8 (905) 200-03-37 Владивосток
с 09:00 до 19:00
CHN - 1.14 руб. Сайт - 21.13 руб.

Приготовление фотоэлектрических кремниевых кристаллических материалов и технологии применения Цзия Тикун Монокристалл Кристаллический кремниевый кремниевый кремниевый кремниевый кремниевый кремниевый

Цена: 1 036руб.    (¥49)
Артикул: 625392083142

Вес товара: ~0.7 кг. Указан усредненный вес, который может отличаться от фактического. Не включен в цену, оплачивается при получении.

Этот товар на Таобао Описание товара
Продавец:读书新知图书专营店
Адрес:Цзянсу
Рейтинг:
Всего отзывов:0
Положительных:0
Добавить в корзину
Другие товары этого продавца
¥ 69 54.81 158руб.
¥ 120 501 057руб.
¥ 140 1022 156руб.
¥ 148 109.82 321руб.

Введение

Технология приготовления, представления и применения фотоэлектрических кремниевых кристаллических материалов вводит основные принципы, основные процессы оборудования и процесса монокристаллических кремния, полисиликоновых и солнечных элементов, охватывая большую часть цепочки фотоэлектрической отрасли, включающую теоретическую основу, связанную с материалами кремния, производство, производство, производство, производство, производство, производство, производство Процесс, производственное оборудование, методы тестирования и т. Д.Вся книга разделена на четыре части: ранжирование передней части прямой монокристаллической кремния;——Технология подготовки, представления и применения фотоэлектрических кремниевых кристаллических материалов «была совместно написана школьными профессиональными учителями и экспертами по предприятиям и внедрила теоретические знания и навыки эксплуатации, которые следует освоить с помощью кристаллического производства кремния, и составляли текущие практические знания на предприятии. в учебник. Занимается в фотоэлектрической промышленности и производителях кремния


Каталог

Оценка передней части прямой однокристаллической кремнии 

Глава 1 Кристаллическая теория 2 

1.1 Горячий поле и монокристалл рост 2 

1.1.1 Энергетическая связь в системе роста кристаллов 2 

1.1.2 Влияние горячего поля на рост монокристаллов 2 

1.2 Образование кристаллического ядра и рост кристаллов 6 

1.2.1 Образование кристаллического ядра 6 

1.2.2 Выращивание кристаллов 9 

1.3 Модель 11 -го интерфейса роста модель 11 

1.4 Бетонный эффект 12 

Упражнение 14 


Глава 2 Приготовление монокристаллического кремния Мелвина в области 15 

Введение в метод плавления площади 15 

2.2 Процесс роста плавления монокристаллического кремния в области 17 

2.3 Погружения кристаллического кремния Мелра в области 17 

Упражнение 20 


Глава 3 Приготовление прямого монокристаллического кремния 21 

3.1 Прямое -монокристаллическое кремниевое сырые и вспомогательные материалы и основное оборудование 21 

3.1.1 Сырые и вспомогательные материалы 21 

3.1.2 Прямая однокачественная печь 28 

3.1.3 Автоматическая кремниевая чистящая машина 35 

3.2. Технология роста прямого кристаллического кремния прямого притяжения 36 

3.2.1 Подготовка сырых и вспомогательных материалов 36 

3.2.2 Процесс прямых монокристаллических силиколов 39 

3.2.3 Расчет тяги, кривой температуры и скорости повышения 49 

3.2.4 Аномальный и метод обработки 51 

3.3 Другая технология прямой тяги 53 

3.3.1 Магнитный управление технологией прямой тяги 53 

3.3.2 Непрерывное напряжение технологии роста 54 

3.3.3 Линейное покрытие технологии прямого тяги 54 

3.4 Погружения прямых монокристаллических силиколов 55 

3.4.1 Закон о распределении 55 

3.4.2 Расчет количества допинга 55 

Упражнение 60 


Вторая часть литой полисиликона 

Глава 4 Основная теория поликристаллического кремния. Clating Sinots 63 

4.1 

4.1.1 Ингредиенты слишком холодная теория 63 

4.1.2 Теория динамики стабильности интерфейса (теория MS) 65 

4.2 Прямое затвердевание Polysilicon 68 

4.2.1 Технология укрепления плоскости 68 

4.2.2 Морфология бетонного интерфейса 70 

4.2.3 Управление размером зерна 71 

Упражнение 72 


Глава 5 Поликристаллическое литье кремния 73 

5.1 Введение в поликристаллический кремниевый литой литье 73 Технология 73 

5.2 Основные необработанные вспомогательные материалы и оборудование слитков 76 

5.2.1 Сырая добавка 76 

5.2.2 Основное оборудование 76 

5.3 Поликристаллический кремниевый литой литой Процесс 79 

5.3.1 8 Spray 80 

5.3.2 Установка 82 

5.3.3 Long Crystal Process 83 

5.3.4 Слиты выпускаются 84 

Упражнение 84 


Глава 6 Примеси в поликристаллическом кремнии 85 

6.1 Casting Polysilicon Oxygen 85 

6.1.1 Распределение источников и концентрации кислорода 85 

6.1.2 Состояние присутствия кислорода в полисиликоне 86 

6.2 Лить углерода, азота и водорода 87 в полисиликоне в полисиликоне 

6.2.1 Лить углерода в полисиликоне 87 

6.2.2 Лить азот 88 в Polysilicon 88 

6.2.3 Лить водорода в Polysilicon 89 

6.3 Металлические примеси и поглотители в литовой полисиликоне 90 

6.3.1 Примеси металла в Polysilicon 90 

6.3.2 Контроль примеси металла 92 

6.4 Дефекты в поликристаллическом кремнии 94 

6.4.1 Кристаллическое царство Polysilicon 94 

6.4.2 литье поликристаллического кремния элементарной 95 

Упражнение 96 


Часть III Силиконовая проверка обработка 

Глава 7 Оригинальные вспомогательные материалы и основное оборудование 98 обработки кремниевой пластины 

7.1 Сырые и вспомогательные материалы 98 

7.1.1 Традиционная резка раствора для необработанных вспомогательных материалов 98 

7.1.2 Кинг -Конг Линия 100 

7.1.3 Химический реагент 103 

7.1.4 Другие оригинальные вспомогательные материалы 106 

7.2 Slip Main Device 108 

7.2.1 Rolling, Kaifang Equipment 108 

7.2.2 Оборудование для чистки 114 

7.2.3 Оборудование для скольжения 115 

Упражнение 116 


ГЛАВА 8 КИЛИКОННАЯ ПРИВОДА ТЕХНОЛОГИЯ 117 

8.1 Можно кристаллическая кремниевая пленка Craft 117 

8.1.1 Отрезит 117 

8.1.2 Rolling, Kai Fang 118 

8.1.3 Слип 123 

8.1.4 Дегидратация кремния, очистка 127 

8.1.5 Проверка, сортировка и упаковка 138 

8.2 Поликристаллический кремниевый процесс нарезки 146 

8.3 Кремниевые коэффициенты качества резки груди 149 

8.4 Новая технология резки 151 

Упражнение 152 


Глава 9 Период кремниевых материалов 153 

9.1 Примечание кремния слиток 153 

9.1.1 Инфракрасный детектив 153 

9.1.2 Жизненный тест 154 

9.1.3p/n тест 155 

9.1.4 Тест на удельное сопротивление 157 

9.2 Характеристики кремниевой пластины 160 

9.2.1 Связанные кремниевые параметры пленки монокристалля 160 

9.2.2 Тест параметра кремния. 

9.3 Силиконовая пленка Автоматическая сортировочная машина 165 

Упражнение 169 


Часть 4 фотоэлектрическое применение кремниевых пластин—— Солнечная батарея 

Глава 10 Основы физики солнечной электрики 171 

10.1 Полупроводниковая физическая основа 171 

10.1.1 Энергетическая структура 171 

10.1.2 Световой поглощение и легкий комплекс полупроводника 174 

10.1.3 Передача кредита 179 

10.2 Основные принципы солнечной батареи 181 

10.2.1p-n, 181 

10.2.2 Оптический эффект Вольтера 185 

10.2.3 Характерные параметры солнечных элементов 188 

Упражнение 192 


Глава 11 Подготовка солнечной батареи 193 

11.1 Процесс подготовки солнечной батареи 193 

11.1.1 Силиконовый Гетеви 194 

11.1.2 Surface Velders 194 

11.1.3 Диффузионный узел 204 

11.1.4 Caiser and Decucuting Silicon Glass 215 

11.1.5 Строительные отражения 219 

11.1.6 Приготовление металлического электрода 220 

11.2 Проверка и сортировка солнечных батарей 221 

11.2.1 Сортировочная машина автоматическая сортировка 221 

11.2.2 Исключение 224 

11.2.3 Кремниевые пластины распространены. 

11.3 Новая технология батареи с высокой эффективностью 229 

11.3.1P-PERC и N-PERT Аккумулятор 229 

11.3.2HIT Аккумулятор 231 

11.3.3topcon Батарея 231 

11.3.4ibc аккумулятор 232 

Упражнение 234 


Ссылки 236