Устойчивость к напряжению металла и MDASH;
Вес товара: ~0.7 кг. Указан усредненный вес, который может отличаться от фактического. Не включен в цену, оплачивается при получении.
Описание товара
Эта книга“ тринадцатый пять -летний план”Это национальный ключевой проект планирования публикации книги, а также превосходная научная и технологическая книга, к которой наш издатель экспортирует авторские права (иностранным партнером является издательская компания Wiley в Соединенных Штатах).
Эта книга может читать и ссылаться на инженерный и технический персонал из университетов и исследовательских институтов, учителей и студентов, таких как электротехника, микроэлектроника и материалы, а также инженерный и технический персонал в таких отраслях, как передача электроэнергии, производство электрического оборудования.
1 Введение в варисторную керамику 1
1.1 ZnOVaristors 1
1.2 FabricationofZnOVaristors 3
1.2.1 PreparationofRawMaterials 4
1.2.2 SinteringofZnOVaristors 5
1.3 Microstructure 6
1.4 TypicalParametersofZnOVaristors 7
1.5 HistoryofZnOVaristors 9
1.6 ApplicationsofZnOVaristors 12
1.7 AlternativeVaristorCeramics 17
1.8 Ceramic–PolymerCompositeВаристоры 18 Справочные материалы 22
2 Механизмы проводимости варисторов ZnO 31
2.1 Introduction 31
2.2 Основные понятия в физике твердого тела 33
2.2.1 Атомная энергияLevelandEnergyBandofCrystal 33
2.2.2 Металл, полупроводник и изолятор 35
2.2.3 CharacteristicsofFermi–DiracFunction 37
2.2.4 ImpurityandDefectEnergyLevel 38
2.3 EnergyBandСтруктураfaZnOВаристор 39
2.3.1 EnergyBandStructureofaZnOGrain 39
2.3.2 DSBofaZnOVaristor 40
2.3.3 MicroscopicOriginofDSB 41
2.3.4 Asymmetric I–V CharacteristicsoftheDSB 43
2.4 Механизм проводимостиФАЦНОВаристор 45
2.4.1 ConductionModelBasedonThermionicEmissionProcess 46
2.4.2 MinorityCarrierGenerationProcess 49
2.4.3 TheBypassE?ectModel 51
2.5 Диэлектрические характеристикидивана ZnOВаристор 51
2.5.1&Пояснения к Диэлектрическим свойствам варистора ZnO 52
2.5.2&Эффект межфазного заряда, релаксация на проводимость, поведение ZnO-варисторов при изменяющихся во времени электрических полях 54
2.5.3 Определение высоты барьера и связанных с ним параметров 58
2.5.4 Определение уровня глубокого донора в варисторе ZnO 59
2.5.5 Определение проводимости зерна и границы зерна 60 Справочная информация 62
3 Настройка электрических характеристик варисторов ZnO 67
3.1 Introduction 67
3.2 Liquid-PhaseFabrication 68
3.2.1 MicrostructureofZnOVaristor 68
3.2.2 PolymorphofBismuthOxide 71
3.2.3 In?uenceofBi2O3Concentration 72
3.2.4 VolatilizationofBismuthOxide 72
3.3 PreparingandSinteringTechniques 74
3.3.1 Fabrication 74
3.3.2 FabricationStages 75
3.3.3 E?ectofPores 76
3.4 RoleofOxygenattheGrainBoundary 78
3.5 DopantE?ects 79
3.5.1 E?ectsofAdditives 79
3.5.2 DonorDopants 82
3.5.3 AcceptorDopants 86
3.5.4 AmphotericDopants 87
3.5.4.1 MonovalentDopants 88
3.5.4.2 TrivalentDopants 89
3.5.5 E?ectsofRareEarthOxides 92
3.5.6 DopantsforImprovingtheStability 93
3.5.7 Доказательства наличия HydrogenasaShallowDonor 95
3.6 RoleofInversionBoundaries 95
3.7 HighVoltageGradientZnOVaristor 98
3.8 LowResidualVoltageZnOVaristor 101
3.8.1 ResidualVoltageRatio 101
3.8.2 LowResidualVoltageZnOВаристоры с легированием Al 103
3.8.3 LowResidualVoltageZnOВаристоры с легированием Ga 106
3.8.4 LowResidualVoltageZnOVваристоры с градиентом высокого напряжения 108 Каталожные номера 110
4 Микроструктурные электрические характеристики варисторов ZnO 125
4.1 Introduction 125
4.2 MethodstoDetermineGrainBoundaryParameters 126
4.2.1 TheIndirectMethod 126
4.2.2 TheDirectMicrocontactMethods 126
4.3 Статистические характеристики зерна, Параметры границы 129
4.3.1 NonuniformityofBarrierVoltages 129
4.3.2 DistributionofBarrierVoltage 131
4.3.3 DistributionofN
Introduction of Varistor Ceramics
Варистор из оксида цинка (ZnO), который представляет собой разновидность поликристаллической полупроводниковой керамики, состоящей из нескольких оксидов металлов и спеченной с использованием традиционной керамической технологии, представляет собой коммутационное устройство, зависящее от напряжения, которое демонстрирует очень неомический ток.– вольтовые характеристики выше напряжения пробоя. Представлены основные сведения о варисторах ZnO, включая изготовление, микроструктуру и типичные электрические параметры.&Сообщается о полимерных композитных варисторах с более низким напряжением пробоя, включающих варисторные частицы, такие как полупроводниковые частицы, комбинацию металлических и полупроводниковых частиц, а также микроваристоры ZnO в полимерной матрице. Теперь доступны варисторы, которые могут защищать цепи в очень широком диапазоне напряжений, от нескольких вольт для низковольтных варисторов в полупроводниковых схемах. до 1000 кВА и&плюс1100кВ постоянного тока в сетях передачи и распределения электроэнергии. Соответственно, они также могут выдерживать огромный диапазон энергий — от нескольких джоулей до многих мегаджоулей.
1.1 ZnO Varistors
Варистор – это электронный компонент, имеющий“diode-like” nonlinear current&ндаш; характеристика напряжения, представляющая собой чемодан переменного резистора [1]. Функционально варисторы эквивалентны встречным стабилитронам и обычно используются параллельно цепям для защиты от чрезмерных переходных напряжений таким образом, что при срабатывании они шунтируют ток, создаваемый высоким напряжением, от чувствительных компонентов.
Наиболее распространенным типом варисторов является металлооксидный варистор (MOV), который содержит керамическую массу зерен ZnO в матрице из оксидов других металлов, таких как небольшие количества висмута, кобальта и марганца, зажатых между двумя металлическими электродами. Граница между каждым зерном и его соседом контролирует ток в соответствии с приложенным напряжением и позволяет току течь в двух направлениях. Масса случайно ориентированных зерен электрически эквивалентна сети встречных диодных пар, каждая пара которых параллельна многим другим парам.’sфункции для проведения значительного увеличения тока при чрезмерном напряжении. Только неомические переменные резисторы обычно называются варисторами[1].
При нормальном использовании варистор подвергается воздействию напряжения ниже характерного напряжения пробоя и пропускает лишь незначительный ток утечки. Когда напряжение превышает напряжение пробоя, варистор становится высокопроводящим и пропускает через него большой ток, обычно на землю. Когда напряжение возвращается в нормальное состояние, варистор возвращается в свое высокоомное состояние [2]. Результатом такого поведения является сильно нелинейный ток.–voltage characteristic [3–5], в котором MOV имеет высокое сопротивление при низких напряжениях и низкое сопротивление при высоких напряжениях; обычно удельное сопротивление варистора ZnO превышает 1010&Омега; см ниже напряжения пробоя, тогда как выше напряжения пробоя оно менее чем на несколько ом-сантиметров [6]. Переключатель является реверсивным с небольшим гистерезисом или без него, хотя его характеристики могут ухудшаться под действием электрической нагрузки [2]. Варистор остается непроводящим как устройство с шунтирующим режимом во время нормальной работы, когда напряжение на нем остается значительно ниже его.“clampingvoltage&Таким образом, варисторы обычно используются для подавления скачков напряжения в сети. Однако варистор может оказаться не в состоянии успешно ограничить очень большие скачки напряжения в результате такого события, как удар молнии, когда задействованная энергия на несколько порядков превышает ту, которую можно выдержать. Протекающий ток, возникающий в результате удара, может генерировать чрезмерный ток, который полностью разрушает варистор [1].
Варисторы ZnO представляют собой коммутационные устройства, зависящие от напряжения, которые имеют сильно неомический ток.–voltage (I–V) характеристики выше напряжения пробоя. Неомическое Я–V характеристики обычно выражаются логарифмически, как показано на рис.
Напряжение оксида металла -чувствительное сопротивление является ключевым устройством защиты для питания и электронных систем, которое непосредственно определяет безопасность и надежность работы системы.Эта книга систематически вводит фундаментальные исследования, процессы подготовки, регуляцию эффективности и прогресс применения устойчивости к оксиде цинка, включая механизм проводимости и старения, микро -структурированные электрические характеристики, тестирование микроструктуры и анализ моделирования микроструктуры, высокий градиент низкий уровень окисления давления в исследование Продюсе Давление -чувствительная керамика, оксид титана и оксид олова и т. Д. Вызывает корреляцию между характеристиками микроэффективных характеристик устойчивости, чувствительных к давлению, и макро -характеристик.Эта книга может читать и ссылаться на инженерный и технический персонал из университетов и исследовательских институтов, учителей и студентов, таких как электротехника, микроэлектроника и материалы, а также инженерный и технический персонал в таких отраслях, как передача электроэнергии, производство электрического оборудования.
......Профессор Хин Джинлян получил докторскую степень в университете Цинхуа в 1994 году.В апреле 1994 года он начал преподавать на факультете электротехники Университета Цинхуа и был назначен профессором в 2001 году.С 1997 по 1998 год он посетил ученых для Департамента электрических материалов в Институте электрических исследований.В настоящее время он является директором Исследовательского института высокого напряжения в университете Цинхуа. электрические системы.
Профессор He Jinliang опубликовал более 130 статей в знаменитых международных журналах, опубликовал более 150 статей в китайских основных журналах, опубликовал более 150 статей на важных международных конференциях и сотрудничал с 6 монографиями и учебниками.Получив вторую премию Национального изобретения, 12 провинциальных и министерских научных и технологических наград.
В 2007 году он был оценен как IEEE Aliate за выдающиеся достижения в области молниеносной и заземляющей технологии в системе передачи электроэнергии.В 2010 году Общество совместимости IEEEE“Награда за технические достижения”, получил награду Общества электромагнитной совместимости IEEE в 2011 г.“Свидетельство о признании”.
Профессор Хэ Цзиньлян выиграл Национальный фонд выдающейся молодежи в 2004 году и был назначен&Ldquo;”.
Доктор Ху Джун получил степень бакалавра, степень магистра и докторскую степень в университете Цинхуа в 1998, 2000 и 2000 годах.В 2008 году он начал участвовать в пост -докторских исследованиях в университете Цинхуа