8 (905) 200-03-37 Владивосток
с 09:00 до 19:00
CHN - 1.14 руб. Сайт - 21.13 руб.

Материалы для пленки и кинотехнологии Zheng Weitao -лучший метод отложения метода подготовки к вакууме в вакууме.

Цена: 803руб.    (¥38)
Артикул: 599970160553

Вес товара: ~0.7 кг. Указан усредненный вес, который может отличаться от фактического. Не включен в цену, оплачивается при получении.

Этот товар на Таобао Описание товара
Продавец:正苑图书专营店
Адрес:Цзянсу
Рейтинг:
Всего отзывов:0
Положительных:0
Добавить в корзину
Другие товары этого продавца
¥26550руб.
¥ 143 109.22 308руб.
¥ 254 190.54 026руб.
¥ 68 50.81 074руб.

Основная информация

Название: кинотехники и кинотехнологии

Цена: 38,00 Юань

Автор: Zheng Weitao отредактировано

Издательство: Chemical Industry Press

Дата публикации: 2008-01-01

ISBN: 9787122013149

Количество слов:

Номер страницы:

Издание:

Переплет: мягкая обложка

Открыто: 16

Товарный вес:

Краткое содержание


В этой книге систематически описываются основные принципы и базовые знания о тонкоплентных материалах и технологии пленки, а также фокусируются на внедрении технологии вакуумной подготовки из тонких пленок, химической подготовке пленки и формировании тонкого осаждения, принципах пленки и роста, и характеристики фильма.
Эта книга имеет передовые технологии и практическое содержание.

об авторе


Похожего контента пока нет

Оглавление


Глава вакуумных технологий
Основные знания вакуумного вакуума
1. Единица, представляющая уровни вакуума
Во -вторых, разделение вакуумной зоны
В -третьих, твердое вещество для адсорбции газа и поразительного газа
Раздел 2 Vacuum Get
1. вакуумный насос с перекрестным типом
Во -вторых, композитный молекулярный насос
В -третьих, низкотемпературный насос
Раздел 3 измерения вакуума
1. Вакуумный счетчик сопротивления
Во -вторых, горячий кукольный вакуум
В -третьих, измерение электрической ионизации
Рекомендации
Глава 2 Химические методы, приготовленные пленкой
Маленький рост окисления тепла
Раздел 2 Химическое осаждение фазы QI
1. Общая реакция осаждения химического газа
Во -вторых, традиционный метод химического осаждения газа подготовка пленки подготовка пленки
В -третьих, лазерное химическое осаждение газа
В -четвертых, фотохимическое осаждение газа
В -пятых, плазма усиливает химическое осаждение газа
Раздел 3 Объектив
Раздел 4 Химическое покрытие
Раздел 5 осаждение реакции теода
Технология раздела 6 фунтов
Рекомендации
Глава 3 Физические методы, подготовленные пленкой
Jie Vacuum испарение
1. Физический принцип вакуумных депозитов испарения
Во -вторых, технология вакуумного испарения
Раздел 2 Плател
1. Основной принцип распыления
Во -вторых, характеристики распыления покрытия
В -третьих, расплывание параметров
В -четвертого, разбрызгивающее устройство
Раздел 3 Ионовой луче и ионной помощи
1. Ионное покрытие
Во -вторых, катодная дуговая осадка плазмы
В -третьих, испарение катодного оружия горячего воздуха
В -четвертых, ионная бомбардировка в общих месторождениях
В -пятых, баланс магнитных контрольных ионов оказывает помощь
Шесть, осаждение ионного луча
Раздел 4 рост расширения
1. Расширение молекулярного пакета (MBE)
Во -вторых, расширение жидкой фазы (LPE)
В -третьих, удлинение горячей стены (HWE)
В -четвертых, осаждение химического газа органического металла (MOCVD)
Рекомендации
Глава 4 Формирование и рост фильма
Формальная ядерная
1. валютный процесс
2. Теория сплоченности Лангмюра-Френкеля
В -третьих, ядерная теория
В -четвертых, экспериментальные результаты
Раздел 2 Процесс роста
1. Общее описание
Во -вторых, жидкое слияние
В -третьих, влияние параметров месторождений
Раздел 3 Режим роста тонкой пленки
Раздел 4 держитесь подальше от сбалансированного роста фильмов
1. Структура и рост грубой поверхности
Во -вторых, простая модель
В -третьих, экспериментальные исследования модели роста тонкой пленки
Рекомендации
ГЛАВА 5 ПРИМЕЧАНИЕ
Контроль и измерение толщины тонкого разрешения
1. Отношение венчурного соотношения и монитор толщины
 ……
Глава VI Film Material
Рекомендации

Выбор редактора


Похожего контента пока нет