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[半导体照明技术 第二版 器件光电参数测试方法可靠性分析驱动和控制方法应用 半导体照明器件发光二极管材料机理及制造技术书籍]

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[书名:电子工程技术丛书:半导体照明技术(版)]

[定价：79.00元]

[作者:方志烈]

[出版社：电子工业出版社]

[出版日期：2018/4/1]

[ISBN：9787121340369]

[字数：]

[页码：]

[版次：]

[装帧：平装-胶订]

[开本：16开]

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[章光视觉颜色]
[11光]
[111光的本质]
[112光的产生和传播]
[113人眼的光谱灵敏度]
[114光度学及其测量]
[12视觉]
[121作为光学系统的人眼]
[122视觉的特征与功能]
[13颜色]
[131颜色的性质]
[132照明委员会色度学系统]
[133色度学及其测量]
[章光源]
[21自然光源]
[211太阳]
[212月亮和行星]
[22人工光源]
[221人工光源的发明与发展]
[222白炽灯]
[223卤钨灯]
[224荧光灯]
[225低压钠灯]
[226高压放电灯]
[227无电极放电灯]
[228发光二极管]
[229照明的经济核算]
[第3章半导体发光材料晶体导论]
[31晶体结构]
[311空间点阵]
[312晶面与晶向]
[313闪锌矿结构、金刚石结构和纤锌矿结构]
[314缺陷及其对发光的影响]
[32能带结构]
[33半导体晶体材料的电学性质]
[331费能级和载流子]
[332载流子的漂移和迁移率]
[333电阻率和载流子浓度]
[334寿命]
[34半导体发光材料的条件]
[341带隙宽度合适]
[342可获得电导率高的p型和n型晶体]
[343可获得完整性好的晶体]
[344发光复合概率大]
[第4章半导体的激发与发光]
[41pn结及其特性]
[411理想的pn结]
[412实际的pn结]
[42注入载流子的复合]
[421复合的种类]
[422辐射型复合]
[423辐射型复合]
[43辐射与辐射复合之间的竞争]
[44异质结构和量子阱]
[441异质结构]
[442量子阱]
[第5章半导体发光材料体系]
[51砷化镓]
[52磷化镓]
[53磷砷化镓]
[531GaAs060P040/GaAs]
[532晶体中的杂质和缺陷对发光效率的影响]
[54镓铝砷]
[55铝镓铟磷]
[56铟镓氮]
[第6章半导体照明光源的发展和特征参量]
[61发光二极管的发展]
[62发光二极管材料生长方法]
[63高亮度发光二极管芯片结构]
[631单量子阱（SQW）结构]
[632多量子阱（MQW）结构]
[633分布布拉格反射（DBR）结构]
[634透明衬底技术（Transparent Substrate，TS）]
[635镜面衬底（Mirror Substrate，MS）]
[636透明胶质黏结型]
[637表面纹理结构]
[64照明用LED的特征参数和要求]
[641光通量]
[642发光效率]
[643显色指数]
[644色温]
[645寿命]
[646稳定性]
[647热阻]
[648抗静电性能]
[第7章磷砷化镓、磷化镓、镓铝砷材料生长]
[71磷砷化镓氢化物气相外延生长（HVPE）]
[72氢化物外延体系的热力学分析]
[73液相外延原理]
[74磷化镓的液相外延]
[741磷化镓绿色发光材料外延生长]
[742磷化镓红色发光材料外延生长]
[75镓铝砷的液相外延]
[第8章铝镓铟磷发光二极管]
[81AlGaInP金属有机物化学气相沉积通论]
[811源材料]
[812生长条件]
[813器件生长]
[82外延材料的规模生产问题]
[821反应器问题:输送和排空处理]
[822均匀性的重要性]
[823源的质量问题]
[824颜色控制问题]
[825生产损耗问题]
[83电流扩展]
[831欧姆接触的改进]
[832p型衬底上生长]
[833电流扩展窗层]
[834氧化铟锡（ITO）]
[84电流阻挡结构]
[85光的取出]
[851上窗设计]
[852衬底吸收]
[853分布布拉格反射LED]
[854GaP晶片黏结透明衬底LED]
[855胶质黏着（蓝宝石晶片黏结）]
[856纹理表面结构]
[86芯片制造技术]
[87器件特性]
[第9章铟镓氮发光二极管]
[91GaN生长]
[911未掺杂GaN]
[912n型GaN]
[913p型GaN]
[914GaN pn结LED]
[92InGaN生长]
[921未掺InGaN]
[922掺杂InGaN]
[93InGaN LED]
[931InGaN/GaN双异质结LED]
[932InGaN/AlGaN双异质结LED]
[933InGaN单量子阱（SQW）结构LED]
[934高亮度绿色和蓝色LED]
[935InGaN多量子阱（MQW）结构LED]
[936紫外LED]
[937AlGaN深紫外LED]
[938硅衬底GaN蓝光LED]
[94提高质量和降低成本的几个重要技术问题]
[941衬底]
[942缓冲层]
[943激光剥离（LLO）]
[944氧化铟锡（ITO）]
[945表面纹理结构]
[946图形衬底技术（PSS）]
[947微矩阵发光二极管（MALED）]
[948光子晶体（Photonic Crystal，PC）LED]
[949金属垂直光子LED（MVP LED）]
[第章LED芯片制造技术]
[1光刻技术]
[2氮化硅生长]
[3扩散]
[4欧姆接触电极]
[5ITO透明电极]
[6表面粗化]
[7光子晶体]
[8激光剥离（Laser Liftoff，LLO）]
[9倒装芯片技术]
[垂直结构芯片技术]
[11芯片的切割]
[12LED芯片结构的发展]
[1章白光发光二极管]
[111新世纪光源的研制目标]
[112人造白光的化]
[1121发光效率和显色性的折中]
[1122二基色体系]
[1123多基色体系]
[113荧光转换白光LED]
[1131二基色荧光转换白光LED]
[1132多基色荧光转换白光LED]
[1133紫外LED激发多基色荧光]
[114多芯片白光LED]
[1141二基色多芯片白光LED]
[1142多基色多芯片白光LED]
[2章LED封装技术]
[121LED器件的设计]
[1211设计原则]
[1212电学设计]
[1213热学设计]
[1214光学设计]
[1215视觉因素]
[122LED封装技术]
[1221小功率LED封装]
[1222SMD LED的封装]
[1223芯片级封装（CSP）]
[1224大电流LED的封装]
[1225功率LED的封装]
[1226功率LED组件]
[1227铟镓氮类LED的防静电措施]
[3章发光二极管的测试]
[131发光器件的效率]
[1311发光效率]
[1312功率效率]
[1313量子效率]
[132电学参数]
[1321伏安特性]
[1322总电容]
[133光电特性参数]—&[mdash;光电响应特性]
[134光度学参数]
[1341法向光强I0的测定]
[1342发光强度角分布（半强度角和偏差角）]
[1343总光通量的测量]
[1344量值传递]
[135色度学参数]
[1351光谱分布曲线]
[1352光电积分法测量色度坐标]
[136热学参数（结温、热阻）]
[137静电耐受性]
[4章发光二极管的可靠性]
[141LED可靠性概念]
[1411可靠性的含义]
[1412可靠度的定义]
[1413LED可靠性的相关概念]
[142LED的失效分析]
[1421芯片的退化]
[1422环氧系塑料的寿命分析]
[1423管芯的寿命分析]
[1424荧光的退化]
[143可靠性试验]
[1431小功率LED环境试验]
[1432功率LED环境试验]
[144寿命试验]
[1441磷化镓发光器件的寿命试验]
[1442功率LED（白光）长期工作寿命试验]
[1443加速寿命试验]
[145可靠性筛选]
[1451功率老化]
[1452高温老化]
[1453湿度试验]
[1454高低温循环]
[1455其他项目的选用]
[146例行试验和鉴定验收试验]
[1461例行试验]
[1462鉴定验收试验]
[5章有机发光二极管]
[151有机发光二极管材料]
[1511小分子有机物]
[1512高分子聚合物]
[1513镧系金属有机化合物]
[152有机发光二极管的结构和原理]
[153OLED实现白光的途径]
[1531波长转换]
[1532颜色混合]
[154有机发光二极管的驱动]
[155有机发光二极管研发现状]
[6章半导体照明驱动和控制]
[161LED驱动技术]
[1611LED的电学性能特点]
[1612电源驱动方案]
[1613驱动电路基本方案]
[1614LED驱动器的特性]
[1615LED与驱动器的匹配]
[162LED驱动器]
[1621电容降压式LED驱动器]
[1622电感式LED驱动器]
[1623电荷泵式LED驱动器]
[1624LED恒流驱动器]
[163LED集成驱动电路]
[1631电荷泵驱动LED的典型电路]
[1632开关式DC/DC变换器驱动LED的典型电路]
[1633限流开关TPS2014/TPS2015]
[1634六路串联白光LED驱动电路MAX8790]
[1635集成肖特基二极管的恒流白光LED驱动器LT3591]
[1636低功耗高亮度LED驱动器LM3404]
[1637具有诊断功能的16通道LED驱动器AS11]
[1638高压线性恒流LED驱动电路]
[164控制技术]
[1641调光]
[1642调色]
[1643调色温]
[1644智能照明]
[7章半导体照明应用]
[171半导体照明应用产品开发原则]
[1711要从LED的优点出发开发应用产品]
[1712应用产品市场启动的判据]—&[mdash;照明成本]
[1713应用产品的技术关键是散热]
[1714遵循功率由低到高、技术由易到难的原则]
[1715造型设计要创新]
[1716照明灯具通则]
[172LED显示屏]
[1721总体发展规模]
[1722产品技术完善]
[1723新品继续拓展]
[173交通信号灯]
[1731道路交通信号灯]
[1732铁路信号灯]
[1733机场信号灯]
[1734航标灯]
[1735路障灯]
[1736航空障碍灯]
[174景观照明]
[1741城市景观照明的功能作用]
[1742光源选择以LED为佳]
[1743LED景观灯具]
[1744LED景观照明典型工程]
[1745景观照明走向规范化]
[175手机应用]
[176汽车用灯]
[177LCD显示背光源]
[1771小尺寸面板背光源的技术和市场状况]
[1772中小尺寸面板背光源的技术和市场状况]
[1773中大尺寸面板背光源的技术和市场状况]
[1774大尺寸面板背光源的技术和市场状况]
[178通用照明]
[1781便携式照明]
[1782室内照明]
[1783室外照明]
[179光源效率和照明系统整体效率]
[8章半导体照明的光品质]
[181色纯度]
[182显色性]
[1821显色指数]
[1822光色品质量值系统]
[1823IES TM30-15光源显色性评价方法]
[18241]

[本书在介绍半导体照明器件]——&[mdash;发光二极管的材料、机理及其制造技术的同时，详细讲解了器件的光 电参数测试方法，器件的可靠性分析、驱动和控制方法，以及各种半导体照明的应用技术。本书内容系统、 全面，通过理论联系实际，重点突出了 ]&[ldquo;半导体照明]&[rdquo;主题，反映了外*的应用技术。]

[暂无相关介绍，本店为各大出版社授权经销商，确保出版社正版产品，亲可以放心选购！]

[方志烈，1938年2月出生于江苏江阴。1961年毕业于复旦大学并留校任教，现任该校教授。中国发光学会理事。上海市通信学会光通信专业委员会委员。]