Подлинная интегрированная схема производства и инженерное приложение интегрированная схема нано -интугрированная процесс изготовления схем Wendong, Wenditong, специальная интегрированная цепь разработка Практическая учебная учебная программа CMOS Интегрированная конструкция схемы
Вес товара: ~0.7 кг. Указан усредненный вес, который может отличаться от фактического. Не включен в цену, оплачивается при получении.
Описание товара
| Процесс интегрированного производства и инженерного применения | ||
 | Ценообразование | 99.00 |
| Издатель | Машиностроительная промышленность Пресса | |
| Издание | 1 | |
| Опубликованная дата | Август 2018 года | |
| формат | 16 | |
| автор | Вендон | |
| Украсить | Оплата в мягкой обложке | |
| Количество страниц | | |
| Число слов | | |
| Кодирование ISBN | 9787111598305 | |
| масса | | |
"Рекомендация семьи Чжуан
  причины написания и написания
  спасибо
  Глава 1 Введение
  1.1 Rise CMOS -процесс технологии процесса процесса
  1.1.1.
  1.1.2 PMOS процесс процесса технологии введение
  1.1.3 NMOS процесс процесса технологии введение
  1.1.4 CMOS процесса технологии введение
  1.2 Технология специального процесса процесса
  1.2.1 BICMOS Процесс процесса технологии введение
  1.2.2 BCD процесса технологии введение
  1.2.3 HV-CMOS Процесс процесса технологии введение
  1,3 МОС ИСТОРИЯ НАСТОЯЩИХ ИСТОРИИ
  1.4. Разработка и проблемы устройств MOS столкнулись
  ссылка
  Глава 2 ТЕХНОЛОГИЯ
  2.1 Технология кремниевой технологии.
  2.1.1 Обзор технологии кремния кремния кремния
  2.1.2 Физический механизм кремниевой технологии кремния
  2.1.3.
  2.1.4 Упущения источника внедренная технология деформации SIGE
  2.1.5 технология стрессовой памяти
   2.1.6 Технология деформации устойчивости к коррозии контакта.
  2,2 технология процесса HKMG
  2.2.1 Разработка и проблемы, с которыми сталкиваются слой сетки затвора
2.2.2 квантовый эффект субстрата
  2.2.3 поликристаллические кремниевые руины
 
  2.2.5 Прямая сетчатая туннель
 
  2.2.7 Technology HKMG Technology
  2.2.8.
 
  2,3 технология процесса SOI
  2.3.1 SOS Technology
  2.3.2 SOI Technology
2.3.3 PD- SOI
2.3.4 FD- SOI
  2.4 FINFET и UTB-SOI TECHNOLCH
  2.4.1 Обзор разработки Finfet
  2.4.2 Принципы FINFET и UTB-SOI
  2.4.3 Технология процесса FINFET
  ссылка
  Глава 3 Интеграция ремесленника
  3.1 технология изоляции
  3,1,1 PN Technology Technology Technology
  3.1.2 Locos (локальное окисление кремния)
  3.1.3 STI (неглубокая канавка) технология изоляции
  3.1.4 Effect LOD
 
  3.2.1 Введение в техническую технологию версии жесткой обложки фильма
  3.2.2 Инженерное применение технологии жесткой обложки пленки
  3,3 утечка, чтобы уменьшить эффект и уменьшить эффект и инъекцию ионов канала
  3.3.1 Утечка, чтобы уменьшить потенциал и уменьшить эффект
  3.3.2 инъекция пламени
  3.3.3 Глубокая утечка неглубоких источников
  3.3.4 Перевернутая ловушка
&Nbsp; 3.3.5 ловушка близок к эффектам
  3.3.6 Эффект анти -шорт -канала
  3.4
&Nbsp; 3.4.1 Нагревательное хлебное введение краткое введение
  3.4.2 Технология процесса двойной диффузии (DDD) и утечка света (LDD)
  3.4.3 Боковая стенка (проставка боковая стенка). Технология процесса
  3.4.4.
 
  3.5.1 Технология процесса полицида
  3.5.2 Технология процесса салицида
  3.5.3 SAB Process Technology
  3.5.4 SAB и технология процесса салицидов
  3,6 технология инъекции ионов статического разряда
  3.6.1 Технология инъекции ионов электростатического разряда
  3.6.2 Инженерное применение технологии ионов электростатического разряда
  3.7 Металлическая технология взаимосвязанного соединения
  3.7.1 Контактное отверстие и через металлическое начин
  3.7.2 Алюминиевое металлическое соединение
  3.7.3 Медное металлическое соединение
  3.7.4 блокируя слой металл
  ссылка
  Глава 4 Интеграция процесса ремесла
 
  4.1.1 Подготовка субстрата
  4.1.2 Двойной процесс
 
  4.1.4 Процесс изоляции локоса
  4.1.5 процесс инъекции ионов порогового напряжения
  4.1.6 Процесс окислительного слоя сетки
  4.1.7 Процесс полисталлической кремниевой сетки
  4.1.8.
 
  4.1.10 Процесс инъекции ионов источника
4.2  Sub -Micron CMOS -процесс процесса процесса процесса
  4.2.1 ILD процесс
  4.2.2 Процесс контактного отверстия
 
  4.2.4 Процесс IMD1
  4.2.5 Tonghong 1 процесс
 
 
  4.2.8 процесс IMD2
  4.2.9 Tong Kong 2 процесс
 
  4.2.11 Процесс пассивального уровня
 
  4.3.1 подготовка субстрата
 
  4.3.3 Процесс изоляции STI
  4.3.4 Двойной процесс
  4.3.5 Процесс окислительного слоя сетки
  4.3.6 Процесс полисталлической кремниевой сетки
 
 
  4.3.9 Процесс инъекции ионов источника
  4.3.10 процесс HRP
  4.3.11 Процесс салицида
 
  4,5 Nanometer CMOS Предыдущий процесс технологии процесса
  4.6 Nanometer CMOS Technology Technology процесс процесса заднего процесса
  4.6.1 ILD процесс
  4.6.2 Процесс контактного отверстия
  4.6.3 Process Imd1
  4.6.4 Металлический слой 1 процесс
  4.6.5 процесс IMD2 1
  4.6.6 Проходы 1 и металлический слой 2 процесса 2
  4.6.7 Process Imd3
  4,6,8 Тонггун 2 и металл Lay 3 Процесс  
  4.6.9 Process Imd4
  4.6.10
  4.6.11 Процесс пассивационного слоя,
  ссылка
  глава 5 тест Wal (ват)
  5,1 ват обзор
  5.1.1 Вт. Введение
  5,1,2 Ват Тип теста
 
  5.2.1 пороговое напряжение V t  "
"Эта книга принимает фактическое применение в качестве отправной точки и вводит основную технологию процессов, производимая интегрированным производством схем один за другим. Введен процесс, такой как разработка технологии изоляции, технология фильма жесткого покрытия, технология процесса LDD, салицид Технология процесса, технология процесса ESD IMP, AL и Cu Metal Interconnection.Затем примените эти технологии к фактическому процессу процесса, чтобы читатели могли быстро освоить практическое применение конкретной технологии процесса.
  Эта книга направлена на то, чтобы ввести полупроводниковую технологию для друзей, занимающихся полупроводниковой промышленностью, предоставляя инсайдерам отрасли справочником, который легко понять и в сочетании с фактическим применением.Эта книга также можно прочитать для студентов и учителей микроэлектроники и интегрированных цепей.
"