Нано -интугрированные схемы Процесс процесса интеграции процесса производства процесс производства и инженерное приложение интегрированное процесс схемы Учебное пособие Учебное пособие Интеграция Тестирование и анализ Технологических технологий.
Вес товара: ~0.7 кг. Указан усредненный вес, который может отличаться от фактического. Не включен в цену, оплачивается при получении.
Описание товара
Основная информация
Нано -интеграционный процесс производства цепи
делать 
Конечно  цена: 89
Издательское агентство: издательство Tsinghua University Press
Дата публикации: 1 января 2017 г.
Страница  номер: 471
Пакет  рама: простая установка
ISBN:9787302452331
Редакционная рекомендация
Производственный процесс негабаритных интегрированных цепей, от“ микрометра&rdquo“ nano level&Rdquo;Даже от 45 нм до 28 нм (и меньшая ширина линии) необходимо использовать много новых производственных концепций и технологий.Г -н Чжан Руджин стал свидетелем роста и устранения нескольких технических поколений с развитием полупроводниковой промышленности.Сам он имеет глубокий академический фонд и богатый промышленный опыт.Опыт решения практических проблем и уникальной технической перспективы отрасли считает, что это принесет вдохновение и помощь читателям.
краткое введение
В этой книге есть 19 главы, охватывающие историю разработки предпочтительных интегрированных процессов схемы. При процессе DFM (Design for Manualing), интегрированное обнаружение цепи и анализ, надежность интегрированных схем, управление производством, улучшение уровня улучшения, тестирование ChIP и упаковку ChIP.Во время перепечатки содержание полупроводниковых устройств усиливается, а также предпочтительный FINFET, 3D NAND MEMIMES, CMOS -датчик изображения и полевые транзисторные устройства и процессы, не имеющие полевых эффектов.
Оглавление
● Глава 1 полупроводниковое устройство
● 1.1N полупроводник и P -тип.
● Диод узла 1,2 пл.
● 1.2.1pn
● 1.2.2 Идеальное уравнение диода PN узла.
● 1,3 биполярная кристаллическая трубка
● 1.4 Металл-оксид-полупроводник поля транзистора транзистора
● 1.4.1 Линейная модель
● 1.4.2 не -линейная модель
● 1.4.3 Пороговое напряжение
● 1.4.4 Эффект смещения субстрата
● 1.4.5 Подпороговой ток
● 1.4.6.
● Задача, с которой сталкивается устройство 1,5CMOS
● 1,6 Кристаллическая трубка.
● 1,7 Главиша крови Шоттки Эффект Кристаллическая трубка
● 1,8 Транзисторная трубка с высокой электронной миграцией
● 1.9 Crystal Tub
● 1.9.1 Цилинновое полное окружающее окружающее пространство без сетки, безразличные эффекты.
● 1.9.2 Cyllaric Полный окружающий окружающий поля без сетки.
Основная информация
Процесс интегрированного производства и инженерного применения
Цена 99,00
Издательство издательской индустрии индустрии индустрии
Издание 1
Время публикации август 2018 года
Открыт Бен 16
Автор Вендон
Украшение
Кодирование ISBN 9787111598305
Оглавление
Рекомендация семьи Чжуан
  причины написания и написания
  спасибо
  Глава 1 Введение
  1.1 Rise CMOS -процесса технологии процесса процесса
  1.1.1 Technologe Technoloction Technoloction Technolock
  1.1.2 PMOS процесс процесса технологии введение
  1.1.3 NMOS процесса технологии введение
  1.1.4 CMOS процесса технологии введение
  1.2 Технология специального процесса процесса
  1.2.1 BICMOS Процесс процесса технологии введение
  1.2.2 BCD процесса технологии введение
  1.2.3 HV-CMOS процесса технологии введение
  1,3 MOS Интегрированная история разработки схем
  1.4 Разработка и вызов устройств MOS
  ссылка
  Глава 2 ТЕХНОЛОГИЯ
  2.1 технология процесса кремния
  2.1.1 Обзор технологии кремния кремния кремния
  2.1.2 Физический механизм деформации кремниевой технологии
  2.1.3.
  2.1.4 Упущения источника внедренная технология деформации SIGE
  2.1.5 Технология стрессовой памяти
  2.1.6 Технология деформации устойчивости к коррозии контакта.
  2.2 технология процесса HKMG
  2.2.1 Разработка и проблемы, с которыми сталкиваются слой сетки
&Nbsp; 2.2.2 квантовый эффект субстрата
  2.2.3 Поликристаллическая кремниевая сетка
  2.2.4 Эквивалентная толщина окисления сетки.
  2.2.5 Прямой прохождение туннеля сетки.
  2.2.6 Высоко -сирийский постоянный средний слой
  2.2.7 технология процесса HKMG
  2.2.8 Металлическая встроенная поликаристаллическая кремниевая сетка Технология процесса сетки
  2.2.9 Металлическая альтернативная технология процесса сетки
  2.3 технология процесса SOI
  2.3.1 SOS Technology
  2.3.2 SOI Technology
2.3.3 PD- SOI
2.3.4 FD- SOI
  2.4 Finfet и UTB-SOI Technology Technology
  2.4.1 Обзор разработки Finfet
  2.4.2 Принципы FINFET и UTB-SOI
  2.4.3 Технология процесса FINFET
  ссылка
  Глава 3 Интеграция ремесленника
  3.1 технология изоляции
  3,1,1 PN Technology Technology Technology
  3.1.2 Locos (локальное окисление кремния)
  3.1.3 STI (неглубокая канавка) технология изоляции
  3.1.4 Effect LOD
  3.2 технология процесса изданий Hard Mask Edition
  3.2.1 Введение в техническую технологию версии жесткой обложки фильма
  3.2.2 Инженерное применение технологии жесткой обложки пленки
  3,3 утечка, чтобы уменьшить эффект и уменьшить эффект и инъекцию ионов канала
  3.3.1 Утечка, чтобы уменьшить потенциал и уменьшить эффект
  3.3.2 инъекция пламени
  3.3.3 Глубокая утечка неглубоких источников
  3.3.4 Перевернутая ловушка
&Nbsp; 3.3.5 ловушка близок к эффектам
  3.3.6 Эффект анти -шорт -канала
  3,4 Технология процесса инъекции горячих носителей и технологии утечки света (LDD)
&Nbsp; 3.4.1 Нагревательное хлебное введение краткое введение
  3.4.2 Технология процесса двойной диффузии (DDD) и утечка света (LDD)
  3.4.3 Боковая стенка (проставка боковая стенка). Технология процесса
  3.4.4.
  3,5 металлическая силиконовая технология
  3.5.1 Технология процесса полицида
  3.5.2 Технология процесса салицида
  3.5.3 SAB Process Technology
  3.5.4 SAB и технология процесса салицидов
  3,6 технология инъекции ионов статического разряда
  3.6.1 Технология инъекции ионов электростатического разряда
  3.6.2 Инженерное применение технологии ионов электростатического разряда
  3.7 Металлическая технология взаимосвязанного соединения
  3.7.1 Контактное отверстие и через металлическое начин
  3.7.2 Алюминиевое металлическое соединение
  3.7.3 Медное металлическое соединение
  3.7.4 блокируя слой металл
  ссылка
  Глава 4 Интеграция процесса ремесла
  4.1 Sub -Micron CMOS Фронтальный процесс процесса процесса процесса технологии технологии технологии
  4.1.1 Подготовка субстрата
  4.1.2 Двойной процесс
  4.1.3 Процесс площади источника
  4.1.4 Процесс изоляции локоса
  4.1.5 процесс инъекции ионов порогового напряжения
  4.1.6 Процесс окислительного слоя сетки
  4.1.7 Процесс полисталлической кремниевой сетки
  4.1.8 Процесс инъекции ионов световой диск (LDD)
  4.1.9 Процесс боковой стены
  4.1.10 Процесс инъекции ионов источника
4.2 
  4.2.1 ILD процесс
  4.2.2 Процесс контактного отверстия
  4.2.3 Металлический слой 1 процесс
  4.2.4 Процесс IMD1
  4.2.5 Tongkou 1 процесс
  4.2.6 Процесс металлической емкости (MIM)
  4.2.7 Metal 2 процесс
  4.2.8 процесс IMD2
  4.2.9 Tong Kong 2 процесс
  4.2.10
  4.2.11 Процесс пассивации.
  4.3 Deep Microcomi CMOS Предыдущий процесс процесса технологии
  4.3.1 подготовка субстрата
  4.3.2 Процесс площади источника
  4.3.3 Процесс изоляции STI
  4.3.4 Двойной процесс
  4.3.5 Процесс окислительного слоя сетки
  4.3.6 Процесс поликристаллической кремниевой сетки
  4.3.7 Процесс инъекции ионов световой посвящения (LDD)
  4.3.8 Процесс боковой стены
  4.3.9 процесс впрыска ионов источника
  4.3.10 HRP -процесс
  4.3.11 Процесс салицида
  4.4 Technology Deep Microcomi CMOS Technology
  4.5 Nanometer CMOS -технологический процесс процесса процесса процесса
  4.6 Nanometer CMOS -технологический процесс процесса заднего процесса
  4.6.1 ILD процесс
  4.6.2 Процесс контактного отверстия
  4.6.3 Process Imd1
  4.6.4 Металлический слой 1 процесс
  4.6.5 процесс IMD2 1
  4.6.6 Проходы 1 и металлический слой 2 процесса 2
  4.6.7 Process Imd3
  4,6,8 Тонггун 2 и металл Lay 3 Процесс
  4.6.9 Process Imd4
  4.6.10
  4.6.11 Процесс пассивационного слоя,
  ссылка
 
  5,1 ват обзор
  5.1.1 Вт. Введение
  5,1,2 Ват Тип теста
  5,2 МОС. Условия проверки параметров
  5.2.1 пороговое напряжение V t  "
Введение
"Эта книга принимает фактическое применение в качестве отправной точки и вводит основную технологию процессов, производимая интегрированным производством схем один за другим. Введен процесс, такой как разработка технологии изоляции, технология фильма жесткого покрытия, технология процесса LDD, салицид Технология процесса, технология процесса ESD IMP, AL и Cu Metal Interconnection.Затем примените эти технологии к фактическому процессу процесса, чтобы читатели могли быстро освоить практическое применение конкретной технологии процесса.
 Эта книга также можно прочитать для студентов и учителей микроэлектроники и интегрированных цепей.