Официальная подлинная технология производства полупроводниковых производств
Вес товара: ~0.7 кг. Указан усредненный вес, который может отличаться от фактического. Не включен в цену, оплачивается при получении.
Описание товара
Оглавление
Глава 1  Введение
1.1 
1.1.1 
1.1.2 
1.1.3 
1.1.4 
1.1.5 
1.1.6 
1.2 
1.2.1 
1.2.2 
1.2.3 
1.2.4 
1.2.5&Nbsp; конструкция схемы
1.2.6 
1.2.7 
1.3  Резюме
1.4  ссылка
1.5  упражнение
Глава 2 
2.1 
2.2 
2.2.1 
2.2.2 
2.2.3 
2.3 
2.3.1 
2.3.2 
2.3.3 
2.3.4 
2.3.5 
2.4 
2.4.1 
2.4.2 
2.4.3 
2.5 
2.5.1 
2.5.2 
2.5.3 
2.5.4 
2.6 
2.7  Резюме
2.8  ссылка
2.9  упражнение
Глава 3 
3.1 
3.1.1 
3.1.2 
3.1.3 
3.1.4 
3.1.5 
3.2 
3.2.1  сопротивление
3.2.2 емкость
3.2.3  диод
3.2.4 
3.2.5 MOSFET
3.3 
3.3.1  память
3.3.2 
3.3.3 
3.4 
3.4.1 
3.4.2 
3.4.3 
3.5 
3.5.1 
3.5.2 
3.5.3 
3.6 
3.7  Резюме
3.8  ссылка
3.9  упражнение
Глава 4 
4.1  Введение
4.2 
4.3 
4.3.1 
4.3.2 
4.4 
4.4.1 
4.4.2 
4.4.3 
4.4.4 
4.4.5&Nbsp;
4.5 
4.5.1 
4.5.2 
4.5.3 
4.5.4 
4.5.5 
4.5.6 
4.6 
4.6.1 
4.6.2 
4.6.3 
4.6.4 
4.6.5 
4.7  Резюме
4.8  ссылка
4.9  упражнение
Глава 5 
5.1  Введение
5.2 
5.2.1  Введение
5.2.2  Система управления
5.2.3 
5.2.4 
5.2.5 
5.2.6 
5.3 
5.3.1 
5.3.2 
5.3.3 
5.3.4 
5.3.5 
5.3.6 
5.3.7 
5.3.8 
5.4 
5.4.1 
5.4.2 
5.5 
5.5.1 
5.5.2 
5.5.3 
5.6 
5.6.1 
5.6.2 
5.6.3 
5.6.4 
5.7 
5.7.1 
5.7.2 
5.7.3 
5.8 
5.9  Резюме
5.10 Ссылки
5.11 Упражнения
Глава 6 
6.1  Введение
6.2 
6.3 
6.3.1 
6.3.2 
6.3.3 
6.3.4 
6.3.5 
6.3.6 
6.3.7 
6.3.8 
6.3.9 
6.3.10 Стены -орбитальный шаг фрингринг
6.4 
6.4.1 
6.4.2 
6.4.3 
6.4.4 
6.4.5 
6.4.6 
6.4.7 
6.4.8 
6.4.9 
6.4.10 Система резьбы ионного луча
6.5  Безопасность
6.6  Резюме
6.7  ссылка
6.8  упражнение
Глава 7 
7.1  Введение
7.2 
7.2.1 
7.2.2 
7.3 
7.3.1 
7.3.2 
7.3.3 
7.3.4 
7.4 
7.4.1 
7.4.2 
7.4.3 
7.4.4 
7.5 
7.6 
7.7 
7.7.1 
7.7.2  Плазменное травление
7.7.3 
7.8 
7.8.1 
7.8.2 
7.8.3 
7.9 
7.9.1 
7.9.2 
7.9.3 
7.9.4 
7.10 Плазменное мастерство с высокой плотностью
7.10.1 
7.10.2 
7.11 Резюме
7.12 Ссылки
7.13 Упражнения
Глава 8 
8.1  Введение
8.1.1 
8.1.2 
8.1.3 
8.2 
8.2.1 
8.2.2 
8.2.3 
8.2.4 
8.3 
8.3.1 
8.3.2 
8.3.3 
8.3.4  Система управления
8.3.5 
8.4 
8.4.1 
8.4.2 
8.4.3 
8.4.4 
8.5  Безопасность
8.5.1 
8.5.2 
8.5.3 
8.5.4 
8.6 
8.7  Резюме
8.8  ссылка
8.9  упражнение
Глава 9 
9.1 
9.2 
9.2.1 
9.2.2 
9.2.3 
9.2.4 
9.2.5 
9.2.6 
9.2.7 
9.3 
9.3.1  Введение
9.3.2 
9.3.3 
9.3.4 
9.3.5 
9.4 
9.4.1 
9.4.2 
9.4.3 
9.4.4 
9.4.5 
9.4.6 
9.5 
9.5.1 
9.5.2 
9.5.3 
9.5.4 
9.5.5 
9.5.6 
9.5.7 
9.5.8 
9.6 
9.7 
9.8  Резюме
9.9  ссылка
9.10 Упражнения
Глава 10 
10.1  Введение
10.2 
10.2.1 
10.2.2 
10.2.3 
10.2.4 
10.2.5 
10.3 
10.3.1 
10.3.2 
10.3.3 ILD0
10.3.4 ILD1
10.3.5 
10.4 
10.4.1  показатель преломления
10.4.2 
10.4.3 
10.5 
10.5.1 
10.5.2 
10.5.3 
10.5.4 
10.5.5 
10.5.6 
10.6 
10.7 
10.8 
10.8.1 
10.8.2 
10.9 
10.9.1&Тенденция развития NBSP;
10.9.2 
10.9.3 
10.9.4 
10.10 Тенденция разработки технологии осаждения химического газа
10.10.1 
10.10.2 
10.10.3 
10.10.4 
10.11 Резюме
10.12 Ссылки
10.13 Упражнения
Глава 11 
11.1  Введение
11.2 
11.2.1  Polysilicon
11.2.2 
11.2.3  алюминий
11.2.4  Титан
11.2.5 
11.2.6 вольфрам
11.2.7  Медж
11.2.8 
11.2.9  кобальт
11.2.10 Никель никель
11.3 
11.3.1 
11.3.2 
11.3.3 
11.3.4  рефлекторный коэффициент
11.3.5 
11.4 
11.4.1  Введение
11.4.2 
11.4.3 
11.4.4 
11.4.5 
11.4.6 
11.5 
11.5.1  Введение
11.5.2 
11.5.3 
11.5.4 
11.6 
11.6.1 
11.6.2 
11.6.3 
11.6.4 
11.6.5 
11.7  Безопасность
11.8  Резюме
11.9  ссылка
11.10 Упражнения
Глава 12 
12.1  Введение
12.1.1 
12.1.2 
12.1.3 
12.1.4 
12.1.5 
12.1.6 
12.2 
12.2.1  Введение
12.2.2 
12.2.3 
12.2.4 
12.3 
12.3.1 
12.3.2
12.3.3 
12.3.4
12.4 
12.4.1 
12.4.2 
12.4.3 
12.4.4  дефект
12.5 
12.5.1 
12.5.2 
12.5.3 
12.5.4 
12.5.5 
12.5.6 
12.6 
12.7  Резюме
12.8  ссылка
12.9  упражнение
Глава 13 
13.1  Введение
13.2 
13.3 
13.3.1 
13.3.2 LOCOS
13.3.3 STI
13.3.4 
13.4 
13.4.1 
13.4.2 
13.4.3 
13.5 
13.5.1 
13.5.2 
13.5.3 
13.5.4 
13.5.5 
13.6 
13.6.1 
13.6.2 
13.6.3 
13.7 
13.7.1 
13.7.2 
13.7.3 
13.7.4 
13.7.5 
13.8 
13.9  Резюме
13.10 Ссылки
13.11 Упражнения
Глава 14 
14.1  Введение
14.2 
14.3 
14.3.1 
14.3.2 
14.3.3 
14.3.4 
14.3.5 
14.3.6 
14.3.7  Комментарий
14.4 
14.5 
14.6 
14.6.1 
14.6.2 
14.6.3 
14.7  Резюме
14.8  ссылка
14.9  упражнение
Глава 15 
15.1  ссылка
Основная информация
Название книги: Введение в технологию производства полупроводников (второе издание)
Первоначальная цена: 59,00 юаней
Автор: (MEI) Сяо Хонг, Ян Иинтанг, Дуан Бакссинг перевод
Пресса: электронная промышленная пресса
Дата публикации: 2013-1-1
ISBN: 9787121188503
Слова: 826000
Номер страницы: 459
Издание: 1
Переплет: мягкая обложка
Открыто: 16
Товарный вес:
Выбор редактора
«Введение в технологию производства полупроводников (2 -е издание)» - это отличный учебник для полупроводниковой технологии.В книге есть 15 глав, в том числе: введение в технологию полупроводников, введение в интегрированные поделки схемы, базовые знания о полупроводнике, варилирование, расширение и связывание технологии обработки, процессы нагрева в полупроводниковых ремесе ремесла для инъекций, технология травления, осаждение химического газа и осаждение тонкой пленки, химическая технология металлов, процесс шлифования химического механизма, интеграция полупроводниковых процессов, эволюция процесса CMOS и тенденция развития полупроводниковых технологий в конце.Эта книга написана Сяо Хонгом.
Краткое содержание
Эта книга включает в себя 15 главы: Глава 1 описывает процесс производства полупроводника; Рост и технология расширения кремния; Глава 10 представляет базовое осаждение химического газа (CVD) и технологию осаждения в электронном виде, а также пористые отложения Electoda с низким содержанием NACTODA, газовый QI, газ. Применение разрыва и процесс осаждения атомного слоя (ALD); Вводит химический процесс Metal;
Оглавление
Глава 1 Введение
1.1 История разработки интегрированной схемы
1.1.1 Первый кристалл в мире
1.1.2 Первая в мире интегрированная цепь схемы
1.1.3 Закон Мура
1.1.4 графический размер и размер пластины
1.1.5 Узел разработки интегрированной цепи
1.1.6 Закон Мура или Закон Супер Мур
1.2 Обзор разработки интегрированной цепи
1.2.1 Подготовка материала
1.2.2 Оборудование для полупроводникового процесса
1.2.3 Инструменты измерения и тестирования
1.2.4 Производство пластин
1.2.5 Конструкция схемы
1.2.6 Сделано в оптическом издании
1.2.7 Стены. Производство
1.3 Резюме
1.4 Ссылки
1.5 Упражнения
Глава 2 Введение в процесс интегрированной схемы
2.1 Введение в процесс интегрированной схемы
2.2 Скорость готового продукта интегрированной схемы
2.2.1 Определение ставки готового продукта
2.2.2
2.2.3 Дефекты и готовые продукты
2.3 Технология без пыли.
2.3.1 Комната без пыли
2.3.2 Контроль загрязняющих веществ и ставка готового продукта
2.3.3 Основная структура комнаты без пыли
2.3.4 Процедуры ношения без пыли в комнате без пыли
2.3.5 Код для соглашения о комнате без пыли
2.4 Основная структура между комплексами процессов интегрированной цепи
2.4.1.
2.4.2 Область оборудования
2.4.3 Вспомогательная зона
2.5 Интегрированный тест и упаковка
2.5.1 Грейнный тест
2.5.2 Пакет чипсов
2.5.3. Последний тест
2.5.4 Технология 3D -упаковки
2.6 Тенденция будущей разработки интегрированных цепей
2.7 Резюме
2.8 Ссылки
2.9 Упражнения
Глава 3 Основы полупроводника
3.1 Основная концепция полупроводника
3.1.1.
3.1.2 Кристаллическая структура
3.1.3 легированный полупроводник
3.1.4 легированная концентрация и проводимость
3.1.5 Сводка полупроводниковых материалов
3.2 Основные компоненты полупроводников
3.2.1 Сопротивление
3.2.2 емкость
3.2.3 Диод
3.2.4 Суб -ккристаллическая трубка с двойной загрузкой
3.2.5 MOSFET
3.3 Интегрированная цепь схемы
3.3.1 память
3.3.2 Микропроцессор
3.3.3 Специальная интегрированная схема (ASLC)
3.4 Основной процесс интегрированной схемы
3.4.1 Процесс производства субкаркулиевого транзистора.
3.4.2 P -типа процесс MOS (технология в 1960 -х годах)
3.4.3 N -типа процесс MOS (технология в 1970 -х годах)
3.5 Комплементарная кристаллическая трубка оксида металла
3.5.1 CMOS -схема
3.5.2 Процесс CMOS (технология в 1980 -х годах)
3.5.3 Процесс CMOS (технология в 1990 -х годах)
3.6 Тенденция разработки полупроводникового процесса во второй половине 2000 года
3.7 Резюме
3.8 Ссылки
3.9 Упражнения
Глава 4
4.1 Введение
4.2 Зачем использовать кремниевые материалы
4.3 Кристаллическая структура и дефект
4.3.1 Кристалл кристалла
4.3.2 Дефекты кристаллов
4.4 Технология производства буллопедической производства
4.4.1 Натуральный кремниевый материал
4.4.2 Очистка кремниевых материалов
4.4.3 Процесс подъема кристалла
4.4.4 Формирование пластин
4.4.5 Завершение пластин
4.5 Технология роста кремния расширения
4.5.1 расширение фазы QI
4.5.2 Процесс роста удлинительного уровня
4.5.3 Аппаратное оборудование с расширением кремния
4.5.4 Процесс роста расширения
4.5.5 Тенденция разработки процесса расширения
4.5.6 Селективное расширение
4.6 субстратный проект
4.6.1 Силикон-он-изолятор (SOI)
4.6.2 Гибридные кристаллы (горячие)
4.6.3 Чулок кремния
4.6.4 напряженный кремний на изоляторе (SSOI)
4.6.5 штамма кремния в технологии IC
4.7 Резюме
4.8 Ссылки
4.9 Упражнения
Глава 5 Нагреваемого суда
5.1 Введение
5.2 Аппаратное оборудование для процесса нагрева
5.2.1 Введение
5.2.2 Система управления
5.2.3 Система передачи газа
5.2.4 Система загрузки
5.2.5 Система выбросов
5.2.6 Трубка печи
5.3 Технология окисления
5.3.1 Применение технологии окисления
5.3.2 Процесс очистки перед окислением
5.3.3 скорость роста окисления
5.3.4 Технология окисления кислорода
5.3.5 Технология окисления влажного кислорода
5.3.6 Технология окисления высокого давления
5.3.7 Технология измерения окисления слоя
5.3.8 Тенденция развития технологии окисления
5.4 Процесс диффузии
5.4.1.
5.4.2 Измерение в процессе легирования
5.5 Процесс Анкционного процесса
5.5.1 Ионная инъекция обратно отжиг отжига
5.5.2 Тепловая обработка сплава
5.5.3.
5.6 Высокий осаждение химического газа с высокой температурой
5.6.1 Отложения кремния удлинения
5.6.2 Селективное процесс расширения
5.6.3 Поликристаллическое осаждение кремния
5.6.4 Осаждение нитрида кремнезема
5.7 Система быстрого нагрева (RTP)
5.7.1 Система быстрого отопления и отжига (RTA)
5.7.2 Быстрое окисление нагрева (RTO)
5.7.3 Быстрое отопление сердечно -сосудистых заболеваний
5.8 Тенденция разработки процесса нагрева
5.9 Резюме
5.10 Ссылки
5.11 Упражнения
Глава 6 Световое кубическое ремесло
6.1 Введение
6.2.
6.3 Процесс легкой гравировки
6.3.1 Помытие склада
6.3.2 Процесс предварительной обработки
6.3.3 Световое покрытие клея
6.3.4 Мягкая выпечка
6.3.5 AP города и экспозиция
6.3.6 Выпекание после воздействия
6.3.7 Наука и техника
6.3.8 Процесс жесткой выпечки
6.3.9 Графическое обнаружение
6.3.10 Стены -орбитальный шаг фрингринг
6.4 Тенденция развития технологии фотокализма
6.4.1 Разрешение и глубина поле (DOF)
6.4.2 I Линия и глубокие ультрафиолетовые лучи
6.4.3 Технология улучшения разрешения
6.4.4.
6.4.5 двойной, тройной и многографической технологии
6.4.6 Extreme UV (EUV) LightScape Technology
6.4.7 Нанометральная печать
6.4.8 x -Ray Carving Technology
6.4.9 Система гравировки электронного луча
6.4.10 Система резьбы ионного луча
6.5 Безопасность
6.6 Резюме
6.7 Ссылки
6.8 Упражнение
Глава 7 Плазменное судно
7.1 Введение
7.2 Основная концепция плазмы
7.2.1 Ингредиенты плазмы
7.2.2 Генерация плазмы
7.3 Плазменное столкновение
7.3.1 Ионизация столкновения
7.3.2 Столкновение стимуляции и релаксации
7.3.3 Столкновение разложения
7.3.4 Другие столкновения
7.4 Плазменные параметры
7.4.1 Средний диапазон свободы
7.4.2 Горячая скорость
7.4.3 Частицы мощности в магнитном поле
7.4.4 Распределение Болицмана
7.5 Ионная бомбардировка
7.6 Парциальное давление постоянного тока
7.7 Преимущества мастерства в плазме
7.7.1 Плазма в процессе сердечно -сосудистых заболеваний
7.7.2 Плазменное травление
7.7.3 Отложение вывода с брызги
7.8 Плазма Увеличенное химическое осаждение газа и реактор плазменного травления
7.8.1 Различия мастерства
7.8.2 Дизайн реакционной комнаты CVD
7.8.3 Дизайн реакционной комнаты травления
7.9 Процесс плазмы с дистанционным управлением
7.9.1 Снимите легкий клей
7.9.2
7.9.3 Очистка плазмы с дистанционным управлением
7.9.4 ССИО ПЛАЗМА УСТАНОВЛЕНИЯ (RPCVD)
7.10 Плазменное мастерство с высокой плотностью
7.10.1 Плазма сцепления датчика (ICP)
7.10.2 Резонанс электронного вращения
7.11 Резюме
7.12 Ссылки
7.13 Упражнения
Глава 8 Процесс инъекции ионов
8.1 Введение
8.1.1 История технологии ионной технологии развития
8.1.2 Преимущества технологии ионной инъекции
8.1.3 Применение технологии ионов впрыска
8.2 Введение в технологию ионной инъекции
8.2.1 Механизм блокировки
8.2.2 Ионная диапазон
8.2.3 Эффект канала
8.2.4 повреждение и тепловая рецессия
8.3 Технологическое оборудование для ионной инъекции.
8.3.1 Газовая система
8.3.2 Моторная система
8.3.3 вакуумная система
8.3.4 Система управления
8.3.5 Система лучей
8.4 Процесс процесса инъекции ионов
8.4.1 Применение инъекции ионов в компонентах
8.4.2 Другие применения технологии ионов впрыска
8.4.3 Основные проблемы инъекции ионов
8.4.4 Оценка процесса ионной инъекции
8.5 Безопасность
8.5.1 Источник химического опасного
8.5.2 Электрический опасный источник
8.5.3 Радиационный опасный источник
8.5.4 Источник механической опасности
8.6 Тенденция развития технологии ионной инъекции
8.7 Резюме
8.8 Ссылки
8.9 Упражнения
Глава 9 Аварийное судно
9.1 Введение в процесс травления
9.2 Фонд процесса устранения
9.2.1 Скорость пленника
9.2.2 Единость травления
9.2.3 Стоптивная селективность
9.2.4 Плотный контур
9.2.5 Эффект нагрузки
9.2.6 Эффект пристальной
9.2.7 Ввод остаточных объектов
9.3 Процесс влажного травления
9.3.1 Введение
9.3.2 Оксидное влажное травление
9.3.3 Кремниевый захват
9.3.4 Нитридное травление
9.3.5 металлическое травление
9.4 Процесс травления плазмы (сухой метод)
9.4.1 Введение
9.4.2 Основная концепция
9.4.3 Чистое химическое травление, чистое физическое травление и реактивный ионный травление
9.4.4 Принципы процесса травления
9.4.5 Плазменная реакция
9.4.6 Вход в конечную точку
9,5 процесс травления в плазме
9.5.1 Установка электрических мощностей
9.5.2 Захват монокристаллического кремния
9.5.3 Поликристаллический захват кремния
9.5.4 Металлическое травление
9.5.5 Снимите оборудование света
9.5.6 Химическое травление сухого метода
9.5.7 Устранение всего сухого метода
9.5.8 Безопасность травления в плазме
9.6 Тенденция разработки процесса травления
9.7 Тенденция будущего развития процесса травления
9.8 Резюме
9.9 Ссылки
9.10 Упражнения
Глава 10 Химическая газовая и электронная пленка
10.1 Введение
10.2 Химическое осаждение газа
10.2.1 Описание технологии CVD
10.2.2 Типы реактора сердечно -сосудистых заболеваний
10.2.3 Базовый принцип CVD
10.2.4 Поверхностная адсорбция
10.2.5 Динамика сердечно -сосудистых заболеваний
10.3 Применение электроники пленки
10.3.1 Изоляция мелких канавок (STL)
10.3.2 Интервальный слой боковой стены
10.3.3 ILD0
10.3.4 ILD1
10.3.5 Защитный электрический коридор в пастовании (PD)
10.4 Электронные характеристики тонкой пленки
10.4.1 Индекс преломления
10.4.2 Толщина пленки
10.4.3 пленка стресс
10.5 процесс сердечно -сосудистых заболеваний
10.5.1 Силикан -нагревание CVD -процесс
10.5.2. Нагревание процесса сердечно -сосудистых заболеваний TEOS
10.5.3 Силиканский процесс PECVD
10.5.4 PECVD
об авторе
Ян Йинтанг, родившийся в 1962 году, мужчина, из города Хандан, Хэбэй, доктор философии, профессор, докторский руководитель, окончил полупроводник Университета электронных наук и техники.Он занимал должность директора Школы школы, заместитель декана Школы технологической физики, декан Школы микроэлектроники и директор Отдела по планированию развития“ 211 проект&Rdquo; образования, национального учителя модели и награды китайской молодежной науки и техники.&Ldquo; проект талантов десяти миллионов человек”.В настоящее время он является вице -президентом Университета электронных наук и техники Xi'an.Он опубликовал более 180 статей в важных международных и внутренних журналах и 4 монографии.Дуан Бакссинг, родившийся в 1977 году, мужчина, из округа Дали, провинция Шэньси, доктор философии, профессор.В 2000 и 2004 годах он получил степень бакалавра в области физики и химии в Технологическом институте Харбина и степень магистра в области химии, а также докторскую степень в области микроэлектроники и твердой электроники в Университете электронных наук и техники в 2007 году.В основном участвуют в изучении силовых устройств на основе кремния и интегрированных широкополосных полупроводниковых мощных устройств и ключевых технологий после 45 -нм CMOS.Первое оптимизированное силовое устройство Новая технология Rebulf, предложенная в мире, была успешно применена для проектирования горизонтального мощного устройства с высоким уровнем высокого уровня; Устойчивость к напряжению устройств с высоким давлением;Он опубликовал более 40 статей в важных международных и внутренних журналах, из которых более 30 извлечено из -за SCI и EI.IEEEELELELECTRON DEVICE Lette, твердотельная электроника, Micro & Nanolette, IEEE Traactio на электронике Power и IETE TechnicalReview.Hongxiao (Xiao Hong) получила степень бакалавра в области науки в Университете науки и техники Китая в 1982 году, получила степень магистра в области науки в Институте физических исследований юго -запада в 1985 году и занимался исследованием физики плазмы в Юго -западном институте физики. С 1985 по 1989 год. В 1995 году он был в Соединенных Штатах, Университет Техаса получил докторскую степень по философии в Техасском университете.С 1995 по 1998 год он занимал должность старшего технического лектора в компании по приложению.С 1998 по 2003 год он работал старшим инженером -производителем в отделе полупроводникового производства Motorola и преподавал технологии производства полупроводников в Общественном университете Остина.С 2003 по 2011 год он работал техническим экспертом в Hanmin Micro-Testing Technology Co., Ltd., и в настоящее время является техническим экспертом в компании KLA-Tencor.Текущий интерес исследований представляет собой обнаружение дефекта электронного луча при разработке и интегрированной схеме производства электронных дефектов пучка.Он является членом SPIE и лектором, членом IEEE и пожизненным членом Ассоциации полупроводников Huamei.Было опубликовано более 30 журнальных работ и международных конференционных работ с 7 патентами в США.
Абстрактный
Предисловие