8 (905) 200-03-37 Владивосток
с 09:00 до 19:00
CHN - 1.14 руб. Сайт - 21.13 руб.

Подлинная бесплатная доставка Shenyan CMOS моделирование интегрированная конструкция конструкции схемы биполярного узла -типа транзистор BJT Оксид оксид полупроводник MOS Транзистор Абстрактная модель Электронная схема книга издательство

Цена: 1 082руб.    (¥51.2)
Артикул: 583238311288

Вес товара: ~0.7 кг. Указан усредненный вес, который может отличаться от фактического. Не включен в цену, оплачивается при получении.

Этот товар на Таобао Описание товара
Продавец:天下好图书专营店
Рейтинг:
Всего отзывов:0
Положительных:0
Добавить в корзину
Другие товары этого продавца
¥148.33 134руб.
¥921 944руб.
¥163.913 464руб.
¥124.82 638руб.
  • Информация о товаре
  • Фотографии

  Основная информация

Заголовок:  Shenian Micro CMOS моделирование интегрированной схемы Интегрированной конструкции
Автор: Bang-Sup Song
Издательство:  Science Press
Дата публикации: 
Версия: 1
ISBN: 9787030392176
Рыночная цена: 68.0
Оглавление
Основа глава 1
1.1 Точка стимулирования и функция передачи передачи
1.2 Частотная характеристика
1.3 Стабильность и суждение
1.4 Вычислительный усилитель для отрицательной обратной связи
1,5 Фаза Величества
1.6 Переходный ответ
1.7 Усилитель обратной связи
1.8 Роль обратной связи
1,9 левая половина плоскости и правая половина плоскости нулевой точка
1.10 Стабильность усилителя обратной связи
Глава 2 Дизайн
2.1 низкочастотная абстрактная модель транзистора
2.1.1 Большой сигнал
2.1.2 Малый сигнал
2.1.3 Cross -Guidance G.И выходное сопротивление
2.1.4
2.1.5 Эффект тела
2.2 Низкочастотный сопротивление точки стимулирования
2.3 Закон о отражении сопротивления
2.4 Три основных усилителя конфигурации
2,5 девять комбинированных усилителей
2.5.1 В общей сложности исходной структуры
2.5.2 Общая структура сетки общего источника
2,5,3 В общей сложности общего источника общего источника
2,5,4 Всего в общей сложности, в общей сложности сетки и в общей сложности в общей сложности в общей сложности структуры
2.5.5 Всего общей структуры источника
2.5.6 Всего общая структура сетки
2.5.7 Всего структур утечки
2.6 Разное
2.6.1 CO -Модель подавление
2.6.2 Симметричная функция передачи
2.7 Получить самоотдачу
2.7.1 Конфронтация нулевой полярности
2.7.2 Концепция самоотдачи других выгод
2.8 Предвзятость
2.8.1. Смещение структуры рукава амплитуды переключения сигнала
2.8.2 Сопоставление источника тока
2.9 Источник напряжения и источник тока
2.9.1 Источник тока с VCS и AVGS в качестве ссылки
2.9.2 Ссылка
Рекомендации
Глава 3 Удача - усилитель
3.1 Небольшой сигнальный модель усилителя операции
3.2 Частотная компенсация усилителя операции
3.2.1 Параллельная компенсация
3.2.2 Компенсация Polar Split Miller
3.3 Компенсация Miller для фазы усилителя
3.4 Двухверовой вычислительный усилитель для устранения технологии в правой половине плоскости правой половины плоскости
3.4.1 Вставьте сериал сопротивление
3.4.2 Используйте последователь источника полюса для формирования обратной связи
3.4.3 Используйте дополнительный уровень усиления
3.5 Переходная реакция усилителя расчета отрицательной обратной связи
3.5.1 Скорость давления
3.5.2 Полная пропускная способность мощности
3.6 Пример
3.6.1 Трехнологический рукав усилитель
……
Глава 4 Основа конвертера данных
Глава 5 Narquist Data Converter
Глава 6 Конвертер данных выборки
Глава 7 Высокий конвертер данных
Глава 8 Основа блокировки блокировки
Глава 9 Комплексная частота и восстановление часов
Введение


«Глубокий микрокно микрон моделирование CMOS Интегрированная конструкция цепи» фокусируется на конструкции цепи. Во -первых, введите абстрактную модель транзистора биполярного узла (BJT) и полупроводникового полупроводника (MOS), а затем ввести, как использовать транзистор Создайте большую систему.Основное содержание включает в себя: вычислительный усилитель, преобразователь данных, преобразователь данных nequest, преобразователь данных о перевертации данных, преобразователь данных с высоким уровнем определения, кольцо фазового блокировки, синтез частоты и восстановление часов и т. Д.Описание концепции конструкции симуляции в «Интегрированной конструкции моделирования CMOS Deep Micro Micron CMOS» будет прибегнуть к более интуитивным методам, а не к уточнительному выводу формулы.

«Интегрированная конструкция моделирования CMOS Deep Micro Micron CMOS» может использоваться в качестве справочника для студентов и аспирантов, связанных с инженерными колледжами. Его также можно прочитать для техников в полупроводнике и интегрированной конструкции.
Чтение в Интернете
СМИ обзор