8 (905) 200-03-37 Владивосток
с 09:00 до 19:00
CHN - 1.14 руб. Сайт - 17.98 руб.

ТЕХНОЛОГО ТЕХНОЛОГО ТЕХНОЛОГИЯ ПОКУЛЬТАРА ИЗНАЧЕНИЯ ВТОРОЕ ИЗДАНИЕ ОПИТАЦИИ ОПИТА -ПАРАМЕТА ПАРАМЕТА МЕТОДА ПОЛУЧЕНИЯ ДВИДЕНИЯ ДВИДЕНЦИЯ Драйвера и метод управления применением применения полупроводникового осветительного устройства к световому излучающему механизм и технологии производства технологии производства

Цена: 1 079руб.    (¥60)
Артикул: 578114562919
Доставка по Китаю (НЕ включена в цену):
90 руб. (¥5)

Вес товара: ~0.7 кг. Указан усредненный вес, который может отличаться от фактического. Не включен в цену, оплачивается при получении.

Этот товар на Таобао Описание товара
Продавец:晓月草堂图书专营店
Адрес:Пекин
Рейтинг:
Всего отзывов:0
Положительных:0
Добавить в корзину
Другие товары этого продавца
¥47.7858руб.
¥29.6533руб.
¥647.411 563руб.
¥21.3383руб.
  • Информация о товаре
  • Фотографии

Название: Серия электронных технических технологий: технология полупроводникового освещения (издание)

Цена: 79,00 юань

Автор: клыка Жили

Пресса: электронная промышленная пресса

Дата публикации: 2018/4/1

ISBN: 9787121340369

Слова:

номер страницы:

Версия:

Фрагментация: пластичный порядок PACDER

Открыто: 16

Товарный вес:

Этот магазин представляет собой прямую поставку дистрибьюторов для каждого издателя, единообразно приобретенных, а каналы стандартизированы для обеспечения подлинной версии. Вы можете быть уверены, что это можно купить!

Цвет визуального цвета Чжан Гуан
11 Свет
111 Суть света
1 12 генерация света и распространение
11 3 Spectral Spectral People Eye Spectral
114 Оптическая наука и ее измерение
12 видение
121 как глаза оптической системы
122 визуальные функции и функции
13 Цвет
13 颜 1 Цветная природа
132 Комиссия по осветительству
13 色 3 Color Science и ее измерение
Чжан Гуангьюань
21 естественный источник света
21 阳 1 солнце
2  1  февраль и планета
22 Источник искусственного света
221 Изобретение и развитие искусственных источников света
222 лампа накаливания
223 Тушеная вольфрамовая лампа
22 荧 4 флуоресцентная лампа
225 натриевая лампа с низким давлением
226 High -Soltage LAMPAR
227 нет электродной загрязненной лампы
228 Everbright Diode
229 Освещение экономического учета
Глава 3 Введение в кристалл кристалл кристалл кристалл
31 Кристаллическая структура
311 Список пространства
31 晶 2 Кристаллическая поверхность и направление кристалла
313 Структура флэш -руды, алмазная структура и волокнистая цинковая руда структура
314 дефекты и их влияние на светящиеся
32 энергия со структурой
33 Электрические свойства полупроводниковых кристаллических материалов
33 费 1 Стоимость и перевозчик
33 载 2 Ставка дрейфа и миграции ссуды
333 удельное сопротивление и концентрация носителя
33 寿 4 продолжительность жизни
34 Условия для полупроводниковых световых материалов
341 Ширина полосы пропускания подходит
342 может получить кристаллы p -типа с высокой скоростью проводимости
343 может получить хорошие комплексные кристаллы
344 4 -Продолжительная вероятность составления высокой
Глава 4 Пример и Everbright полупроводника
41PN одобрение и его характеристики
411 Идеальный узел PN
412 Фактический узел PN
42 внедрить композит носителя
421 составной тип
422 Радиационный состав
423 Радиационный композит
4  3 конкуренция между радиационным и радиационным композитом
44 Гетерогенная структура и квантовая ловушка
441 Гетерогенная структура
44 量 2 квантовая ловушка
Глава 5 Система световой материалы с полупроводникой
51 галлий арсенид 砷
52 Фосфор
53 мышьяк -арсенид 磷
531GAAS060P040/GAAS
532 Влияние примесей и дефектов в кристаллах на эффективность освещения
54 铝 铝 Алюминиевый мышьяк
55 Алюминиевый фосфор
56 铟镓 азот
Глава 6 Разработка и особенности источника полупроводникового освещения
61 Разработка светящихся диодов
62 Метод роста осветительного диода.
63 Структура чипсов с высокой яркости светильника
631 Структура
632 Multi -QUANTUM TRAP (MQW) Структура
633 Структура распределенного Праги (DBR)
634 Прозрачный субстрат (TS)
Зеркальный субстрат (MS)
636 Прозрачный тип адгезии клея
637 Структура текстуры поверхности
64 Характерные параметры и требования светодиодов для освещения
641 легкие Flikes
642 Эффективность освещения
643 Индекс цветового рендеринга
64 色 4 Цветовая температура
64 寿 5 Жизнь
64 稳 6 стабильность
6 4 阻 7 термическое сопротивление
648 антистатическая производительность
Глава 7 Растущий материал фосфора арсенида, фосфоризированных и алюминиевых мышьяков
71 мышьяк -хризенизированный гидрогенизированный разгибание материала (HVPE)
72 Тепловой анализ системы удлинения гидрирования
73 принципы
74 фосфоризированное гидравлическое расширение
74 磷 1 Phosphorus 色 Зеленый эвербрайтный
742 Phosphorus 发 Рост удлинения материала из излучения красного света
75 Жидкое расширение алюминиевого мышьяка
Глава 8 Алюминиевые тривофосфоры осветительных диодов
81Algainp Металл органический материал Химический газовый осаждение
81 源 1 исходный материал
812 Условие роста
81 器 3 рост устройства
82 Проблема производственных материалов для удлинительных материалов
821 Вопросы реактора: транспорт и лечение с пустым обработкой
822 Важность единообразия
823 Проблема качества источника
824. Проблема контроля цвета цвета
825 Проблема потери производства
83 текущее расширение
831 Улучшение контакта OHM
832p рост на субстрате
833 Уровень расширения тока.
834 окисление олова (ITO) (ITO)
84. Структура блокировки тока
85 Light выньте его
851 дизайн верхнего окна
85 衬 2 Поглощение субстрата
8 53 Распределенное отражение праги
854GAP Чип -соединение прозрачного подложки светодиода
855 клеяя адгезия (соединение сапфировых чипсов)
85 纹 6 Структура поверхности текстуры
86 Технология производства чипов
87 функции устройства
Глава 9 发 Диод излучающего азота.
91gan Рост
911 Несади чтобы Ган
912n Gan
913p Gan
914gan PN Knot светодиод
92inan рост
921 Необычный Инган
92 掺 2 легированного ингана
93ingan Led
931ingan/Gan Double Heterotene
932in/Algan Double Heterogenous Led
93 3ingan MSIPP (SQW) Структура светодиода
934 высокая яркости зеленый и синий светодиод
93 5ingan Multi -Meter Sonal Trap (MQW) Структура светодиода
93 紫 6 УФ -светодиод
937Algan Deep UV LED
93 硅 8 Силиконовая линия Gan Blu -Ray Led
94 несколько важных технических проблем, которые улучшают качество и снижают затраты
94 衬 1 субстрат
942 буферный слой
943 лазерное погружение (LLO)
94 氧 4 окисление олова (ITO) (ITO)
945 Структура текстуры поверхности
946 Graphical Prime Technology (PSS)
947 Microcarmark, связывающий диоды (MALED)
948 Photon -кристаллы (ПК) светодиод
949 металлический вертикальный фотонный светодиод (светодиод MVP)
Глава светодиодных технологий производства чипов
1 Технология световой резьбы
长 2 рост нитрида кремния
3 Диффузия
极 4 Ом контактный электрод
电 5ito Прозрачный электрод
6 Поверхность шероховатой
7 фотон -кристалл
（8 лазерная кожура
技术 9 Инвертированные чип -технологии
芯 Технология вертикальных структурных чипов
Вырезать 11 чипов
片 Разработка структуры чипов 12 -й
Глава 1 Белый свет Эвербрайт Диоды
111 Цели развития источника света в новом веке
112 Искусственный белый свет
1121.
1122 двух -базовая цветовая система
1123 много -базовая цветовая система
113 Флуоресцентное преобразование белого светодиода
1131 Два основных флуоресцентных трансформаций белого светодиода
1132 Multi -Base флуоресцентное трансформация белого светодиода
113 紫 3 УФ
114 Multi -Chip белый свет светодиод
1141 два -базовые много -кладовые светодиоды белого света
1142 политизированный много -кладовый светодиод белого света
Глава 2 Технология светодиодной упаковки
121Led Design Devision
1211 Принципы дизайна
1212 Электрический дизайн
1213 Тепловой дизайн
1214 Оптический дизайн
12155 Визуальные факторы
12220 Технология упаковки
1221 Little Power LED упаковка
1222SMD светодиодный пакет
122 芯 3 Чип -пакет (CSP)
1224 4 Большая светодиодная упаковка тока
1225 Power LED Package
1226 Светодиодный компонент мощности
122 铟镓 7 антистатические меры азота светодиода
ГЛАВА 3 ТЕСТ ЭВС
13 件 1 Эффективность осветительного устройства
13 光 1 发 1 Эффективность освещения
13 率 1 功 2 Эффективность энергии
13 量 1 3 Квантовая эффективность
13 数 2 электрические параметры
13 伏 2 1 Vodiat Nature
13 电 2 总 2 Общая емкость
13 性 3 параметры оптических функций——
13 参 4 оптический параметр
13 向 4 法 1 Метод для измерения света Qiang I0
13 光 4 发 2 Распределение угла интенсивности освещения (угол полуинтенсивности и угол отклонения)
13 光 4 总 3 Измерение полного потока света
13 量 4 4 объемная передача
13 学 5 Параметр Color Science
13 谱 5 光 1 кривая спектрального распределения
13 电 5 光 2 координаты измерения метода оптического венчурного метода
13 数 6 тепловые параметры (температура узла, тепловое сопротивление)
13 7 Статическая толерантность
Глава 4 Надежность светового диода
14 靠 1Led Concept
14 靠 1 可 1 Значение надежности
14 靠 1 可 2 Определение надежности
14d1le3led концепции надежности
14 失 2Led Анализ сбоев
14 芯 2 1 деградация чипа
14 氧 2 环 2 Анализ жизни эпоксидного пластика
14 芯 2 管 3 Жизненный анализ ядра трубки
14 荧 2 4 флуоресцентная деградация
14 试 3 тест на надежность
14 功 3 小 1 Тест на обстановку светодиодов в маленькой мощности
14 率 3 功 2 Тест на светодиодную среду мощности
14 试 4 жизненного теста
14 磷 4 1 Жизненное испытание фосфоризации  световое устройство
14 率 4 功 2 Светодиод мощности (белый свет) Проверка длительного трудового срока службы
14 速 4 加 3 испытания на срок службы ускорения
14 5 Проверка надежности
14 率 5 功 1 Старение мощности
14 温 5 高 2 Высокое старение высокого температуры
14 湿 5 3 Тест на влажность
14 低 5 高 4 высокого и низкого температурного цикла
14 项目 5 其他 5 Выбор других элементов
14 验 6 Экзамена и оценка и прием принятия
14 行 6 例 1 тест на терму
14 鉴 6 2 Тест на принятие оценки
Глава 5 Органические диоды Everbright
151 Материал органического освещения
1511 Маленькая молекула органическое вещество
1512 Полимерный полимер
1513 属 Металлическое органическое соединение
152 Структура и принцип диода излучающего света органического света
153OL для достижения белого света.
1531 преобразование длины волны
153 颜 2 цветовой смешивание
154 Драйвер диода органического освещения света
155 Органические эвербрайт -диоды статус исследований и разработок
Глава 6 Драйвер освещения и управление полупроводниковым освещением
16 驱 1Led Technology Technology Technology
16D1LE1LED от электрических характеристик
16 源 1 电 2 План силового привода
16 驱 1 3 базовый план привода схемы
16d1le4led Характеристики драйвера
16d1le5led и матч водителя
16 驱 2 -й водитель
16 容 2 电 1 конденсатор анти -напряженный светодиодный привод
16 感 2 电 2 индуктивного светодиодного водителя
16 荷 2 电 3 светодиодный водитель заряда насоса
16D2LE4LED CONSUTANT DIVER
16 成 3LED интегрированный приводной цепь
16 荷 3 电 1 Типичная схема вождения
16 关 3 开 2 Переключение DC/DC Converter Driv
16 限 3 3 Переключатель палки TPS2014/TPS2015
16 六 3 4 Шестой LandsListed Белый светодиодный светодиодный привод Max8790
16 成 3 集 5 интегрированных диодов Schterge, постоянный ток белого светодиода LT3591
16 功 3 低 6 Низкий энергопотребление высокое яркости светодиодное водитель LM3404
16 有 3 具 7 16 -канальный светодиодный драйвер AS11 с диагностической функцией
16 压 3 高 8 высокого уровня линейного постоянного тока
16 制 4 Технология управления
16 光 4 调 1 освещение
16 色 4 调 2 цветового миксера
16 色 4 调 3 температура смешивания цвета
16 能 4 智 4 Умное освещение
Глава 7 Применение полупроводникового освещения
17 照 1 Принципы разработки продукта продукта полупроводникового освещения
17 从 1 要 1 Разработка и применение продуктов из преимуществ светодиода
17 产品 1 应用 2 Суждение о запуске рынка продуктов приложения——
17 产品 1 应用 3 Технический ключ к применению продуктов - рассеяние тепла
17 遵 1 4 Следуйте принципу принципа власти от низкого до высокого, технологии от простых до трудных
17 型 1 造 5 Модельный дизайн должен инновация
17 明 1 照 6 освещение освещения освещения
17 2 -й дисплей
17 体 2 总 1 Общая шкала разработки
17 技术 2 产品 2 Технология продукта идеально подходит
17 品 2 新 3 новых продукта продолжают расширяться
17 号 3 света сигнала движения
17 路 3 道 1 световой сигнал дорожного движения
17 路 3 铁 2 железнодорожного сигнального света
17 场 3 机 3 сигнальный свет аэропорта
17 标 3 航 4 лейбл Voyage
17 障 3 路 5 уличный барьерный свет
17 空 3 航 6 авиационных препятствий свету
17 照 4 ландшафтного освещения
17 4 城市 1 Функция городского ландшафтного освещения
17 源 4 光 2 Источник света выберите светодиод
17d4le3led ландшафтные лампы
17d4le4led ландшафтное освещение типичное проект
17 景 4 5 Стандартизированное ландшафтное освещение
17 手机 5 Приложение для мобильного телефона
17 灯 6 автомобильных огней
17 显示 7lcd -дисплей подсветка
17 7 小 1 Панель малого размера. Технология источника света и рыночные условия
17 小 7 中 2 малых и средних панельных технологий источника света и рыночных условий
17 大 7 中 3 Технологии и рыночные условия больших источников света панелей в панелях большого размера
17 尺 7 大 4 4 Большой панели -обратной технологии источника света и рыночных условий
17 明 8 Общее освещение
17 携 8 便 1 Портативное освещение
17 室 8 2 Внутреннего освещения
17 室 8 3 наружное освещение
17 率 9 Общая эффективность источника света и системы освещения
Глава 8 Качество света полупроводникового освещения
18 度 1 Чистота цвета
18 性 2 цветового рендеринга
18 色 2 显 1 Индекс цветового рендеринга
18 色 2 光 2 Система качества света
18e2i3ies TM30-15 Метод оценки цвета источника света
181241

Эта книга представляет полупроводниковые осветительные устройства———Система контента и всеобъемлющая эту книгу, благодаря теоретической связи, фокус высокий“&Тема rdquo;

Этот магазин представляет собой прямую поставку дистрибьюторов для каждого издателя, единообразно приобретенных, а каналы стандартизированы для обеспечения подлинной версии. Вы можете быть уверены, что это можно купить!

Фан Чжили родился в Цзянсу Цзянген в феврале 1938 года.Он окончил Университет Фудана в 1961 году и остался в школе.Директор Китая Эвербрайт Общество.Член Профессионального комитета Световой связи Шанхайского общества связи.