Устойчивость к чувствительности давления оксида металла от микро -структуры к макро -характеристикам.
Вес товара: ~0.7 кг. Указан усредненный вес, который может отличаться от фактического. Не включен в цену, оплачивается при получении.
Описание товара
D4
Напряжение оксида металла -чувствительное сопротивление является ключевым устройством защиты для питания и электронных систем, которое непосредственно определяет безопасность и надежность работы системы.Эта книга систематически вводит фундаментальные исследования, процессы подготовки, регуляцию эффективности и прогресс применения устойчивости к оксиде цинка, включая механизм проводимости и старения, микро -структурированные электрические характеристики, тестирование микроструктуры и анализ моделирования микроструктуры, высокий градиент низкий уровень окисления давления в исследование Продюсе Давление -чувствительная керамика, оксид титана и оксид олова и т. Д. Вызывает корреляцию между характеристиками микроэффективных характеристик устойчивости, чувствительных к давлению, и макро -характеристик.Эта книга может читать и ссылаться на инженерный и технический персонал из университетов и исследовательских институтов, учителей и студентов, таких как электротехника, микроэлектроника и материалы, а также инженерный и технический персонал в таких отраслях, как передача электроэнергии, производство электрического оборудования.
1 Introduction of Varistor Ceramics 1
1.1 ZnOVaristors 1
1.2 FabricationofZnOVaristors 3
1.2.1 PreparationofRawMaterials 4
1.2.2 SinteringofZnOVaristors 5
1.3 Microstructure 6
1.4 TypicalParametersofZnOVaristors 7
1.5 HistoryofZnOVaristors 9
1.6 ApplicationsofZnOVaristors 12
1.7 AlternativeVaristorCeramics 17
1.8 Ceramic–PolymerCompositeVaristors 18 References 22
2 Conduction Mechanisms of ZnO Varistors 31
2.1 Introduction 31
2.2 BasicConceptsinSolid-StatePhysics 33
2.2.1  33
2.2.2 Metal,Semiconductor,andInsulator 35
2.2.3 CharacteristicsofFermi–DiracFunction 37
2.2.4 ImpurityandDefectEnergyLevel 38
2.3 EnergyBandStructureofaZnOVaristor 39
2.3.1 EnergyBandStructureofaZnOGrain 39
2.3.2 DSBofaZnOVaristor 40
2.3.3 MicroscopicOriginofDSB 41
2.3.4 Asymmetric I–V CharacteristicsoftheDSB 43
2.4 ConductionMechanismofaZnOVaristor 45
2.4.1  46
2.4.2 MinorityCarrierGenerationProcess 49
2.4.3 TheBypassE?ectModel 51
2.5  51
2.5.1  52
2.5.2  54
2.5.3  58
2.5.4  59
2.5.5  60 References 62
3 Tuning Electrical Characteristics of ZnO Varistors 67
3.1 Introduction 67
3.2 Liquid-PhaseFabrication 68
3.2.1 MicrostructureofZnOVaristor 68
3.2.2 PolymorphofBismuthOxide 71
3.2.3 In?uenceofBi2O3Concentration 72
3.2.4 VolatilizationofBismuthOxide 72
3.3 PreparingandSinteringTechniques 74
3.3.1 Fabrication 74
3.3.2 FabricationStages 75
3.3.3 E?ectofPores 76
3.4 RoleofOxygenattheGrainBoundary 78
3.5 DopantE?ects 79
3.5.1 E?ectsofAdditives 79
3.5.2 DonorDopants 82
3.5.3 AcceptorDopants 86
3.5.4 AmphotericDopants 87
3.5.4.1 MonovalentDopants 88
3.5.4.2 TrivalentDopants 89
3.5.5 E?ectsofRareEarthOxides 92
3.5.6 DopantsforImprovingtheStability 93
3.5.7  95
3.6 RoleofInversionBoundaries 95
3.7 HighVoltageGradientZnOVaristor 98
3.8 LowResidualVoltageZnOVaristor 101
3.8.1 ResidualVoltageRatio 101
3.8.2  103
3.8.3  106
3.8.4  108 References 110
4 Microstructural Electrical Characteristics of ZnO Varistors 125
4.1 Introduction 125
4.2  126
4.2.1 TheIndirectMethod 126
4.2.2 TheDirectMicrocontactMethods 126
4.3  129
4.3.1 NonuniformityofBarrierVoltages 129
4.3.2 DistributionofBarrierVoltage 131
4.3.3 DistributionofNonlinearCoe?cient 132
Contents
4.3.4  133
4.3.5  133
4.4 Classi?cationofGrainBoundaries 134
4.5  137
4.5.1  137
4.5.2  Surface 139
4.5.3  141
4.5.4 CurrentImagesinSEM 141
4.6  142
4.6.1 ThinFilmApproach 143
4.6.2 SurfaceIn-Di?usionApproach 143
4.6.3 BicrystalApproach 143 References 145
5 Simulation on Varistor Ceramics 149
5.1 Introduction 149
5.2 GrainBoundaryModel 151
5.2.1 I–V CharacteristicModelofGrainBoundary 151
5.2.2  154
5.3 SimulationModelof I–V Characteristics 159
5.3.1 Simple2DSimulationModel 159
5.3.2  161
5.3.3 ConsiderationonPoresandSpinels 164
5.3.4 AlgorithmtoSolveEquivalentCircuit 165
5.3.5 ModelVeri?cation 169
5.4  170
5.4.1 ThermalConductionAnalysis 171
5.4.2 Pulse-InducedFractureAnalysis 173
5.5 SimulationsonDi?erentPhenomena 174
5.5.1  174
5.5.2  175
5.5.3  179
5.5.3.1 In?uenceofZnOGrainParameters 180
5.5.3.2 In?uenceofGrainBoundaryParameters 183
5.5.4  186 References 188
6 Breakdown Mechanism and Energy Absorption Capability of ZnO Varistor 193
6.1 Introduction 193
6.2 ImpulseFailureModesofZnOVaristors 194
6.3  197
6.3.1 MechanismsofPunctureFailure 197
6.3.2 MechanismofFractureFailure 201
6.4  204
6.4.1 PunctureDestructionSimulation 204
6.4.1.1  206
6.4.2  208
6.5 Thermal Runaway 209
6.5.1 PowerLossofZnOVaristor 210
6.5.2 ThermalRunawayMechanism 210
6.5.3  213
6.6  213
6.6.1  213
6.6.2  216
6.6.3  217
6.7  218
6.7.1 In?uenceoftheAppliedCurrent 218
6.7.2  221
6.7.3  221
6.8  225
6.8.1  225
6.8.2  226
6.8.3  228
6.8.4  229
6.8.5  230 References 230
7 Electrical Degradation of ZnO Varistors 235
7.1 Introduction 235
7.2  237
7.2.1  237
7.2.2 DegradationofGrainBoundary 242
7.2.3 PulseDegradationCharacteristics 245
7.2.4  247
7.3  249
7.3.1 GrainBoundaryDefectModel 249
7.3.2 ExperimentalProofofIonMigration 251
7.3.3 Identi?cationofDominantMobileIons 252
7.3.4 Three-DimensionalExtension 256
7.4  257
7.4.1 DCDegradationMechanism 258
7.4.2 ACDegradationMechanism 258
7.4.3 NonuniformDegradationMechanism 260
7.4.4 PulseDegradationofZnOVaristors 262
7.4.4.1  263
7.4.4.2 SuperimposingDegradation 264
7.5  266
7.6 AntidegradationMeasures 267
7.6.1 Speci?cPreparationProcedures 268
7.6.2 OptimizationofFormula 269
Contents
7.6.2.1  270
7.6.2.2  271 References 272
8  ZnO Varistor Systems 281
8.1 PraseodymiumSystem 281
8.1.1 DopingE?ects 281
8.1.2 E?ectofSinteringProcesses 285
8.1.3 High-VoltageApplications 288
8.1.4 Low-VoltageApplications 288
8.2 VanadiumSystem 289
8.2.1 DopingE?ects 290
8.2.2 ElectricalCharacteristics 291
8.2.3 MicrostructuralCharacteristics 292
8.2.4  294
8.3 BariumSystem 295
8.3.1  295
8.3.2 MicrostructuralCharacteristics 296
8.3.3 ImprovingStabilityAgainstMoisture 298
8.4 ZnO–GlassVaristor 298 References 300
9 Fabrications of Low-Voltage ZnO Varistors 307
9.1 Introduction 307
9.2  308
9.3  309
9.3.1 Gas-PhaseProcessingMethods 309
9.3.2 CombustionSynthesis 311
9.3.3 Sol–GelMethods 311
9.3.4 Solution-CoatingMethod 315
9.4 Nano?llersinZnOVaristorCeramics 320
9.5  321
9.5.1 Step-sinteringApproach 321
9.5.2 MicrowaveSinteringMethod 322
9.5.3 SparkPlasmaSinteringTechnique 324 References 327
10 Titanium-Based Dual-function Varistor Ceramics 335
10.1 SrTiO3 Varistors 335
10.1.1 Introduction 335
10.1.2 MicrostructureofSrTiO3Varistors 336
10.1.3 PreparationofSrTiO3Varistors 336
10.1.4 PerformanceofSrTiO3 338
10.1.5 ConductionMechanismofSrTiO3 339
10.2 TiO2-BasedVaristors 341
10.2.1 Introduction 341
10.2.2 PreparationofTiO2-BasedVaristors 342
10.2.3 MechanismofTiO2Capacitor–VaristorCeramics 342
10.2.4 DopingofTiO2-BasedVaristors 343
10.2.4.1 Acceptor-DopedTiO2-BasedVaristors 343
10.2.4.2 Donor-DopedTiO2-BasedVaristors 344
10.2.4.3  345
10.2.4.4  347
10.2.5 DevelopmentofTiO2-BasedVaristors 348
10.3 CaCu3Ti4O12 Ceramics 348
10.3.1 Introduction 348
10.3.2 StructureofCCTO 349
10.3.2.1 CrystalStructure 349
10.3.2.2 PhaseandMicrostructure 350
10.3.3 PerformancesofCCTOCeramics 352
10.3.3.1 NonohmicCurrent–VoltageCharacteristic 352
10.3.3.2 ColossalPermittivity 354
10.3.3.3 DielectricLoss 357
10.3.4 Mechanism 358
10.3.4.1 IBLCModel 358
10.3.4.2 ConductingMechanism 362
10.3.4.3 PolarizationMechanismofGrains 364
10.3.4.4 APolaronicStackingFaultDefectModel 365
10.3.5 RoleofDopants 366
10.3.5.1 RoleofDopingCuO 366
10.3.5.2  368
10.4 BaTiO3VaristorsofPTCRE?ect 375
10.4.1 Introduction 375
10.4.2 DopingE?ects 377
10.4.3 PreparationofBaTiO3Ceramics 379
10.4.4 PTCRE?ectofBaTiO3Ceramics 381
10.4.5  384 References 386
11 Tin Oxide Varistor Ceramics of High Thermal Conductivity 407
11.1 PreparationofSnO2-BasedVaristors 407
11.2  410
11.3 MechanismofSnO2-BasedVaristors 414
11.3.1  414
11.3.2 AtomicDefectModel 415
11.3.3 AdmittanceSpectroscopyAnalysis 417
11.3.4 Capacitance–VoltageAnalysis 420
11.3.5 E?ectofThermalTreatment 421
11.4  423
11.4.1  423
11.4.2 AcceptorDoping 424
Contents
11.4.3 DonorDoping 427
11.5 ThermalPerformances 429
11.6 DegradationBehaviors 431
11.7 DevelopmentofSnO2-BasedVaristors 432 References 434
12 WO3-Based Varistor Ceramics of Low Breakdown Voltage 441
12.1 Introduction 441
12.2 TungstenOxide 442
12.3 PreparationofWO3-BasedVaristors 444
12.4 ElectricalPerformances 446
12.5 ImprovingtheElectricalStability 448
12.6  449
12.7 DopingE?ects 452
12.7.1 TheAdditionofRareEarthOxides 452
12.7.2 TheAdditionofCuO 453
12.7.3 TheAdditionofAl2O3 454
12.7.4 TheAdditionofTiO2 455
12.7.5 TheAdditionofOtherAdditives 455 References 456
Index 461