Pro/Engineer Wild Fire Edition 5.0 Изогнутая конструкция быстрое вход, расширенный и опытный (полное голосовое и видео объяснение) (включая 1 DVD -диск)
Вес товара: ~0.7 кг. Указан усредненный вес, который может отличаться от фактического. Не включен в цену, оплачивается при получении.
Описание товара
Через типичные примеры отражают новые идеи, новые инструменты и новые средства в области технологии фотоэлектрического зондирования
*Глава фотоэлектрических технологий. Основы 1 Основы 1
1.1 Описание системы фотоэлектрического зондирования 1
1.2 Радиометрия и фотометрия 1
1.2.1 Радиометрия 1
1.2.2 Фотометрика 3
1.2.3 Основные законы радиации и фотометрии 5
1.2.4 Радиация. 7
1.3 Основы полупроводника 9
1.3.1 Структура полупроводника 9
1.3.2 Отнесер 11 в полупроводниках
1.4 Фотоэлектрический эффект полупроводников 15
1.4.1 Эффект фотопродуктивности 16
1.4.2 Фотоэлектрический эффект 17
1.4.3 Эффект фотоэлектрического излучения 19
1.5 Фототермический эффект 20
1.6 Шум и характерные параметры фотоэлектрических датчиков 21
1.6.1 Шум фотоэлектрического датчика 22
1.6.2 Основные характеристики Параметры фотоэлектрических датчиков 23
Мышление и расчет Вопрос 25
Глава 2 Обычно используемые источники света в системах фотоэлектрических зондирования 27
2.1 Основные характеристики Параметры источника света 27
2.1.1 Эффективность радиации и яркая эффективность 27
2.1.2 Спектроскопическое распределение мощности 28
2.1.3 Распределение интенсивности космического света 28
2.1.4 Цвет света Источник 29
2.1.5 Цветовая температура источника света 29
2.2 Источник термического излучения 30
2.2.1 Sun и Bold Simulator 30
2.2.2 Лампа накаливания и галогенскую вольфрамовую лампу 31
2.3 Источник света газа 31
2.4 Световой диод 33
2.4.1 LED33 с нормальной яркостью
2.4.2 Ультра-высокая яркость LED35
2.4.3 Белый светодиод36
2.5 Лазер 38
2.5.1 Основные принципы лазера 38
2.5.2 Классификация и применение лазера 39
2.5.3 Характеристики лазера 46
Вопросы по мышлению и вопросы расчета 47
Глава 3 фотоэлектрическое излучающее устройство 48
3.1 фотоэлектрический излучение катод 48
3.1.1 Основные параметры фотоэлектрического излучения катода 48
3.1.2 Обычно используемый фотокатодный материал 49
3.2 Структурный принцип фотоэлектрической трубки и фотоумножильной трубки 51
3.2.1 Фотоэлектрическая трубка 51
3.2.2 Photomultiplier Tube 52
3.3 Основные характеристики Параметры Photomultiplier Tube 54
3.4 Схема источника питания и выходной схема 58 Photomultipliefer Tube
3.4.1 Схема разделителя напряжения высокого напряжения 58
3.4.2 Метод вывода сигнала 60
3,5 Микроканальная пластина Photomultiplier Tube 61
3.5.1 Структура и принцип работы микроканальной пластины 61
3.5.2 Микроканальная пластина Photomultiplier Tube 62
3.6 Enhancer 64
3.7 Приложение 66
3.7.1 Типичное применение Photomultiplier Tube 66
3.7.2 Типичные применения интенсификатора изображения 68
Мыслительные вопросы и вопросы расчета 69
Глава 4 Детектор фотопроводки 70
4.1 Принцип работы детектора фотокондукции 70
4.2 Фотокондуктивные материалы и структурные характеристики 72
4.2.1 Материалы и классификация 72
4.2.2 Структурные характеристики и принципы 73
4.3 Основные характеристики Параметры детектора фотопроводности 74
4.3.1.
4.3.2 Оптоэлектронные характеристики 75
4.3.3 Спектральные характеристики 77
4.3.4 Характеристики вольтамперометрии 78
4.3.5 Характеристики времени и частотных характеристик 78
4.3.6 Предварительный эффект 81
4.3.7 Характеристики температуры 82
4.4 Схема преобразования 82 детектора фотопроводности
4.4.1 Основная схема смещения 82
4.4.2 Схема постоянного тока 83
4.4.3 Схема постоянного напряжения 84
4.5 Пример применения детектора фотопроводности 85
4.5.1. Автоматическое заллобное столовое освещение и схема фотоэлектрического управления 85
4.5.2 Аварийный сигнал обнаружения пламени 85
4.5.3 Инфракрасный термометр термоэлектрического охлаждения 86
Мышление и расчет Вопрос 87
Глава 5 Оптоэлектронные устройства с полупроводниковым соединением 89
5.1 Основные принципы оптоэлектронных устройств Junction 89
5.1.1 P-N Соединение 89 в состоянии термического равновесия
5.1.2 P-N Junction 90 под светом
5.2 Силиконовая фотоэлемент 92
5.2.1 Основная структура кремниевых фотоэлементов 92
5.2.2
5.2.3 Характерные параметры кремниевых фотоэлементов 93
5.3 Силиконовый фотодиод 95
5.3.1 Основная структура кремниевого фотодиода 96
5.3.2 Принцип работы кремниевого фотодиода 96
5.3.3 Текущее уравнение фотодиода 96
5.3.4 Основные характеристики фотодиодов 97
5.4 Силиконовые фототриоды 100
5.4.1 Основная структура кремниевого фототрансистора 100
5.4.2
5.4.3 Характеристики фототранзистора 102
Схема смещения 104 из 5,5 соединения оптоэлектронные устройства
5.5.1 Схема обратного смещения 104
5.5.2.
5.5.3 Другие схемы фотоэлектрического преобразования 107
5.6 Специальное соединение фотодиод 109
5.6.1  PIN -фотоприемник 109
5.6.2 Avalanche Photodiode 109
5.7 Детектор квадранта и датчик фотоэлектрического положения 111
5.7.1 Детектор квадранта 111
5.7.2 Датчик фотоэлектрического положения (PSD) 114
5.8 Характерные параметры и выбор полупроводниковых оптоэлектронных устройств 118
5.8.1 Характерные параметры полупроводниковых оптоэлектронных устройств 118
5.8.2 Выбор применения полупроводниковых оптоэлектронных устройств 120
Вопросы по мышлению и расчетам 121
Глава 6 Оптоэлектронное устройство изображения 123
6.1 Устройство вакуумной визуализации 123
6.1.1 Image Tube 123
6.1.2 Камера трубка 126
6.2 Твердого состояния 128
6.2.1 Зарядное устройство (CCD) 128
6.2.2  CMOS -датчик изображения 135
6.2.3 Введение в промышленную камеру 140
6.2.4 Система машинного зрения и ее приложения 142
Вопросы по мышлению и вопросы расчета 151
Глава 7 Обзор инфракрасного детектора 152
7.1 Классификация инфракрасного детектора 152
7.1.1 Тепловой детектор 152
7.1.2 Детектор типа фотонного типа 153
7.1.3 Условия труда и показатели эффективности инфракрасных детекторов 154
7.2 Обычно используемый инфракрасный детектор 161
7.2.1 Принцип работы и анализ эффективности инфракрасных детекторов фотопроводимости 161
7.2.2 Инфракрасный детектор фотопродуктивности—— Принцип и структура детектора спрайта 164
7.2.3 Принцип работы и анализ эффективности фотоэлектрических инфракрасных детекторов166
7.2.4 Шоттская барьерная фотоприемника - Принцип работы 167
7.2.5 Инфракрасный детектор квантовой скважины 169
7.3 Обычно используемый тепловой детектор 170
7.3.1 Термистор 170
7.3.2 Thermocouple и Thermopile 171
7.3.3 Пироэлектрический детектор 173
7.3.4
7.4 Другие инфракрасные детекторы 176
7.4.1 Инфракрасный детектор антимонида индийского антимонида 176
7.4.2 Детектор Cadmiry Cadmium Tellurium 177
7.4.3 ТАН -ТЕЛЛУРИЯ ДЕТЕКТОР Свиделя 177
7.4.4 Детектор арсенида галлия 178
7.4.5 Detector Photon Truction 178
7.4.6  Detector MOS 179
Применение 7,5 инфракрасного детектора—— Инфракрасная система ночного видения 180
7.5.1 Принцип инфракрасного инструмента ночного видения 180
7.5.2 Принцип инфракрасного термического изображения 181
Вопросы по мышлению и упражнениям 182
Глава 8 Устройство отображения плоской панели 183
8.1 ЖК -дисплейное устройство (ЖК -дисплей) 183
8.1.1 Основная концепция 183
8.1.2 Оптоэлектронные характеристики 184
8.1.3 Устройство динамического рассеяния жидкокристаллического дисплея 186
8.1.4 Искаженное нематическое жидкокристаллическое устройство 186
8.1.5 Ultra-Twist нематическое жидкокристаллическое устройство 188
8.1.6 Active Matrix LCD -дисплей -устройства 189
8.1.7  ЖК -рабочая среда и оснащена 191
8.2 Устройство плазменного дисплея 191
8.2.1 Принцип работы цветного AC-PDP191
8.2.2 Особенности и применение цвета AC-PDP 192
8.3 Органическое осветительное устройство 193
8.3.1  Принцип выброса света OLED 194
8.3.2  Классификация OLED -устройств194
8.4 Digital Micro Refluctor Device (DMD) 195
8.4.1  Структура DMD и принцип работы 195
8.4.2  DLP Проекционное отображение и функции 196
Вопросы по мышлению и вопросы расчета 196
Глава 9 Типичная система фотоэлектрического зондирования 197
9.1 Система измерения и калибровки переходной поверхности 197
9.1.1 Система фотоэлектрического зондирования на переходной поверхности 197 197
9.1.2 Прослеживаемая система динамической калибровочной системы датчика температуры переходной поверхности 206
9.1.3 Изучение экстраполированных методов для переходного сверхвысокого температурного тестирования 215
9.2 Система фотоэлектрического зондирования лазерного света и калибровка 216 216
9.2.2 Отделение лазерной занавески Target 220
9.2.3 Калибровка лазерной занавески Target 226
9.2.4 Расширение применения лазерных занавесков.
9.3 Другие системы фотоэлектрического зондирования 229
9.3.1 Нормализованный индекс растительности фотоэлектрического зондирования 229
9.3.2 Оптические характеристики компонентов передачи изображения волокна Компоненты фотоэлектрического зондирования 233
9.3.3 Система фотоэлектрического зондирования Параметры движения на основе PSD.
9.3.4*Параметры движения рельса Параметры фотоэлектрического зондирования 237
9.3.5 Чистое магниевое и магниевое сплавовое сплавовое сплаво
Вопросы по мышлению и вопросы расчета 241
*0 Новая технология и приложения фотоэлектрического зондирования 242
10.1 Оптоэлектронная технология тонкой пленки 242
10.1.1 Обзор фотоэлектрической технологии тонкой пленки 242
10.1.2 Производство фотоэлектрических пленок 247
10.1.3 Технические особенности оптоэлектронных тонких пленок 251
10.1.4 Применение фотоэлектрических тонких пленочных устройств 253
10.2 Optical MEMS, Moems255
10.2.1  Обзор устройства MEMS 255
10.2.2  Moems Device—— Комбинация MEMS и Light 255
10.2.3  Приложение Moems 256
10.3 Технология тестирования лазерных спекл 260
10.3.1 Математическое описание пятен 261
10.3.2 Метод измерения лазерных спекл 261
Применение 10.4 Terahertz Technology 264
10.4.1 Terahertz Plate Land и показывает 264
10.4.2  THZ Imaging Technology Application266
10.5 Технология оптического хранения 271
10.5.1 Обзор оптической памяти 271
10.5.2 Принцип работы оптической дисковой памяти 273
10.5.3 Ультра-высокая плотность технологии оптического хранения 276
10.6 Солнечная технология 278
10.6.1 Солнечный элемент 278
10.6.2 Типы солнечных элементов 278
10.6.3 Новая солнечная технология 279
10.6.4 Области применения 281
Упражнения и мысли 282
Ссылки 283
......   This book is based on the editor's years of research on photoelectric sensing technology and its application, combined with the editor's research results in the field of photoelectric sensing technology, and referring to the advanced progress of photoelectric sensing technology in recent years, it mainly talks about the basic theories involved in photoelectric sensing systems, optical (radiation) sources, photoconductive devices, junction optoelectronic devices, photoelectric emitting Устройства, фотоэлектрические устройства визуализации, устройства отображения плоской панели и типичные применения различных оптоэлектронных устройств, участвующих в системах фотоэлектрических зондирования. Книга богата содержанием и ясна в концепциях, которые могут направлять читателей правильно освоить основные принципы, методы использования и идеи проектирования и методы фотоэлектрических систем тестирования систем фотоэлектрического тестирования. Эта книга стремится предоставить основные теории, передовые передовые технологии и методы для студентов в области технологий измерения и контроля и инструментов, оптоэлектронной информационной науки и инженерной инженерии, электронного информационного инженера и аспирантов и техников инженеров по таким дисциплинам, как наука о инструментах, оптическая техника, информационная и коммуникационная инженерия.......   Хао Сяоцзян, профессор в Северном Центральном университете и член Китайского метрического и тестирования, в течение длительного времени занимался обучением и исследованиями фотоэлектрических инструментов и технологии динамического тестирования, собирал много учебников и получил награду за выдающиеся достижения для соответствующих учебников.