Dangdang.com Подлинные книги по оптической литографии и литографии в крайнем ультрафиолете
Вес товара: ~0.7 кг. Указан усредненный вес, который может отличаться от фактического. Не включен в цену, оплачивается при получении.
Описание товара
1. Обзор этой книги
Литографические машины часто называют“Жемчужина полупроводниковой технологии”.Кто овладеет технологией изготовления литографических машин, тот будет непобедим в игре великих держав.Эта книга знакомит с применением технологии литографии, а автор охватывает всестороннее и богатое содержание; после обсуждения общего содержания технологии литографии в книге открывается специальная глава, в которой более подробно представлены особенности и трудности технологии литографии в крайнем ультрафиолете, теоретически раскрывающие технические тайны литографии в крайнем ультрафиолете.
2. Особенности этой книги
(1) Эта книга представляет собой монографию, которая систематически объясняет технологию оптической литографии, охватывая все важные аспекты этой области, обладая как теоретической глубиной, так и широтой содержания.
(2) В настоящее время не существует сопоставимой книги по технологии фотолитографии. В этой книге воплощена суть более чем 30-летней научной и преподавательской деятельности автора в области литографии.Это руководство и обширный справочник для профессиональных технических специалистов, работающих в области микросхем.
(3) Эта книга с большой тщательностью переведена командой ASML.
Глава 1. Обзор процесса фотолитографии
1.1 Миниатюризация: от микроэлектроники к нанотехнологиям_1
1.2 История развития технологии фотолитографии_3
1.3 Пространственная визуализация на машине проекционной литографии_5
1.4 Процесс фоторезиста_10
1.5 Характеристики процесса фотолитографии_12
1.6 Краткое описание_18
Ссылка_18
Глава 2. Принципы изображения при проекционной литографии
2.1 Машина для проекционной литографии_20
2.2 Теория визуализации_21
2.2.1 Оптическое описание Фурье_21
2.2.2 Косое освещение и частично когерентное изображение_26
2.2.3 Другие методы моделирования изображений_30
2.3 Критерий Аберелли и его влияние_30
2.3.1 Предел разрешения и фокусная глубина_31
2.3.2 Воздействие_36
2.4 Резюме_39
Справочник_39
Глава 3 Фоторезист
3.1 Обзор фоторезиста, традиционные принципы реакции и феноменологическое описание_42
3.1.1 Классификация фоторезистов_42
3.1.2 Фоторезист на основе нафтохинона диазония_45
3.1.3 Усовершенствованный фоторезист положительной химической амплификации_46
3.1.4 Феноменологическая модель_48
3.2 Этапы процесса изготовления фоторезиста и методы моделирования_50
3.2.1 Технические аспекты_50
3.2.2 Воздействие_51
3.2.3 Запекание после воздействия_54
3.2.4 Химические разработки_58
3.3 Обзор методов моделирования и моделей компактного фоторезиста_61
3.4 Материалы и процессы негативного и позитивного фоторезиста_65
3.5 Краткое описание_68
Ссылка_69
Глава 4. Технология повышения оптического разрешения
4.1 Внеосевое освещение_74
4.1.1 Внеосевая световая форма линии и пустой графики_76
4.1.2 Внеосевое освещение матрицы контактных отверстий_78
4.1.3 От традиционной/параметрической формы освещения к свободной форме освещения_80
4.2 Коррекция эффекта оптической близости_81
4.2.1 Компенсация отклонения ширины изолированной плотной линии_82
4.2.2 Компенсация укорочения конца линии_84
4.2.3 От правил к модели OPC и технологии инверсионной литографии_85
4.2.4 Модель OPC и процесс_88
4.3 Маска фазового сдвига_89
4.3.1 Маска сильного фазового сдвига: Маска переменного фазового сдвига_90
4.3.2 Маска затухания или слабого фазового сдвига_97
4.4 Фильтр зрачков_100
4.5 Совместная оптимизация маски источника света_102
4.6 Технология мультиэкспозиции_106
4.7 Краткое описание_109
Ссылка_110
Глава 5. Повышение разрешения за счет материала
5.1 Обзор пределов разрешения_115
5.2 Нелинейная двойная экспозиция_119
5.2.1 Двухфотонные поглощающие материалы_119
5.2.2 Материалы светового порога_120
5.2.3 Материалы для обратимого контрастирования_121
5.3 Технологии двойной и многократной формовки_124
5.3.1 Фотолитография Photolithography_124
5.3.2 Отверждение фотолитографии Photolithography_125
5.3.3 Самовыравнивающаяся двойная формовка_126
5.3.4 Двухцветное развитие_127
5.3.5 Варианты технологий двойной и многократной формовки_128
5.4 Направленная самосборка_129
5.5 Технология формирования изображений на тонких пленках_133
5.6 Резюме_135
Справочник_135
Глава 6. Литография в крайнем ультрафиолете
6.1Источник EUV света_141
6.2 Оптические свойства материалов в EUV и многослойных пленках_143
6.3EUV-маска_146
6.4 Оборудование для экспонирования EUV и формирование изображения_151
Фоторезист 6,5EUV_156
6.6 Дефекты маски EUV_157
6.7 Предел оптического разрешения EUV-литографии_161
6.7.16.Литография в сверхэкстремальном ультрафиолете на длине волны xnm_162.
6.7.2 EUV-литография с высокой числовой апертурой_162
6.7.3 Технология Low k1: технология повышения оптического разрешения EUV-литографии_166
6.8 Краткое описание_167
Справочник_168
Глава 7. Технология литографии за пределами проекционного изображения
7.1 Непроекционная оптическая литография: контактная и бесконтактная литография_176
7.1.1 Ограничения формирования изображения и разрешения_176
7.1.2 Техническая реализация_179
7.1.3 Литография с расширенным выравниванием маски_182
7.2 Безмасочная фотолитография_186
7.2.1 Интерференционная литография_186
7.2.2 Лазерная литография прямого письма_189
7.3 Литография без дифракционных ограничений_194
7.3.1 Ближнепольная литография_195
7.3.2 Использование оптической нелинейности_198
7.4 Трехмерная литография_203
7.4.1 Литография в оттенках серого_203
7.4.2 Трехмерная интерференционная литография_205
7.4.3 Стереолитография и трехмерное микроимпринтинг_206
7.5 Краткое обсуждение матовой гравировки_209
7.6 Резюме_210
Справочник_211
Глава 8. Литографические проекционные системы: расширенное техническое содержание
8.1 Волновая аберрация в реальных проекционных системах_220
8.1.1 Полиномиальное представление Цернике волновой аберрации_221
8.1.2 Наклон волнового фронта_226
8.1.3 Аберрация расфокусировки_226
8.1.4 Астигматизм_228
8.1.5 Кома_229
8.1.6 Сферическая аберрация_231
8.1.7 Трехлепестковая аберрация_233
8.1.8 Краткое описание аберрации Цернике_233
8.2 Рассеянный свет_234
8.2.1 Постоянный рассеянный свет model_235
8.2.2 Спектральная плотность мощности (PSD) рассеянного света model_236
8.3 Эффект поляризации при проекционной литографии с высокой числовой апертурой_239
8.3.1 Эффект поляризации маски_240
8.3.2 Эффект поляризации во время визуализации_241
8.3.3 Эффект поляризации на границе фоторезиста и стопки пластин_243
8.3.4 Эффект поляризации и модель векторного изображения в проекционном объективе_246
8.3.5 Поляризованное освещение_248
8.4 Другие эффекты изображения в машинах для проекционной литографии_250
8.5 Краткое описание_250
Справочник_251
Глава 9 Эффекты топографии маски и пластины в литографии
9.1 Метод строгого моделирования электромагнитного поля_256
9.1.1 Метод конечной разности во временной области_257
9.1.2 Волноводный метод_260
9.2 Эффект топографии маски_262
9.2.1 Анализ дифракции по маске_263
9.2.2 Эффект наклонного падения_266
9.2.3 Эффекты изображения, вызванные масками_268
9.2.4 Эффект топографии маски и стратегии его смягчения при EUV-литографии_272
9.2.5 Различные трехмерные модели масок_277
9.3 Эффект топографии пластины_279
9.3.1 Стратегия нанесения нижнего антибликового покрытия_279
9.3.2 Остаток на дне фоторезиста возле затвора_281
9.3.3 Изменение ширины линии в технологии двойной формовки_282
9.4 Краткое описание_283
Ссылка_283
Глава 10. Стохастические эффекты в современной литографии
10.1 Случайные величины и процессы_288
10.2 Феномен_291
10.3 Метод моделирования_294
10.4 Зависимости и их влияние_297
10.5 Краткое описание_299
Ссылка_299
Таблица сравнения китайской и английской профессиональной лексики
«Оптическая литография и экстремальная ультрафиолетовая литография» — это обширная монография по технологии литографии, охватывающая все важные аспекты этой области. Внедряя применение технологии фотолитографии, она охватывает всестороннее и богатое содержание; при обсуждении физического механизма и математической модели технологии фотолитографии применяется полный и несложный метод, что повышает читабельность.После систематического объяснения основного содержания технологии оптической литографии эта книга также открывает специальную главу, знакомящую с особенностями и трудностями технологии литографии в крайнем ультрафиолете, раскрывающую технические секреты литографии в крайнем ультрафиолете.Эта книга всеобъемлющая, полная, информативная и новая. В нем воплощена суть более чем 30-летней научной и преподавательской деятельности автора в области литографии.
Энди·Андреас Эрдманн, член Общества международной оптической инженерии (SPIE), является главой отдела вычислительной литографии и оптики Института интегрированных систем и технологий компонентов (IISB) Института Фраунгофера в Германии.Он также является приглашенным профессором в Эрлангенском университете, организатором Международного симпозиума по моделированию литографии Фраунгофера и председательствует на конференции по оптической литографии и оптическому дизайну Международного общества оптической инженерии (SPIE).Имея более чем 25-летний опыт исследований в области оптической литографии и литографии в крайнем ультрафиолете, он внес ключевой вклад в разработку множества передовых программ для моделирования литографии, включая разработку программного обеспечения для моделирования литографии Dr.LiTHO.
Гао Вэйминь, технический директор ASML China, является старшим экспертом по технологиям фотолитографии.Он получил степень бакалавра оптической инженерии в Чжэцзянском университете, а также степень магистра и доктора физики в Левенском университете в Бельгии.Когда-то он работал в Бельгийском центре исследований и разработок микроэлектроники (IMEC) и Synopsys в США.Он занимается исследованиями и разработками передовых технологий литографии более 20 лет и участвовал в разработке с 0,13μРазработка передовых технологий литографии нескольких поколений от узлов до 5 нм, с 16-летним богатым опытом исследований и разработок в области технологий литографии в крайнем ультрафиолете.Технический опыт охватывает широкий спектр областей литографии, включая разработку процессов литографии, технологии обработки изображений, технологии повышения разрешения, вычислительную литографию, усовершенствованную технологию совместной оптимизации масок и процессов проектирования (DTCO) и т. д.
Сюй Дунбо — научный сотрудник Бельгийского центра исследований и разработок микроэлектроники (IMEC).Он получил степень магистра в Университете Китайской академии наук и докторскую степень в Университете Фридриха-Александра-Эрланген-Нюрнберга. Он получил докторскую степень в группе вычислительной литографии и оптики Фраунгофера IISB в Эрлангене, Германия.Направления исследований включают оптическую литографию и моделирование литографии в крайнем ультрафиолете, совместную оптимизацию маски источника (SMO), моделирование оптической коррекции близости (OPC) и обработку изображений.
Чжу Боэр — старший инженер и руководитель проекта компьютерной литографии в ASML China.Получил степень бакалавра инженерных наук в Чжэцзянском университете и докторскую степень в Шанхайском институте оптики и точной механики Китайской академии наук (направление исследований: технология высокотехнологичных машин для литографии).Собственный 0,18μОпыт исследований и разработок в области полноузловой компьютерной литографии м ~ 7 нм, а также освоить технологию применения и оптимизации совместной оптимизации маски источника (SMO) и моделирования оптической коррекции близости (OPC) в каждом узле процесса.Кроме того, направления исследований включают вычислительную литографию EUV, технологию совместной оптимизации процесса проектирования (DTCO) и строгое моделирование электромагнитного поля.
