8 (905) 200-03-37 Владивосток
с 09:00 до 19:00
CHN - 1.14 руб. Сайт - 17.98 руб.

Приготовление фотоэлектрических кремниевых кристаллических материалов и технологии применения Цзия Тикун Монокристалл Кристаллический кремниевый кремниевый кремниевый кремниевый кремниевый кремниевый

Цена: 662руб.    (¥36.8)
Артикул: 625740866019

Вес товара: ~0.7 кг. Указан усредненный вес, который может отличаться от фактического. Не включен в цену, оплачивается при получении.

Этот товар на Таобао Описание товара
Продавец:鑫达图书专营店
Рейтинг:
Всего отзывов:0
Положительных:0
Добавить в корзину
Другие товары этого продавца
¥31.8572руб.
¥26.9484руб.
¥ 251 1753 147руб.
¥591 061руб.


Введение. JPG
Технология приготовления, представления и применения фотоэлектрических кремниевых кристаллических материалов вводит основные принципы, основные процессы оборудования и процесса монокристаллических кремния, полисиликоновых и солнечных элементов, охватывая большую часть цепочки фотоэлектрической отрасли, включающую теоретическую основу, связанную с материалами кремния, производство, производство, производство, производство, производство, производство, производство Процесс, производственное оборудование, методы тестирования и т. Д.Вся книга разделена на четыре части: ранжирование передней части прямой монокристаллической кремния;——Технология подготовки, представления и применения фотоэлектрических кремниевых кристаллических материалов «была совместно написана школьными профессиональными учителями и экспертами по предприятиям и внедрила теоретические знания и навыки эксплуатации, которые следует освоить с помощью кристаллического производства кремния, и составляли текущие практические знания на предприятии. в учебник. Занимается в фотоэлектрической промышленности и производителях кремния
Baby Directory.jpg
Оценка передней части прямой однокристаллической кремнии
Глава 1 Кристаллическая теория 2
1.1 Горячий поле и монокристалл рост 2
1.1.1 Энергетическая связь в системе роста кристаллов 2
1.1.2 Влияние горячего поля на рост монокристаллов 2
1.2 Образование кристаллического ядра и рост кристаллов 6
1.2.1 Образование кристаллического ядра 6
1.2.2 Выращивание кристаллов 9
1.3 Модель 11 -го интерфейса роста модель 11
1.4 Бетонный эффект 12
Упражнение 14

Глава 2 Приготовление монокристаллического кремния Мелвина в области 15
Введение в метод плавления площади 15
2.2 Процесс роста плавления монокристаллического кремния в области 17
2.3 Погружения кристаллического кремния Мелра в области 17
Упражнение 20

Глава 3 Приготовление прямого монокристаллического кремния 21
3.1 Прямое -монокристаллическое кремниевое сырые и вспомогательные материалы и основное оборудование 21
3.1.1 Сырые и вспомогательные материалы 21
3.1.2 Прямая однокачественная печь 28
3.1.3 Автоматическая кремниевая чистящая машина 35
3.2. Технология роста прямого кристаллического кремния прямого притяжения 36
3.2.1 Подготовка сырых и вспомогательных материалов 36
3.2.2 Процесс прямых монокристаллических силиколов 39
3.2.3 Расчет тяги, кривой температуры и скорости повышения 49
3.2.4 Аномальный и метод обработки 51
3.3 Другая технология прямой тяги 53
3.3.1 Магнитный управление технологией прямой тяги 53
3.3.2 Непрерывное напряжение технологии роста 54
3.3.3 Линейное покрытие технологии прямого тяги 54
3.4 Погружения прямых монокристаллических силиколов 55
3.4.1 Закон о распределении 55
3.4.2 Расчет количества допинга 55
Упражнение 60

Вторая часть литой полисиликона
Глава 4 Основная теория поликристаллического кремния. Clating Sinots 63
4.1
4.1.1 Ингредиенты слишком холодная теория 63
4.1.2 Теория динамики стабильности интерфейса (теория MS) 65
4.2 Прямое затвердевание Polysilicon 68
4.2.1 Технология укрепления плоскости 68
4.2.2 Морфология бетонного интерфейса 70
4.2.3 Управление размером зерна 71
Упражнение 72

Глава 5 Поликристаллическое литье кремния 73
5.1 Введение в поликристаллический кремниевый литой литье 73 Технология 73
5.2 Основные необработанные вспомогательные материалы и оборудование слитков 76
5.2.1 Сырая добавка 76
5.2.2 Основное оборудование 76
5.3 Поликристаллический кремниевый литой литой Процесс 79
5.3.1 8 Spray 80
5.3.2 Установка 82
5.3.3 Long Crystal Process 83
5.3.4 Слиты выпускаются 84
Упражнение 84

Глава 6 Примеси в поликристаллическом кремнии 85
6.1 Casting Polysilicon Oxygen 85
6.1.1 Распределение источников и концентрации кислорода 85
6.1.2 Состояние присутствия кислорода в полисиликоне 86
6.2 Лить углерода, азота и водорода 87 в полисиликоне в полисиликоне
6.2.1 Лить углерода в полисиликоне 87
6.2.2 Лить азот 88 в Polysilicon 88
6.2.3 Лить водорода в Polysilicon 89
6.3 Металлические примеси и поглотители в литовой полисиликоне 90
6.3.1 Примеси металла в Polysilicon 90
6.3.2 Контроль примеси металла 92
6.4 Дефекты в поликристаллическом кремнии 94
6.4.1 Кристаллическое царство Polysilicon 94
6.4.2 литье поликристаллического кремния элементарной 95
Упражнение 96

Часть III Силиконовая проверка обработка
Глава 7 Оригинальные вспомогательные материалы и основное оборудование 98 обработки кремниевой пластины
7.1 Сырые и вспомогательные материалы 98
7.1.1 Традиционная резка раствора для необработанных вспомогательных материалов 98
7.1.2 Кинг -Конг Линия 100
7.1.3 Химический реагент 103
7.1.4 Другие оригинальные вспомогательные материалы 106
7.2 Slip Main Device 108
7.2.1 Rolling, Kaifang Equipment 108
7.2.2 Оборудование для чистки 114
7.2.3 Оборудование для скольжения 115
Упражнение 116

ГЛАВА 8 КИЛИКОННАЯ ПРИВОДА ТЕХНОЛОГИЯ 117
8.1 Можно кристаллическая кремниевая пленка Craft 117
8.1.1 Отрезит 117
8.1.2 Rolling, Kai Fang 118
8.1.3 Слип 123
8.1.4 Дегидратация кремния, очистка 127
8.1.5 Проверка, сортировка и упаковка 138
8.2 Поликристаллический кремниевый процесс нарезки 146
8.3 Кремниевые коэффициенты качества резки груди 149
8.4 Новая технология резки 151
Упражнение 152

Глава 9 Период кремниевых материалов 153
9.1 Примечание кремния слиток 153
9.1.1 Инфракрасный детектив 153
9.1.2 Жизненный тест 154
9.1.3p/n тест 155
9.1.4 Тест на удельное сопротивление 157
9.2 Характеристики кремниевой пластины 160
9.2.1 Связанные кремниевые параметры пленки монокристалля 160
9.2.2 Тест параметра кремния.
9.3 Силиконовая пленка Автоматическая сортировочная машина 165
Упражнение 169

Часть 4 фотоэлектрическое применение кремниевых пластин—— Солнечная батарея
Глава 10 Основы физики солнечной электрики 171
10.1 Полупроводниковая физическая основа 171
10.1.1 Энергетическая структура 171
10.1.2 Световой поглощение и легкий комплекс полупроводника 174
10.1.3 Передача кредита 179
10.2 Основные принципы солнечной батареи 181
10.2.1p-n, 181
10.2.2 Оптический эффект Вольтера 185
10.2.3 Характерные параметры солнечных элементов 188
Упражнение 192

Глава 11 Подготовка солнечной батареи 193
11.1 Процесс подготовки солнечной батареи 193
11.1.1 Силиконовый Гетеви 194
11.1.2 Surface Velders 194
11.1.3 Диффузионный узел 204
11.1.4 Caiser and Decucuting Silicon Glass 215
11.1.5 Строительные отражения 219
11.1.6 Приготовление металлического электрода 220
11.2 Проверка и сортировка солнечных батарей 221
11.2.1 Сортировочная машина автоматическая сортировка 221
11.2.2 Исключение 224
11.2.3 Кремниевые пластины распространены.
11.3 Новая технология батареи с высокой эффективностью 229
11.3.1P-PERC и N-PERT Аккумулятор 229
11.3.2HIT Аккумулятор 231
11.3.3topcon Батарея 231
11.3.4ibc аккумулятор 232
Упражнение 234

Ссылки 236
Об авторе
никто