[Dangdang.com] Интегрированное производственное производство и инженерное приложение индустрия индустрия индустрия
Вес товара: ~0.7 кг. Указан усредненный вес, который может отличаться от фактического. Не включен в цену, оплачивается при получении.
Описание товара
Учитель Вэнь Дантонг, этот «интегрированный процесс производства и инженерный процесс», общался со мной, когда я начал писать несколько лет назад. После прочтения первого проекта я был впечатлен сотнями ремесленных блок -схем, которые он нарисовал, и я глубоко восхищаюсь что эти картинки невидимы в текущих учебниках по технологии интегрированной схемы. Вот почему я решил, что эта книга должна использовать цветную печать.И учебники часто находятся в целостности системы знаний, и невозможно объяснить конкретный процесс процесса, так что подробно. должен иметь это. Благодаря своему опыту работы на Enterprise более десяти лет, он восполнил эти недостатки и представил этот шедевр читателям.
  как профессиональный специалист по микроэлектронике, я знаю, насколько сложны такие книги в письменной форме и как трудно найти автора, который готов написать такую книгу.Считается, что появление этой книги вносит большой вклад в область интегрированной схемы!Хотя это поле нишевое, оно отличается от традиционных учебников и имеет отличительные характеристики и целевые книги. Я всегда верил, что есть, и он очень большой.
  При написании, учитель Вен посчитал свою рукопись и старался быть кратким и ясным. Это не большой и всеобъемлющий учебник, но это ценная ссылка для мастерства. Я надеюсь получить полупроводниковые практики интегрированных цепи. Любимые.Так же, как слова, написанные учителем Вэнь на титульном листе: я хотел бы использовать эту книгу, чтобы посвятить всем друзьям, которые любят полупроводниковую индустрию!
Эксперты рекомендуют
  причины написания и написания
  спасибо
  Глава 1 Введение
  1.1 Rise CMOS -процесса технологии процесса процесса
  1.1.1 Technologe Technoloction Technoloction Technolock
  1.1.2 PMOS процесс процесса технологии введение
  1.1.3 NMOS процесса технологии введение
  1.1.4 CMOS процесса технологии введение
  1.2 Технология специального процесса процесса
  1.2.1 BICMOS Процесс процесса технологии введение
  1.2.2 BCD процесса технологии введение
  1.2.3 HV-CMOS процесса технологии введение
  1,3 MOS Интегрированная история разработки схем
  1.4 Разработка и вызов устройств MOS
  ссылка
  Глава 2 ТЕХНОЛОГИЯ
  2.1 технология процесса кремния
  2.1.1 Обзор технологии кремния кремния кремния
  2.1.2 Физический механизм деформации кремниевой технологии
  2.1.3.
  2.1.4 Упущения источника внедренная технология деформации SIGE
  2.1.5 Технология стрессовой памяти
   2.1.6 Технология деформации устойчивости к коррозии контакта.
  2.2 технология процесса HKMG
  2.2.1 Разработка и проблемы, с которыми сталкиваются слой сетки
&Nbsp; 2.2.2 квантовый эффект субстрата
  2.2.3 Поликристаллическая кремниевая сетка
  2.2.4 Эквивалентная толщина окисления сетки.
  2.2.5 Прямой прохождение туннеля сетки.
  2.2.6 Высоко -сирийский постоянный средний слой
  2.2.7 технология процесса HKMG
  2.2.8 Металлическая встроенная поликаристаллическая кремниевая сетка Технология процесса сетки
  2.2.9 Металлическая альтернативная технология процесса сетки
  2.3 технология процесса SOI
  2.3.1 SOS Technology
  2.3.2 SOI Technology
2.3.3 PD- SOI
2.3.4 FD- SOI
  2.4 Finfet и UTB-SOI Technology Technology
  2.4.1 Обзор разработки Finfet
  2.4.2 Принципы FINFET и UTB-SOI
  2.4.3 Технология процесса FINFET
  ссылка
  Глава 3 Интеграция ремесленника
  3.1 технология изоляции
  3,1,1 PN Technology Technology Technology
  3.1.2 Locos (локальное окисление кремния)
  3.1.3 STI (неглубокая канавка) технология изоляции
  3.1.4 Effect LOD
  3.2 технология процесса изданий Hard Mask Edition
  3.2.1 Введение в техническую технологию версии жесткой обложки фильма
  3.2.2 Инженерное применение технологии жесткой обложки пленки
  3,3 утечка, чтобы уменьшить эффект и уменьшить эффект и инъекцию ионов канала
  3.3.1 Утечка, чтобы уменьшить потенциал и уменьшить эффект
  3.3.2 инъекция пламени
  3.3.3 Глубокая утечка неглубоких источников
  3.3.4 Перевернутая ловушка
&Nbsp; 3.3.5 ловушка близок к эффектам
  3.3.6 Эффект анти -шорт -канала
  3,4 Технология процесса инъекции горячих носителей и технологии утечки света (LDD)
&Nbsp; 3.4.1 Нагревательное хлебное введение краткое введение
  3.4.2 Технология процесса двойной диффузии (DDD) и утечка света (LDD)
  3.4.3 Боковая стенка (проставка боковая стенка). Технология процесса
  3.4.4.
  3,5 металлическая силиконовая технология
  3.5.1 Технология процесса полицида
  3.5.2 Технология процесса салицида
  3.5.3 SAB Process Technology
  3.5.4 SAB и технология процесса салицидов
  3,6 технология инъекции ионов статического разряда
  3.6.1 Технология инъекции ионов электростатического разряда
  3.6.2 Инженерное применение технологии ионов электростатического разряда
  3.7 Металлическая технология взаимосвязанного соединения
  3.7.1 Контактное отверстие и через металлическое начин
  3.7.2 Алюминиевое металлическое соединение
  3.7.3 Медное металлическое соединение
  3.7.4 блокируя слой металл
  ссылка
  Глава 4 Интеграция процесса ремесла
  4.1 Sub -Micron CMOS Фронтальный процесс процесса процесса процесса технологии технологии технологии
  4.1.1 Подготовка субстрата
  4.1.2 Двойной процесс
  4.1.3 Процесс площади источника
  4.1.4 Процесс изоляции локоса
  4.1.5 процесс инъекции ионов порогового напряжения
  4.1.6 Процесс окислительного слоя сетки
  4.1.7 Процесс полисталлической кремниевой сетки
  4.1.8 Процесс инъекции ионов световой диск (LDD)
  4.1.9 Процесс боковой стены
  4.1.10 Процесс инъекции ионов источника
4.2  Sub -Micron CMOS -процесс процесса процесса процесса
  4.2.1 ILD процесс
  4.2.2 Процесс контактного отверстия
  4.2.3 Металлический слой 1 процесс
  4.2.4 Процесс IMD1
  4.2.5 Tongkou 1 процесс
  4.2.6 Процесс металлической емкости (MIM)
  4.2.7 Metal 2 процесс
  4.2.8 процесс IMD2
  4.2.9 Tong Kong 2 процесс
  4.2.10
  4.2.11 Процесс пассивации.
  4.3 Deep Microcomi CMOS Предыдущий процесс процесса технологии
  4.3.1 подготовка субстрата
  4.3.2 Процесс площади источника
  4.3.3 Процесс изоляции STI
  4.3.4 Двойной процесс
  4.3.5 Процесс окислительного слоя сетки
  4.3.6 Процесс поликристаллической кремниевой сетки
  4.3.7 Процесс инъекции ионов световой посвящения (LDD)
  4.3.8 Процесс боковой стены
  4.3.9 процесс впрыска ионов источника
  4.3.10 HRP -процесс
  4.3.11 Процесс салицида
  4.4 Technology Deep Microcomi CMOS Technology
  4.5 Nanometer CMOS -технологический процесс процесса процесса процесса
  4.6 Nanometer CMOS -технологический процесс процесса заднего процесса
  4.6.1 ILD процесс
  4.6.2 Процесс контактного отверстия
  4.6.3 Process Imd1
  4.6.4 Металлический слой 1 процесс
  4.6.5 процесс IMD2 1
  4.6.6 Проходы 1 и металлический слой 2 процесса 2
  4.6.7 Process Imd3
  4,6,8 Тонггун 2 и металл Lay 3 Процесс  
  4.6.9 Process Imd4
  4.6.10
  4.6.11 Процесс пассивационного слоя,
  ссылка
  глава 5 тест Wal (ват)
  5,1 ват обзор
  5.1.1 Вт. Введение
  5,1,2 Ват Тип теста
  5,2 МОС. Условия проверки параметров
  5.2.1 пороговое напряжение V t   Условия испытаний
  5.2.2 Насыщенный ток I dsat   Условия испытаний
5.2.3 ток утечки I off   Условия испытаний
  5.2.4
  5.2.5. sub   Условия испытаний
  5.3 Условия испытаний для параметров параметров уровня оксида метра
  5.3.1 емкость c gox   Условия испытаний
  5.3.2 Электрическая толщина t gox   Условия испытаний
  5.3.3 gox   Условия испытаний
  5.4 Условие испытания паразитных параметров MOS
  5,5 PN -соединительные условия испытания параметров
  5.5.1 емкость c jun   Условия испытаний
  5.5.2 jun   Условия испытаний
  Условия испытаний на 5,6 сопротивления блоков
  5.6,1 NW.
  5,6,2 ПВт
  5.6.3
  5.6.4 Условия испытаний для сопротивления блоков
  5.6.5 Условия испытаний для сопротивления сопротивления металлического блока
  5.7 Условия испытаний для сопротивления контакта
  5.7.1 Условия испытаний для сопротивления контакта
  5.7.2
  5.7.3 Условия испытаний для сопротивления сопротивления контакта
  5.8 Условия испытаний на изоляцию
  5.8.1 Условия испытаний для выделения AA
  5.8.2 Условия испытаний для выделения поли
  5.8.3 Условия испытаний для изоляции металла
  условия испытания для 5,9 конденсаторов
  5.9.1 Условия испытаний для конденсаторов
  5.9.2 Условия испытаний для напряжения разбивки конденсатора
  Postmoder
  ограниченный язык
......Эта книга принимает фактическое применение в качестве отправной точки и вводит основную технологию процессов, производимая интегрированным производством схем один за другим. Введен процесс, такой как разработка технологии изоляции, технология фильма жесткого покрытия, технология процесса LDD, салицид Технология процесса, технология процесса ESD IMP, AL и Cu Metal Interconnection.Затем примените эти технологии к фактическому процессу процесса, чтобы читатели могли быстро освоить практическое применение конкретной технологии процесса.
  Эта книга направлена на то, чтобы ввести полупроводниковую технологию для друзей, занимающихся полупроводниковой промышленностью, предоставляя инсайдерам отрасли справочником, который легко понять и в сочетании с фактическим применением.Эта книга также можно прочитать для студентов и учителей микроэлектроники и интегрированных цепей.
......Вендон, IC старший инженер -дизайнер.Окончил окончательный институт микроэлектроники Университета электронных наук и техники XI'AN, и работал в SMIC International Integrated Circuit Supricing Manufacturing (Shanghai) Co., Ltd., ответственный за интеграцию процесса процесса; впоследствии присоединился ., Ltd. Процесс, устройство, эффект блокировки и конструкция схемы ESD.