Анализ и тестирование материалов, технология и применение. Принципы и применение рентгеноструктурного анализа. Учебные пособия по анализу и испытаниям материалов. Электронный микроанализ. Пропускной электронный микроанализ. Учебные пособия по технологии термического анализа.
Вес товара: ~0.7 кг. Указан усредненный вес, который может отличаться от фактического. Не включен в цену, оплачивается при получении.
Описание товара
наименование товара: | Технология тестирования материалов и применение |
Название книги по маркетингу: | Учебники по планированию колледжа |
Автор: | Главный редактор Ма Илун Дун Цзилин, заместители редактора Дин Хао |
Цены: | 38.00 |
ISBN: | 978-7-122-30176-5 |
Ключевые слова: | Анализ материалов; Тестирование материалов |
масса: | 287 грамм |
Издательство: | Химическая промышленность пресса |
формат: | 16 | Фрагментация: | квартира |
Опубликованная дата: | Октябрь 2017 года | Версия: | 1 |
Номер страницы: | 182 | Индийский: | 1 |
Содержание этой книги представляет собой важное обязательное знание материаловедческих дисциплин.Содержание книги включает основы современной технологии испытаний материалов, дифракционной технологии, технологии электронно-микроскопического анализа, технологии термического анализа, а также широко используемых физических и химических методов тестирования и анализа. Книга посвящена основным принципам и практическому применению и разделена на семь глав. Глава 1 — принципы, методы и применение рентгеноструктурного анализа;Глава 2 — анализ с помощью сканирующей электронной микроскопии; Глава 3 — анализ с помощью просвечивающей электронной микроскопии; Глава 4 – технология термического анализа; Глава 5 — атомно-силовая микроскопия; Глава 6 посвящена общим методам тестирования и анализа физических свойств; Глава 7 представляет собой введение в распространенные методы спектрального анализа.
Основанная на реальных потребностях преподавания и применения, эта книга составлена для преподавания специальностей, связанных с материалами, таких как материаловедение, материаловедение и инженерия, инженерия металлических материалов, инженерия неорганических материалов, наноматериалы и технологии.Его также можно использовать в качестве учебного материала по металлургии, нефти, машиностроению, химическому машиностроению и другим специальностям, а также в качестве справочного материала для инженерно-технического персонала по смежным специальностям.
Ма Илун, мужчина, 1981 г.р., Чунцинский университет науки и технологий, доцент.
Научно-исследовательская деятельность: учился в Школе материаловедения и инженерии Сычуаньского университета с 2001 по 2010 год и получил степень доктора философии. С 2013 по 2014 год он проводил постдокторские исследования в Техасском университете в США.Основное направление исследований – магнитные функциональные материалы и компоненты. В настоящее время он преподает в Школе металлургии и материаловедения Чунцинского университета науки и технологий. Осуществил 1 проект национального уровня, 4 проекта провинциального и министерского уровня, получил одну второстепенную награду за научно-технический прогресс на провинциальном и министерском уровне и опубликовал более 30 статей SCI.
Преподавание: Занимается преподаванием профессиональных курсов по металлическим материалам и неорганическим неметаллическим материалам. Преподавал такие курсы, как «Физические свойства материалов», «Технология подготовки материалов», «Анализ и испытания материалов», «Металловедение и термическая обработка», «Анализ отказов», «Антикоррозия материалов» и «Профессиональный английский».
Глава 1. Принципы, методы и применение рентгеноструктурного анализа 1
1.1 Введение в кристаллическую структуру 1
1.1.1 Основные характеристики кристаллической структуры 1
1.1.2 Решётчатая и решетчатая структура 2
1.1.3 Макроскопическая симметрия кристаллов 3
1.1.4 Обратная решетка 6
1.1.5 Кристаллические полосы и теорема 8 о кристаллических зонах
1.2 Основы рентгенографии 9
1.2.1 Знакомство с рентгеновскими лучами 9
1.2.2 Непрерывный рентгеновский спектр 10
1.2.3 Характеристический рентгеновский спектр 11
1.3. Рентгеновская дифракция кристаллов 12
1.3.1 Направление дифракции 12
1.3.2 Интенсивность дифракции 13
1.3.3 Защита от рентгеновского излучения 15
1.4Рентгеновский дифрактометр 15
1.4.1 Генератор рентгеновского излучения 16
1.4.2 Гониометр 17
1.4.3 Детектор рентгеновского излучения 17
1.4.4 Выбор методов измерения и параметров эксперимента 18
1.5 Применение метода порошковой дифракции 19
1.5.1 Фазовый анализ 19
1.5.2 Точное определение параметров элементарной ячейки и их применение 20
1.5.3 Рентгеновские методы, обычно используемые при анализе тонких пленок 21
1.6 Пример 21
1.6.1Основные функции Jade 21
1.6.2 Пользовательский интерфейс Джейд 22
1.6.3 Просмотр PDF-карты 22
1.6.4 Качественный анализ физических фаз 25
1.6.5 Количественный анализ фаз 28
1.6.6 Расчет размера зерна и микроскопической деформации 30
Мыслительные вопросы 33
Ссылки 33
Глава 2 Анализ с помощью сканирующей электронной микроскопии 34
2.1 Введение в сканирующую электронную микроскопию 34
2.2. Сигналы, генерируемые при взаимодействии электронного пучка с образцом 34
2.2.1 Вторичные электроны 34
2.2.2 Обратнорассеянные электроны 35
2.2.3 Характеристические рентгеновские лучи 36
2.2.4 Оже-электроны 37
2.3 Принцип работы сканирующего электронного микроскопа 38
2.4 Базовая конструкция сканирующего электронного микроскопа 39
2.4.1 Электронная оптическая система 40
2.4.2 Система сбора, обработки, отображения и регистрации сигналов 42
2.4.3 Вакуумная система и система питания 43
2.5 Характеристики сканирующего электронного микроскопа 43
2.5.1 Увеличение 43
2.5.2 Резолюция 44
2.5.3 Глубина резкости 44
2.6 Принцип контрастности сканирующего электронного микроскопа 45
2.6.1 Контраст топографии поверхности 45
2.6.2 Контраст ингредиентов 47
2.6.3 Контраст напряжений 48
2.6.4 Магнитный контраст 48
2.7 Электронно-зондовый микроанализ 48
2.7.1 Разработка электронных зондов 48
2.7.2 Основные принципы и конструкция электронного зонда 48
2.7.3 Метод электронно-зондового анализа 52
2.7.4 Требования к подготовке проб 53
2.7.5 Применение электронного зонда 53
2.8 Дифракция обратно рассеянных электронов и приложения 54
2.8.1 Структура и основные принципы EBSD 54
2.8.2 Резолюция EBSD 55
2.8.3 Подготовка проб EBSD 56
2.8.4 Применение EBSD 57
2.9 Подготовка образцов для сканирующей электронной микроскопии 58
2.10 Распространенные типичные переломы 59
2.10.1 Ямочный перелом 59
2.10.2 Расщепляющийся перелом 59
2.10.3 Квазискольный перелом 60
2.10.4 Хрупкое межкристаллитное разрушение 60
2.10.5 Усталостный перелом 61
Мыслительные вопросы 61
Ссылки 62
Глава 3 Анализ на просвечивающей электронной микроскопии 63
3.1 Введение в просвечивающую электронную микроскопию 63
3.1.1 Краткая история развития просвечивающей электронной микроскопии 63
3.1.2 Разрешение просвечивающего электронного микроскопа 64
3.2 Аберрации электромагнитных линз 65
3.2.1 Геометрическая аберрация 66
3.2.2 Разница в цвете 68
3.3 Структура и принципы визуализации просвечивающего электронного микроскопа 68
3.3.1 Электронная оптическая система 68
3.3.2 Вспомогательные системы 74
3.3.3 Принципы получения изображений с помощью трансмиссионного электронного микроскопа 75
3.4. Дифракция электронов 75.
3.4.1 Основные принципы дифракции электронов 76
3.4.2 Дифракция электронов на выбранной области 77
3.4.3 Магнитный угол 78
3.4.4 Калибровка монокристаллической электронограммы 78
3.4.5 Калибровка электронограммы поликристалла 80
3.5 Контрастный принцип просвечивающей электронной микроскопии 80
3.5.1 Контраст качества и толщины 80
3.5.2 Дифракционный контраст 81
3.5.3 Фазовый контраст 82
3.6. Сканирующая трансмиссионная электронная микроскопия 83
3.6.1 Принцип работы сканирующего просвечивающего электронного микроскопа 83
3.6.2 Характеристики сканирующего просвечивающего электронного микроскопа 83
3.7 Подготовка проб для просвечивающей электронной микроскопии 85
3.7.1 Технология поверхностных реплик 85
3.7.2 Технология изготовления тонких пленок 86
3.7.3 Технология приготовления порошка 90
3.7.4 Другие методы подготовки проб для просвечивающей электронной микроскопии 91
3.8 Применение просвечивающей электронной микроскопии 91
3.8.1 Морфологический анализ 91
3.8.2 Анализ дефектов кристалла 92
3.8.3 Анализ кристаллической структуры 93
3.9 Основные операции с просвечивающим электронным микроскопом 95
Мыслительные вопросы 96
Ссылка 97
Глава 4. Технология термического анализа 98
4.1 Введение в технологию термического анализа 98
4.2 Термогравиметрический анализ 99
4.2.1 Состав системы 99
4.2.2 Основные принципы 99
4.2.3 Факторы влияния 101
4.2.4 Технология тестирования 102
4.3 Метод дифференциально-термического анализа 103
4.3.1 Состав системы 103
4.3.2 Основные принципы 104
4.3.3 Факторы влияния 105
4.3.4 Технология тестирования 106
4.4. Дифференциальная сканирующая калориметрия 106.
4.4.1 Состав и принцип системы 106
4.4.2 Факторы влияния 107
4.4.3 Методы испытаний 108
4.5 Применение термического анализа 108
4.5.1 Применение дифференциального термического анализа и дифференциальной сканирующей калориметрии 108
4.5.2 Применение термогравиметрического анализа 111
4.5.3 Тенденции развития технологии термического анализа 111
Мыслительные вопросы 112
Ссылки 112
Глава 5 Атомно-силовая микроскопия 113
5.1 Базовые знания об атомно-силовом микроскопе 113
5.1.1 Введение в микроскопию 113
5.1.2 Принцип работы атомно-силового микроскопа 114
5.1.3 Функциональная технология атомно-силового микроскопа 118
5.2. Применение атомно-силовой микроскопии 122.
5.2.1 Приложения в материаловедении 122
5.2.2 Применение в других связанных аспектах 127
5.3 Анализ поверхности методом атомно-силовой микроскопии 129
5.4 Атомно-силовая микроскопия и другие методы микроскопического анализа 130
5.4.1 Сравнение атомно-силовой микроскопии и других методов микроскопического анализа 130
5.4.2 Атомно-силовой микроскоп и сканирующий электронный микроскоп 132
Вопросы для размышления 133
Ссылки 133
Глава 6 Общие методы испытаний и анализа физических свойств 135
6.1 Магнитные измерительные системы 135
6.1.1 Принципы проектирования 135
6.1.2 Возможности измерения 137
6.1.3 Применение оборудования MPMS и вопросы, требующие внимания 138
6.2 Система измерения физических свойств 140
6.2.1 Введение в проектирование 141
6.2.2 Базовая система 141
6.2.3 Принципы и методы измерения 143
6.2.4 Основные применения PPMS 146
6.2.5 Вопросы, требующие внимания в PPMS 147
6.3 Система тестирования петли гистерезиса 147
6.3.1 Понятие сегнетоэлектрика 147
6.3.2 Характеристики сегнетоэлектриков 148
6.3.3 Знакомство с измерительными приборами 149
6.3.4 Результаты измерений 150
6.4 Система тестирования солнечных элементов 151
6.4.1 Основные принципы солнечных батарей 151
6.4.2 Определение параметров солнечного элемента 151
6.4.3 Солнечный симулятор 152
6.4.4 Основные показатели солнечного симулятора 152
6.4.5 Методы испытаний 154
6.4.6 Результаты испытаний 154
Мыслительные вопросы 159
Ссылки 159
Глава 7. Введение в распространенные методы спектрального анализа 160
7.1 Методы спектрального анализа 160
7.2 УФ-видимая спектроскопия 161
7.2.1 Введение 161
7.2.2 Основные принципы и состав системы 161
7.3 Инфракрасный спектр поглощения 166
7.3.1 Введение 166
7.3.2 Основные принципы и состав системы 166
7.3.3 Подготовка проб 169
7.3.4 Примеры применения 170
7.4 Рамановская спектроскопия 170
7.4.1 Введение 170
7.4.2 Сравнение лазерной рамановской спектроскопии и инфракрасной спектроскопии 172
7.4.3 Испытательное оборудование и технология экспериментов 172
Мыслительные вопросы 173
Ссылки 174
Приложение 175
Приложение 1 Стандартные электронограммы обычных кристаллов 175
Приложение 2. Возможные отражения в кубических и гексагональных кристаллах 181
