Адсорбционные характеристики двухмерных соединений 琚 琚 gongwei в области низкоразмерных материалов относятся к приготовлению двухмерных материалов MOS2 и INSE, основанных на низкомерных материалах электронных устройств
Вес товара: ~0.7 кг. Указан усредненный вес, который может отличаться от фактического. Не включен в цену, оплачивается при получении.
Описание товара
наименование товара: | Добавление характеристик двухмерных соединений |
Название книги маркетинга: | Ссылка научного и технического персонала в области низкоразмерных материалов |
Автор: | 琚 琚 琚 |
Цены: | 48.00 |
ISBN: | 978-7-122-35272-9 |
Ключевые слова: | Два -мерные соединения; |
масса: | 186 грамм |
Издательство: | Химическая промышленность пресса |
формат: | 16 | Фрагментация: | плоский |
Опубликованная дата: | Январь 2020 года | Версия: | 1 |
номер страницы: | 106 | Индийский: | 1 |
Методы регулирования, такие как адсорбция, допинг и дефекты, систематически влияют на влияние двухмерных материалов MOS2 и INSE.
Эта книга написана на основе электронной структуры, магнитных характеристик и фазовых изменений двухмерных составных материалов в последние годы.Книга разделена на семь глав.Глава 3 представляет влияние адсорбции кластера Au на неразрывные и дефекты структуры MOS2 с одним слоем и электронных свойств. на однослойных электрических и магнитных свойствах.
Эта книга может быть использована для справки для научных и технологических работников в области низкоразмерных материалов, а также может использоваться в качестве справочника для студентов и аспирантов в связанных специалистах в колледжах и университетах.
南 Wei Wei, Университет науки и техники Хэнана, доцент, доктор, инструктор по магистратуру, цель молодых преподавателей в провинции Хэнань, Университет науки и технологии Энана, объекты обучения академического лидера молодежного лидера.В декабре 2012 года он окончил специализацию по физике консолидации Университета Фудана, в основном занимаясь изучением электронных структур и спин -орбитационных связей низких наноматериалов и оксидных систем.Он организовал три национальных фонда естественных наук и недавно опубликовал более 20 статей в Phys.С точки зрения преподавания, третья премия Национальной группы педагогического образования, преподавая группу высшего образования, вторую премию конкурса обучения в провинции Хэнань и второй приз в микроаллере группы высшего уровня в высшем образовании Henan High -Catuality.
Глава 1 Введение/ 001
1.1 ОДИН -Layer Molybdenum (MOS2) Прогресс исследования/ 001
1.1.1 Графен/ 001
1.1.2 Molybdenum (MOS2)/ 002
1.1.3 Одно -слойное исследование Defect Adsortion Defect Defect Research/ 005
1.2 Исследование прогресса однораздельного несколько слоев (INSE)/ 007
1.2.1 дюйм введение/ 007
1.2.2 -дюймовая электронная структура и природа/ 008
Ссылки/ 009
Глава 2 Теоретический метод/ 015
2.1 Три основных приближения теории/ 015
2.1.1 Тепловое нагревание аналогично/ 016
2.1.2 ОДНОГО ЭЛЕКТРОНА приблизительно (теория общей плотности)/ 017
2.1.3. КИГОЛОГИЧЕСКОЕ ПОЛЕДНАЯ ПОЛЕДНАЯ ПРЕДЛОЖЕНИЯ (Теорема Блоха)/ 020
2.2 Обработка потенциальной и волновой функции/ 021
2.2.1 Метод плоской волны/ 022
2.2.2 Атомная трека Linear Group Legal/ 023
2.2.3 Методы/ 024
2.2.4 Проекция плюс метод волны/ 025
2,3kohn-sham уравнение самосогласованное решение/ 026
Ссылки/ 027
Глава 3 Адсорбция кластера AU о влиянии нереактивной и дефектной структуры MOS2 и электронных свойств/ 029.
3.1 Обзор/ 030
3.2 Модель расчета и метод/ 031
3.3 Структура и электронные свойства/ 033
3.3.1.
3.3.2AU кластер адсорбции на одной вакансии Mos2/ 038
3.3.3AU кластер адсорбции при обратном дефекте MOS2/ 043
Ссылки/ 047
Глава 4 Влияние обратных дефектов на электронику и магнитные свойства MOS2 MOS2/ 051/051
4.1 Обзор/ 051
4.2 Метод расчета и модель/ 052
4.3 Электронная и магнитная природа/ 054
4.3.1 Электронные свойства обратного дефекта MOS2/ 054
4.3.23d Влияние электроники и магнитных свойств анти -позиционного дефекта MOS2 в атом переходного металла/ 056
Ссылки/ 060
Глава 5 Несметальная атомная адсорбция на влияние магнитных свойств MOS2 дефекта/ 063/063
5.1 Обзор/ 063
5.2 Модель расчета и метод/ 064
5.3 Положение адсорбции и магнитная природа/ 065
5.3.1 Положение адсорбции не металлического атома/ 065
5.3.2 Влияние не металлической адсорбции атома на магнитологию MOS2 и электронные свойства/ 066
Ссылки/ 071
Глава 6 Влияние 3D -переходного атомного адсорбции металлов на однопроизводительную INSE Electrical и Magneties/ 074
6.1 Обзор/ 074
6.2 Модель расчета и метод/ 076
6.3 Стабильность, электрическая и магнитная природа/ 077
6.3.1 Геометрическая структура и стабильность/ 077
6.3.2 Электронная структура/ 079
6.3.3 Магнитный/ 079
6.3.4 Структура энергии/ 084
Ссылки/ 087
Глава 7 Влияние малой молекулярной адсорбции на однопроизводительные электрические и магнитные свойства/ 091/091
7.1 Обзор/ 091
7.2 Модель расчета и метод/ 093
7.3 Влияние адсорбции на электрические и магнитные свойства/ 094
7.3.1co Адсорбция/ 094
7.3.2H2O Адсорбция/ 096
7.3.3NH3 Адсорбция/ 097
7.3.4n2 Адсорбция/ 098
7.3.5NO2 Адсорбция/ 099
7.3.6 Не адсорбция/ 101
7.3.7O2 Адсорбция/ 102
Ссылки/ 103
никто