[Прямое снабжение научного общества] Принцип вакуумного покрытия и технологическая сторона Ying Cui
Цена: 829руб. (¥39.2)
Артикул: 617671012109
Вес товара: ~0.7 кг. Указан усредненный вес, который может отличаться от фактического. Не включен в цену, оплачивается при получении.
Описание товараПродавец:华心图书专营店
Адрес:Шанхай
Рейтинг:
Всего отзывов:0
Положительных:0
Добавить в корзину
Другие товары этого продавца
¥23.8503руб.
¥ 118 82.71 748руб.
¥ 129 96.52 040руб.
¥82.81 750руб.
Параметры продукта
| Принцип и технологии вакуумного покрытия | ||
 | Используемая цена | 49.00 |
| Издатель | Science Press | |
| Издание | 1 | |
| Опубликованная дата | Февраль 2014 | |
| формат | 16 | |
| автор | Клык Йингкуи | |
| Украсить | Оплата в мягкой обложке | |
| Количество страниц | 213 | |
| Число слов | 282000 | |
| Кодирование ISBN | 9787030398987 | |
Введение
Эта книга описывает применение вакуумного покрытия. Вакуумное распыление, вакуумное вакуумное покрытие, вакуумный вакуум. Принципы, характеристики, устройства и технология применения ионного покрытия и химического газа.Стремитесь избежать утомительных математических формул и попытаться объяснить физический процесс на простом языке.Это легко понять, просто и легко выучить.
Оглавление
Оглавление
Предисловие
** Глава вакуумный обзор 1
1.1 Введение в твердую пленку 1
1.2 Введение в вакуумное покрытие 2
1.2.1 Вакуумное покрытие Физическое процесс 2
1.2.2 Классификация вакуумного покрытия 3 3
1.2.3 Особенности вакуумного покрытия 4
1.3 Применение и разработка технологии вакуумного покрытия 4 4
1.4 Система вакуумного покрытия 12
1.4.1 Основная концепция системы вакуумного покрытия 13 13
1.4.2 QLeun Pump 14
1.4.3 Вакуумный счетчик 18
Ссылки 21
Глава 2 Вакуумное покрытие Процесс 22
2.1 Введение в рост фильмов 22
2.2 Сплошная поверхность 23
2.3 Процесс роста пленки 24
2.3.1 Адсорбция 25
2.3.2 Диффузия и предприятие 26
2.3,3 % ядро 27
2.3.4 Образование непрерывной мембраны 28
2.4 Три режима роста пленки 29
2.5 Структура и дефект твердотельной пленки 30
2.6 Природа твердой пленки 32
2.7 Сплошная пленка напряжение 34
2.8 Адгезия пленки и матрицы 35
2.9 Матрица 35
Глава 3 Вакуумное испарение покрытие 38
3.1 Принципы вакуумного испарения 38
3.2 Источник Парода 40 сопротивления 40
3.2.1
3.2.2 Структура сопротивления.
3.2.3 Основные особенности сопротивления нагрева Источник 42
3.2.4 Применение устойчивости нагревательного вакуумного испарения 43
3.3 Электронный луч паря 47
3.3.1 Принципы и структуры электронного пистолета типа E 47
3.3.2 Особенности электронного пистолета Electronic Pareing Electronic Paring Source 50
3.3.3 Применение Electronic Fun Vacacuum Electronic Pruneclation Prain.
3.4 Ощущение нагрева
3.4.1
3.4.2 Особенности индукционного нагрева
3.5 Импульсное лазерное осаждение (PLD) 54
3.5.1 PLD System 54
3.5.2 Принцип работы PLD 56
3.5.3 PLD Технические функции 56
3.5.4 PLD Применение и разработка 57
3.6 Расширение молекулярного луча 58
3.6.1 Основные принципы молекулярного луча 59
3.6.2. Молекулярное лучевое устройство 60
3.6.3 Специальная точка 63 молекулярного пакета Специальная точка 63
3.6.4 Применение и прогресс технологии разгибания молекулярного луча 63
3.7 Важные параметры в вакуумном испарениях 68
3.8 Однородность толщины мембраны, нанесенной на подложку во время испарительного покрытия 72
3.8.1 Расчет однородности однородности однородности с одной комнатой 72
3.8.2 Влияние относительного положения источника паряки и подложки на единообразие пленки 76
Ссылки 77
Глава 4 Vogogy Splane Coting 79
4 1 DC DI POLE
4.2 Плазма 84
4.3 Принцип Splash 88
4.4 DC Sputtering Coating 93
4.4.1 DC Diode Sputtering Coating 94
4.4.2 DC Диод Парциальное давление распылительное покрытие 97
4.4.3 DC Multi -Ppole Sputtering Coating 98
4,5 DC Magnetic Splash Coter 99
4.5.1 Принципы и характеристики магнитного управления распылительным покрытием 100
4.5.2 Сторончатая цель 102
4.5.3 Плоская и цель 107
4.5.4 S Gun 113
4.5.5 Общие функции магнитного порта 115
4.5.6 DC Реакционное магнитное загрязнение 118
4.6 РЧ -распылительное покрытие 121 121
4.6.1 РЧ Слитный световой разряд 121
4.6.2 РЧ -распылительное покрытие 122
4.7.
4.8 Pulse DC Light Global Plate 127
4.9 Несбалансированное магнитное управление распылительным покрытием 130
4.10 Параметры вакуумного испарения и распыления.
Ссылки 132
Глава 5 Вакуумный ионный покрытие 134
5.1 Обзор плазменного ионного покрытия 134
5.1.1 Принцип плазменного ионного покрытия 135
5.1.2 Особенности плазменного ионного покрытия 138
5.1.3 Классификация плазменного ионного покрытия 139
5.2 Плазма испарить ионное покрытие 140
5.2.1 E -тип Электронный пистолет испаривает ионное покрытие 140
5.2.2. Плака
5.2.3 Активация плазмы испаряет ионы.
5.2.4 Активация плазмы с высоким уровнем ионов.
5.3 Плазменное магнитное ионовое покрытие 154
5.3.1 Магнитное покрытие ионное покрытие 155
5.3.2 Ионизированное магнитное ионовое покрытие 157
5.3.3 Импульсное управление с высоким энергопотреблением.
5.3.4 Self -Sputter 162
5.3.5 Высокая ионная плавания с высокой плотностью с помощью вспомогательного катода 164
5.4 ARC Ion Plating 166
5.4.1 Caturia Arc Ion Talling 167
5.4.2 Ионовое покрытие дуги пульса 179
5.4.3 Анодная дуговая ионная покрытие 181
5.5 Ионовое покрытие пучка 183
5.5.1 Осаждение ионного пакета 184
5.5.2 Duan Cluster Ion Bundle Sedimentation 184
5.5.3 Ионное вспомогательное осаждение 187
Ссылки 190
Глава 6 Химическое осаждение Ци -фазы 193
6.1 Обзор 193
6.2 Динамический процесс осаждения химического газа 194
6.3 Несколько общих химических газовых осаждений 197
6.3.1 Осаждение тепло -химического газа 197
6.3.2 Химическое газовое осаждение с низким содержанием напряжения 199
6.3.3 Плазма Увеличенное химическое осаждение газа 202
6.3.4 Осаждение атомного слоя 205
6.3.5 Введение в другое осаждение химического газа 208
Ссылки 212
Чтение в Интернете
** Обзор вакуумного покрытия главы
Филе обычно имеют жидкость и твердое состояние, жидкую пленку, такую как мыльные пузырьки, масляные мембраны и т. Д. В этой книге обсуждается широко используемая твердая или твердая пленка, то есть тонкая пленка с твердым состоянием.Существует много типов твердой пленки, которые могут быть приготовлены в физических или химических методах.Обычно считается, что твердая пленка используется для приготовления твердотельной пленки.В 1852 году он наблюдал отложение пленки в эксперименте с выбросом газа и изучил характеристики отложений.
Рисунок 1-1 Британский физик Уильям Роберт Гроув (1811-1896)
1.1 ВВЕДЕНИЕ В СЕРИЧЕСКОЕ Пленка
Тонкая твердая пленка обычно относится к двумерному материалу, который меньше 1) в измерении менее 1 -м и неограниченным в двух других измерениях.Рисунок 1-2 (а) указывает на блок-материал, который не ограничен в трех направлениях x, y и z; , Как показано на рисунке 1-2 (б) в качестве фильма.Как правило, сплошная пленка представляет собой растущую пленку, которая переносится на твердой субстрате, а сформированная пленка переносится подложкой, как показано на рисунке 1-3.
Рисунок 1-2 твердотельный материал
Рисунок 1-3, несущая пленку на матрице
Различные физические характеристики материала блока относятся к природе его единичного объема, то есть предполагается, что эти физические свойства не имеют ничего общего с объемом. Небольшое, это предположение установлено.Однако, когда размер измерения становится небольшим и соотношение площади и объема поверхности является большим, вышеупомянутые предположения не установлены.Внутренние частицы блочного материала являются однородными во всех направлениях, но для поверхности из -за прерывания атомов на поверхности поверхности атомы поверхности отличаются от тела. отличается от блока.Эти новые особенности фильма могут быть использованы для обслуживания людей, поэтому пленки широко изучаются.Метод подготовки тонкой пленки был постоянно разработан, в основном в физических и химических методах. Способность вакуумного покрытия.
1.2 Введение в вакуумное покрытие
Вакуумное покрытие представляет собой метод газификации и осаждения мембранных материалов в вакуумной среде, чтобы сформировать твердую пленку на твердой матрице.Вакуумное покрытие является важным методом для растущего пленки.
1.2.1 Физический процесс вакуумного покрытия
Вакуумное покрытие можно разделить в основном“&rdquo“&rdquo“”В вакуумном покрытии, если мембрана является твердой, то первая мера необходима для того, чтобы взять твердую мембрану для газификации или сублимации или прохождения аналогичного&Ldquo; сублимация&Процесс rdquo становится газообразным, а затем газообразные частицы переносятся в вакууме.В ходе процесса транспортировки частицы могут не испытывать столкновения, напрямую достигать субстрата, или он может столкнуться в пространстве, после рассеяния, а затем достигать поверхности субстрата.*После того, как частицы конденсируются на подложке и превращаются в пленку.Следовательно, процесс покрытия включает в себя испарение или сублимацию мембраны, атомы атома газообразного атома, а также адсорбцию, диффузию, ядерную и эсертитация газообразного атома на твердой поверхности.
В качестве примера приведены горячее испарительное покрытие, схематическая схема системы покрытия показана на рисунке 1-4. и поместите перегородку к вершине мембраны, затем нарисуйте вакуумную камеру примерно до 10-3PA, а затем используйте сопротивление нагреванию, чтобы продавать шелк, чтобы сделать его нагревом и испаряться; и атомы проходят через вакуумную камеру и достигают подложки, чтобы сформировать пленку.Поэтому в вакуумном покрытии есть три основных элемента: вакуумная камера, мембранный материал и матрица.
Рисунок 1-4 Схема вакуумного покрытия
1.2.2 Классификация вакуумного покрытия
В зависимости от различных способов мембраны от твердых до газообразных способов и различных транспортных процессов атомов мембраны в вакууме, вакуумное покрытие в основном можно разделить на ① вакуумное испарение, ② вакуумное покрытие, ③ ионовое покрытие, ④. Вакуумная химия QI Фазовые отложения высекаются в четырех типах.Первые три метода называются физическим парным депо-депо (PVD), а последний называется химическим отложением пара (CVD).
Вакуумное испарение используется для использования тепла, обеспечиваемого внешним миром для нагрева мембранного материала и газификации после нагрева, или непосредственно газификации в газообразной, а также откладывает в подложку для формирования технологии пленки.В зависимости от источника тепла, он делится на устойчивое испарение нагрева, электронное луче (EB), вытянутое лазерное отложения (PLD) и индукционное нагревание испарения -испарение, испарение) и так далее.
Вакуумное брызги в условиях вакуума для генерации ионов куколки (AR+) посредством газового сброса и использует цель с потенциалом ионного бомбарда головастика с положительной зарядкой.Существует много типов вакуумных фракций, таких как распыление DC, тритинальные и полио -пленки, а также предвзятые распыления, радиочастотные диоды, баланс и небалансированное магнитное управление. Используется магнитное распылительное покрытие, в том числе магнитное покрытие плоскости постоянного тока, цилиндрическое целевое магнитное распылительное покрытие, небалансированное магнитное управление распылительным покрытием, пульс -родомусное распылительное покрытие, радиочастотное магнитное покрытие и покрытие для покрытия пластинга и радиочастотное управление и радио Частотный магнитный контроль.Магнитное распылительное покрытие играет важную роль в крупной масштабной индустрии плоских стеклянных покрытий.Угол глянного угла депонирования Incidencence (GLAD) - это новая технология новая технология, которая может увеличить пористую степень в пленке, уменьшить плотность мембраны и иметь уникальные применения во многих областях.
В ионах вакуума способ мембраны меняется от твердого штата на газообразные способы, такие как испарение или подобное распылению, но газообразной мембранный материал участвует в световом разряде с рабочим газом во время процесса транспорта. Подложка с негативным потенциалом для формирования фильма.Ионное покрытие включает в себя плазменное ионное покрытие, ионное покрытие дугообразного и ионное покрытие.Новички могут хорошо различать испарительное покрытие и распылительное покрытие, но когда ион покрыт выделением, иногда ионы вытягивают, испаряются или распыляют.Фактически, ионное покрытие отличается от*типичной особенности испарительного и распыления. Поселение, поэтому литература ставит импульсную импульсную импульсную пульсовую (HIPIMS) с высокой (или с высокой энергией) и активное испарение (AS), оба классифицируются как ионное покрытие.Активированное плазмой высокоскоростное ионное покрытие легко позволить людям приписывать их как испарение.Однако классификация не важна.
Существует также метод покрытия, который называется вакуумным химическим газовым осаждением (CVD). Поверхность субстрата, химическая реакция возникает с большой вероятностью сформирования требуемой пленки.Химический газовый седиментация имеет почти нормальный сердечно -сосудистый сердечно -сосудистый сердечный показатель, CVD с низким напряжением и CVD Plasma, усиленные (усиление плазмы, CVD, PECVD) и световые CVD.Существует также недавно изученная и применяемая технология осаждения атомеров (ALD), которая может достигать тонкого осаждения одноатомного слоя.
Современная технология покрытия продолжает развиваться, и появился метод гибридного покрытия, изготовленный из основных методов покрытия, например, комбинация магнитного управления с помощью электронного испарения, комбинации магнитного управления и фильтрационного покрытия, электронного луча и луча и луча и луча и покрытие, электронное луча и луче Фильтративная дуга света Комбинация усилителей, комбинация полимеров, мигающих с магнитным распылением или выпариванием, эти гибридные методы можно выселить с помощью уникальных тонких пленок с уникальным производительностью.Тем не менее, независимо от того, насколько сложна система смешанного покрытия, ее основой является 4 основных методах вакуумного покрытия, поэтому эта книга представляет только 4 метода базового покрытия.
Неорганическая пленка может быть приготовлена в приведенных выше методах, но из -за низкой температуры плавления органические вещества подходят для седиментации вакуумным испарениями и химическим газом, не подходящими для вакуумного распыления или вакуумного ионов, потому что энергия, предоставленная этими методами слишком высок.Кроме того, существует метод вакуумного покрытия для депонирования полимера на матрицу, называемую технологией вакуумного полимера (VPD).
1.2.3 Характеристики вакуумного покрытия
Вакуумное покрытие и другие методы покрытия имеют следующие характеристики:
(1) Вакуумное покрытие можно покрыть металлом, сплавом, полупроводниковой пленкой и различными соединениями на твердой матрице, а состав пленки может регулироваться в большом диапазоне.
(2) Различные функциональные тонкие пленки, электронная пленка и оптическая пленка, которые могут быть выселены с высокой чистотой, высокой плотностью и сильной силой связывания с подложкой.В частности, основная тонкая пленка, требуемая многими устройствами, такими как крупные интегрированные цепи, мелкие молекулярные органические устройства дисплея и солнечные элементы кремния, могут быть получены только в условиях вакуума, а другая технология мембран не может соответствовать требованиям.
(3) Вакуумное покрытие имеет небольшое загрязнение окружающей среды, особенно метод PVD, и в основном нет загрязнения окружающей среды.При приготовлении тонкой пленки с химическими методами, с одной стороны, сама мембрана загрязнена растворителями, используемыми мембраной, и производительность уменьшается.
(4) Основным недостатком вакуумного покрытия является то, что существует вакуумное оборудование, которое относительно высокое.
1.3 Применение и разработка технологии вакуумного покрытия
С самого начала людей, чтобы сделать цветную глазурь керамических сосудов, подготовка и применение тонкой пленки развили историю более тысячи лет.Систематическое изучение материалов пленки из аспектов технологии подготовки, методов анализа и механизмов формирования началось в 1950 -х годах.Лишь в 1980 -х годах наука о тонкой кино превратилась в относительно независимую дисциплину.Важной причиной быстрого развития науки о тонко -фильме является сильный фон применения тонкопленочных материалов, непрерывное развитие теории с низким содержанием конденсата и постоянного улучшения возможностей технического анализа современного анализа.
Вакуумное покрытие покрыто вакуумным состоянием.Вакуумное покрытие может быть не только покрыто тонкой пленкой с той же композицией, что и твердый материал, но также может быть помещен в материал, который не существует в природе, таких как квантовые точки ①, квантовая ловушка или суперкопический материал ② и т. Д. Таким образом, вакуумное покрытие находится в национальной жизни, промышленности, национальной обороне и научных исследованиях, играющих важную роль.Ниже приведен пример.
1Декоративный фильм
Декоративная пленка широко используется в лампах, очках, игрушках, часах, искусстве и искусстве, различных аксессуарах, бытовых приборах, автомобилях и других предметах. Примеры.
Рисунок 1-5 Применение декоративных фильмов
Обычно используемое покрытие покрывается CR для изготовления пластикового металла.AL и AG используются в зеркальной промышленности.Нитрид с высокой точкой плавления, такой как олово, ZRN, TAN и т. Д.CRCN, TICN и Tiain имеют соблазнительный черный цвет и широко используются в различных продуктах персональных данных, таких как мобильные телефоны и компьютеры.
2Применение пленки в интегрированной схеме
Можно сказать, что без технологии вакуумного покрытия невозможно развить быстрое развитие интегрированных цепей.Рисунок 1-6 представляет собой схему схемы комбинированной схемы базового уровня SI.Все компоненты интегрированной пленки приготовлены методами вакуумного покрытия, такими как металлическая Ag или Au Electric Poard, тонкая пленка, состоящая из металла Ni, Cr или RE; пленка триод и т. д.Рисунок 1-7 представляет собой структурную диаграмму тонкого пленочного транзистора (TFT).По сравнению с интегрированной схемой на основе кремния, интегрированная схема пленки имеет некоторые преимущества:
(1) В интегрированной схеме на основе кремния паразитарные потери генерируются из -за паразитной связи между каждым компонентом, которая не будет происходить в интегрированной пленке, потому что подложка, используемая в интегрированной пленке, представляет собой стекло или керамика, которая имеет хорошую Производительность изоляции.
инжир
(2.) Интегрированные схемы, температура, необходимая для процесса обработки, составляет около 1000 ° С. Во время процесса производства схема интеграции базового уровня SI, необходимого окисления, света и клея, фотографирования, видения, коррозии, очистки и диффузии, а также вакуумного покрытия. Требуется вакуумное покрытие.Для интегрированных схем, операция очень проста. Полем
Рисунок 1-7 Структурная схема пленочной транзисторы
(3) Подложка тонкой пленки интегрированной цепи очень дешевая, то есть обычное стекло или керамику, но подложка интегрированной схемы на основе кремния представляет собой очень кристаллический кремний с высоким содержанием.
Электронные линии применения компонентов пленки широко используются, такие как электронные системы переключения, медицинское электронное оборудование и преобразование цифровых количеств в средние сети с аналоговым количеством, а также некоторые цифровые, моделирующие и микроволновые схемы.
3Применение пленки в фотоэлектрических устройствах отображения
1) Прозрачная проводящая оксидная пленка
Электроды обычно изготавливаются из металлических материалов, но проводимость металла является непрозрачной, в то время как различные таблетовые крон -осциллограф и солнечные элементы требуют прозрачных электродов.Исследования показали, что прозрачная проводящая тонкая пленка, изготовленная из смешанных связанных элементов в оксидах металлов, может соответствовать требованиям прозрачной и проводящей проводимости.В настоящее время широко используемыми прозрачными оксидами привлечения (TCO) являются пленка ITO (индиум -олово, IN2O3: SN) пленка FTO (SNO2: F).В последние годы оксид цинка (Zno: Al), называемый Azo или Zao Film, также был постоянно разработан и широко использовался в областях сенсорных экранов.Прозрачная проводящая пленка также широко используется в авто