы включают в себя: линейные и нелинейные приложения операционных усилителей, активных фильтров, генераторов и регулируемых источников питания. Также включены модели устройств, схемы смещения, частотные характеристики и отрицательная обратная связь. «Принципы электронных схем (оригинальная книга, 7-е издание)» может использоваться в качестве учебника или справочника для студентов и аспирантов в информационной сфере в колледжах и университетах, а также может использоваться для самостоятельного изучения и справочной работы соответствующим профессиональным и техническим персоналом. |
| Оглавление |
| «Принципы электронных схем (оригинальная книга, 7-е издание)» Издатель Переводчик Предисловие Гид Благодарности об авторе Глава 1 Заменитель 1 1.1 Три типа формул 1 1,2 это примерно 3 1.3 Источник напряжения 4 1.4 Источник тока 6 1.5. Теорема Тевенена 8. 1.6 Теорема Нортона 10 1.7 Устранение неполадок 13 Резюме 14 Упражнение 16 Глава 2 Полупроводники 19 2.1 Проводник 19 2.2 Полупроводники 20 2.3 Кристалл кремния 21 2.4 Собственные полупроводники 23 2.5 Два рода тока 24 2.6. Легирование полупроводников 24. 2.7 Два типа внешних полупроводников 25 2.8 Несмещенный диод 26 2.9 Смещение вперед 27 2.10 Обратное смещение 27 2.11 поломка 29 2.12 уровень энергии 30 2.13 энергетический барьер 31 2.14 Потенциальный барьер и температура 33 2.15 Диод обратного смещения 34 Резюме 35 Упражнение 38 Глава 3 Принцип работы диода 40 3.1 Основные понятия 40 3.2 Идеальный диод 43 3.3 Приближение второго порядка 44 3.4 Приближение третьего порядка 45 3.5 Устранение неполадок 47 3.6 Анализ увеличения и уменьшения параметров схемы 48 3.7 Чтение технического паспорта 49 3.8 Расчет объемного сопротивления 52 3.9 Сопротивление диода 53 постоянному току 3.10 Грузовая марка 53 3.11 Диод для поверхностного монтажа 55 Резюме 55 Упражнение 57 Глава 4. Диодные схемы 60 4.1 Полупериодный выпрямитель 60 4.2 Трансформатор 64 4.3 Двухполупериодный выпрямитель 65 4.4 Мостовой выпрямитель 68 Входной фильтр дросселя 4,5 70 4.6 Емкостный входной фильтр 72 4.7 Пиковое обратное напряжение и импульсный ток 77 4.8 Другие знания об источнике питания 78 4.9 Устранение неполадок 81 4.10 Клипперы и лимитеры 83 4.11 Зажим 86 4.12 Умножитель напряжения 88 Резюме 90 Упражнение 93 Глава 5 Диоды специального назначения 97 5.1 Стабилитрон 97 5.2 Стабилитрон с нагрузкой 100 5.3. Второе приближение стабилитронов 103 5.4 Точка отказа Зенера 106 5.5 Чтение технического паспорта 107 5.6 Устранение неполадок 110 5.7 Грузовая марка 112 5.8 Оптоэлектронные устройства 113 5.9 Диод Шоттки 117 5.10 Варакторный диод 120 В 5.11 Другие типы диодов 122 Резюме 125 Упражнение 128 Глава 6 Биполярные транзисторы 131 6.1. Несмещенные транзисторы 131 6.2 Смещенные транзисторы 132 6.3 Ток транзистора 134 6.4 Конфигурация с общим эмиттером 135 6.5 Базовые характеристики 137 6.6 Характеристики коллектора 137 6.7 Транзисторное приближение 141 6.8 Чтение технического паспорта 144 6.9 Транзисторы для поверхностного монтажа 148 6.10 Устранение неполадок 149 Резюме 151 Упражнение 153 Глава 7. Основы транзисторов 156 7.1 Изменения текущего коэффициента усиления 156 7.2 Грузовая марка 157 7.3 Рабочий пункт 161 7.4 Распознавание насыщения 163 7.5 Транзисторный переключатель 165 7.6 Смещение эмиттера 166 7.7Светодиодный драйвер 169 7.8 Влияние незначительно изменяющихся параметров 171 7.9 Устранение неполадок 172 7.10 Оптоэлектронные устройства 174 Резюме 177 Упражнение 180 Глава 8. Смещение транзистора 184 8.1 Смещение делителя напряжения 184 8.2 Точный анализ схемы VDB 187 8.3 Линия нагрузки и точка Q цепи VDB 188 8.4 Смещение эмиттера с двойным питанием 191 8.5 Другие виды предвзятости 194 8.6 Устранение неполадок 195 Транзистор 8,7pnp 196 Резюме 198 Упражнение 201 Глава 9 Модель коммуникации 205 9.1 Базовый усилитель смещения 205 9.2. Усилитель с эмиттерным смещением 209 9.3 Работа слабого сигнала 211 9.4 Коэффициент усиления переменного тока 213 9.5 Сопротивление эмиттерного перехода переменному току 213 9.6. Двухтранзисторные модели 216 9.7 Анализ усилителей 217 9.8 Параметры переменного тока в паспорте 220 Резюме 223 Упражнение 225 Глава 10 Усилители напряжения 228 10.1 коэффициент усиления напряжения 228 10.2 Влияние нагрузки входного резистора 231 10.3 Многокаскадный усилитель 233 10.4. Усилитель с отрицательной обратной связью излучателя 235 10.5 Двухуровневая обратная связь 239 10.6 Устранение неполадок 241 Резюме 242 Упражнение 244 Глава 11 Усилители с общим коллектором и общей базой 247 Усилитель 11.1CC 247 11.2 Выходное сопротивление 251 11.3CE-CB Каскадный усилитель 253 11.4 Комбинация Дарлингтона 254 11.5 Применение стабилизации напряжения 256 Усилитель 11.6CB 258 Резюме 262 Упражнение 264 Глава 12 Усилители мощности 269 12.1 Термины, относящиеся к усилителю 269 12.2 Два типа грузовой марки 271 12.3А рабочих мест 275 12,4 млрд рабочих мест 280 Двухтактный эмиттерный повторитель класса 12.5B 281 12.6 Смещение усилителей класса B/AB 284 12.7 Драйвер усилителя класса B/AB 286 12.8 Рабочие места категории С 288 12.9 Усилитель класса C. Уравнение 290. 12.10 номинальная мощность транзистора 295 Резюме 297 Упражнение 301 Глава 13. Переходные полевые транзисторы 305 13.1 Основные понятия 305 13.2 Характеристика дренажа 307 13.3 Характеристическая кривая крутизны 309 13.4. Смещение резистивных областей 310 13.5 Смещение активных областей 312 13,6 крутизна 320 Усилитель 13.7JFET 321 Аналоговый переключатель 13.8JFET 324 13.9 Другие применения JFET 326 13.10 Чтение технического паспорта 332 13.11 Тестирование JFET 334 Резюме 335 Упражнение 338 Глава 14. Полевой МОП-транзистор 343 14.1. Полевой МОП-транзистор с режимом обеднения 343 14.2 Характеристическая кривая МОП-полевого транзистора в режиме истощения 344 14.3 Усилитель на МОП-полевом транзисторе с режимом истощения 345 14.4. Полевой МОП-транзистор режима улучшения 346 14.5 Зона сопротивления 348 14.6 Цифровой переключатель 353 14.7 Дополнительная МОП-трубка 355 14.8 Силовые полевые транзисторы 357 14.9 Усилитель на МОП-полевом транзисторе в режиме улучшения 361 14.10 Испытание полевых МОП-транзисторов 364 Резюме 365 Упражнение 367 Глава 15 Тиристор 371 15.1 Четырехслойный диод 371 15.2 Кремниевый выпрямитель 375 15.3 Короткое замыкание SCR 382 15.4 Управление фазой кремниевого выпрямителя 384 15,5 Триак 386 15.6 Биполярный транзистор с изолированным затвором 391 15.7 Другие тиристоры 394 15.8 Устранение неполадок 396 Резюме 396 Упражнение 398 Глава 16. Частотные характеристики 402 16.1 Частотная характеристика усилителя 402 16,2 Значение усиления мощности в децибелах 406 Коэффициент усиления напряжения 16,3 дБ 408 16.4 Согласование импеданса 410 Базовое значение 16,5 децибел 412 16.6 График Боде 413 16.7 Вопросы, связанные с графиком Боде 415 16.8 Эффект Миллера 419 16.9 Связь между временем нарастания и полосой пропускания 421 16.10 Анализ частотных характеристик цепей уровня на биполярных транзисторах 423 16.11 Анализ частотных характеристик цепей уровня на полевых транзисторах 428 16.12 Частотные эффекты в схемах поверхностного монтажа 432 Резюме 432 Упражнение 435 Глава 17. Дифференциальные усилители 438 17.1 Дифференциальный усилитель 438 17.2 Анализ постоянного тока дифференциального усилителя 441 17.3 Анализ переменного тока дифференциального усилителя 444 17.4 Входные характеристики операционного усилителя 448 17,5 синфазный коэффициент усиления 453 17.6 Интегральные схемы 455 17.7 Текущее зеркало 458 17.8. Нагруженный дифференциальный усилитель 459. Резюме 460 Упражнение 463 Глава 18. Операционные усилители 467 18.1 Обзор операционных усилителей 467 18.2741 ОУ 469 18.3 Инвертирующий усилитель 476 18.4 Неинвертирующий усилитель 480 18.5 Два применения операционных усилителей 484 18.6 Линейные интегральные схемы 487 18.7 Операционный усилитель для поверхностного монтажа 491 Резюме 492 Упражнение 495 Глава 19. Отрицательная обратная связь 499 19.1 Четыре типа отрицательной обратной связи 499 19.2Усиление напряжения VCVS 501 19.3 Другие формулы VCVS 503 19.4ICVS усилитель 506 Усилитель 19,5VCIS 507 19.6Усилитель ICIS 508 19,7 Пропускная способность 509 Резюме 512 Упражнение 515 Глава 20. Схемы линейных операционных усилителей 519 20.1 Схема инвертирующего усилителя 519 20.2 Схема неинвертирующего усилителя 521 20.3 Инвертирующая/неинвертирующая схема 524 20.4 Дифференциальный усилитель 528 20.5 Инструментальный усилитель 532 20.6 Схема суммирующего усилителя 535 20.7 Схема повышения тока 539 20.8 Источник тока, управляемый напряжением 541 20.9 Автоматическая регулировка усиления 543 20.10 Режим работы с одним источником питания 545 Резюме 546 Упражнение 548 Глава 21 Активные фильтры 553 21.1 Идеальная частотная характеристика 554 21.2 Методы аппроксимации частотной характеристики 556 21.3 Пассивные фильтры 564 21.4. Фильтры первого порядка 567 21.5VCVS Фильтр нижних частот второго порядка с единичным усилением 569 21.6 Фильтры высшего порядка 573 21,7VCVS эквивалентный компонентный фильтр нижних частот 575 21.8VCVS Фильтр верхних частот 577 21.9 Многоканальный полосовой фильтр с обратной связью 578 21.10 Полосовой фильтр 581 21.11 Всепропускающий фильтр 582 21.12. Биквады и фильтры с переменным состоянием 585 Резюме 587 Упражнение 590 Глава 22. Нелинейные схемы операционных усилителей 593 22.1 Компаратор перехода через нуль 593 22.2 Компаратор без перехода через нуль 598 22.3 Гистерезисный компаратор 601 22.4 Оконный компаратор 604 22.5 Интегратор 606 22.6 Преобразование формы сигнала 608 22.7 Генератор сигналов 610 22.8 Типичный генератор треугольных волн 612 22.9 Схемы с активными диодами 613 22.10 Дифференциатор 615 22.11 Усилитель класса D 616 Резюме 618 Упражнение 620 Глава 23. Осцилляторы 624 23.1 Принцип синусоидальных колебаний 625 23.2 Генератор моста Вина 626 23.3 Другие RC-генераторы 629 23.4 Генератор Колпитца 630 23.5 Другие LC-генераторы 635 23,6 кристалл кварца 636 23,7 555 таймер 640 23.8 Нестабильный режим работы таймера 555 644 23,9 555 схема 646 23.10 Фазовая автоподстройка частоты 650 23.11 Интегральная схема функционального генератора 653 Резюме 657 Упражнение 660 Глава 24 Стабилизированный источник питания 663 24.1 Характеристики источника питания 663 24.2 Параллельный регулятор напряжения 665 Регулятор напряжения серии 24.3 670 24.4 Монолитные линейные регуляторы 677 24.5 Схема повышения тока 683 24.6Преобразователь постоянного тока в постоянный ток 684 24.7 Импульсный регулятор 685 Резюме 692 Упражнение 695 Глоссарий 700 Ответы (нечетные упражнения) 720 |
559805357