Применение дизайна НИОКР ИСПРАВЛЕНИЯ БИБЛИОТЕКА ВИТА ИН ИНТЕРФЕСКИ И КИНГА ESD CIRCE GUO - это книга по проектированию и разработке разработки проекта по инженерному проектированию в полупроводнике проекта библиотеки ввода/вывода.
Цена: 729руб. (¥34.5)
Артикул: 628060534119
Цена указана со скидкой: 50%
Старая цена: 1458р.
Вес товара: ~0.7 кг. Указан усредненный вес, который может отличаться от фактического. Не включен в цену, оплачивается при получении.
Описание товараПродавец:雅文乐器专营店
Адрес:Хэнань
Рейтинг:
Всего отзывов:0
Положительных:0
Добавить в корзину
Другие товары этого продавца
¥ 138 100.742 129руб.
¥ 79.8 50.271 063руб.
¥ 117.8 112.82 384руб.
¥1783 762руб.
| Введение в контент |
| Основная информация, обратитесь к следующему введению | |
| Название книги: | Применение разработки и дизайна библиотеки библиотеки ввода/выводов интерфейсов и схем ESD |
| Автор: | Ван Гули |
| Цены: | 69.00 |
| Номер ISBN: | 9787115487063 |
| Издательство: | Люди после прессы |
|   Редактировать рекомендацию | |
| 1Эта книга посвящена сочетанию теории и практики, чтобы предоставить большое количество практических инженерных примеров.Весь процесс библиотеки ввода/вывода в дизайне чипа всегда проходит через процесс упаковки.2Эта книга позволяет инженерам понимать внутреннюю ситуацию библиотеки ввода -вывода, тем самым способствуя хорошему взаимосвязи библиотеки ввода/вывода и других ссылок на процесс проектирования.3Эта книга подходит для читателей с разными уровнями китайского и английского языка. В этой книге перечислены многие ключевые профессиональные словаря одновременно, поэтому в ней также играет роль словаря перевода. |
| Введение в контент | |
| Сочетание теории и практики этой книги сначала вводит библиотеку ввода/вывода, включая функции и процессы проектирования библиотеки ввода/вывода в дизайне чипа; затем представил феномен ESD в схеме ввода/вывода, метод испытания и ESD Метод испытаний и метод испытаний ESD и метод испытаний ESD и метод испытаний ESD и метод испытаний ESD и метод испытаний ESD и метод испытаний ESD и метод испытаний и метод испытаний ESD и метод испытаний ESD и тест ESD Метод и метод ESD Проектирование различных модулей защиты ESD; затем фокусируется на явлении разблокировки, функциональной схеме GPIO и методе компенсации цепи высокоскоростной схемы ввода -вывода и т. Д.; |
| Каталог | |
| Глава 1 Введение в библиотеку ввода/вывода……………………………………………………………… 1 1.1 Характеристики библиотеки ввода/вывода…………………………………………………………… 1 1.2 Процесс проектирования библиотеки ввода/вывода……………………………………………………… 4 1.3 Характеристики исследовательского процесса……………………………………………………………… 5 1.4 Процедура проектирования………………………………………………………………… 6 1.5 Тестовый модуль ESD………………………………………………………………… 7 Глава 2 ESD—&Mdash; первая стена библиотеки ввода/вывода………………………………………… 11 2.1 Феномен ESD……………………………………………………………………… 11 2.2 Феномен разрушения ESD в полупроводниковых чипах……………………………………………… 12 2.3 Надежность схемы—— модель теста ESD……………………………………………… 16 2.4 Тестовая комбинация стандартной тестовой модели ESD……………………………………………… 25 2.5 Ошибка тестирования стандартной тестовой модели ESD……………………………………………… 28 2.6 Конструкция и макет устройства ESD ввода/ вывода…………………………………… 29 Рекомендации……………………………………………………………………………… 75 Глава 3 Кольцо блокировки и защиты………………………………………………………………… 77 3.1 Механизм 的 Lock…………………………………………………………………… 77 3.2 Методы предотвращения замков……………………………………………………………… 79 3.3 Метод испытаний………………………………………………………… 88 Рекомендации……………………………………………………………………………… 94 Глава 4 Дизайн схемы ввода/вывода………………………………………………………………… 95 4.1 Общие спецификации данных ввода/вывода и дизайн данных………………………………………………… 95 4.2 Явление линии передачи…………………………………………………………………… 96 4.3 Выходной модуль GPIO……………………………………………………………… 100 4.4 Входной модуль GPIO……………………………………………………………… 114 4.5 Входной сигнал моделирования………………………………………………………………… 117 Каталог Применение разработки и дизайна библиотеки библиотеки ввода/выводов интерфейсов и схем ESD 4.6 Гибридное входное/ выходное схема напряжения…………………………………………………… 120 4.7 Схема ввода/ выходной схемы в схеме устойчивости высокого напряжения………………………………………… 125 4.8 макет выходной цепи……………………………………………………………… 128 4.9 Распределение шнуров питания ввода/вывода……………………………………………………………… 132 4.10 Положение и расположение подушки для связи…………………………………………………… 134 4.11 Решения в области зоны ядра и решения площади прокладки……………………………………… 136 Рекомендации……………………………………………………………………………… 139 Глава 5 высокая скорость ввода/вывода………………………………………………………………… 141 5.1 компенсация схемы……………………………………………………………………… 141 5.2 DDR…………………………………………………………………………… 146 5.3 LVDS…………………………………………………………………………… 150 Рекомендации……………………………………………………………………………… 154 Глава 6 Модель библиотеки ввода/вывода…………………………………………………………… 155 6.1 Комплексная модель……………………………………………………………………… 155 6.2 модель поведения……………………………………………………………………… 169 6.3 IBIS MODEL……………………………………………………………………… 171 Рекомендации……………………………………………………………………………… 181 Заключение…………………………………………………………………………………… 183 |
| Об авторе | |
| Ван Гули, степень магистра в области информационной инженерии в Пекинском университете постов и телекоммуникаций в 1999 году.С тех пор такие компании, как Huawei, China, GMD Fokus, Берлин, Германия и Microchip (Microchip), занимались коммуникационной электроникой и полупроводниковыми чипами.В области полупроводника автор лично занимался проектированием и разработкой различных полупроводниковых инженерных проектов, и использовал много процессов производства полупроводников. |
На данный момент нет каталога