Официальный веб -сайт подлинный интегрированный процесс производства и инженерный приложение Wenditong Strain Technology Technology HKMG SOI FINFET Версия Hard Mask Version LDD Salide ESD Imp Al и Cu Metal Interconnection
Цена: 1 238руб. (¥68.8)
Артикул: 575123909975
Доставка по Китаю (НЕ включена в цену):
90 руб. (¥5)
Вес товара: ~0.7 кг. Указан усредненный вес, который может отличаться от фактического. Не включен в цену, оплачивается при получении.
Описание товараПродавец:鑫达图书专营店
Рейтинг:
Всего отзывов:0
Положительных:0
Добавить в корзину
Другие товары этого продавца
¥ 80 53.8968руб.
¥ 276 193.23 474руб.
¥591 061руб.
¥ 80 56.81 022руб.
|   Основная информация о продукте | |
| наименование товара: |   интегрированное производственное процесс и инженерное применение |
| Автор: |   Вендон |
| Рыночная цена: | 99.00 |
| Номер ISBN: | 9787111598305 |
| Версия: | 1-1 |
| Дата публикации: | |
| Количество страниц: | 241 |
| Слова: | 360 |
| Издательство: |   Machinery Industry Press |
|   каталог | |
| Эксперты рекомендуют Причины письма и написания Спасибо Глава 1 Введение 1.1 Rise CMOS -процесс технологии процесса 1.1.1 Введение 1.1.2 PMOS Процесс процесса технологии введение 1.1.3 NMOS процесса процесса технологии введение 1.1.4 Введение в технологию технологий процессов CMOS 1.2 Технология специального процесса процесса 1.2.1 Краткое введение 1.2.2 Профиль технологии процесса процесса BCD. 1.2.3 Введение технологии процесса процесса HV-CMOS. 1.3 История развития интегрированной схемы MOS 1.4 Разработка и вызов устройств MOS Рекомендации Глава 2 Усовершенствованная технология процесса процесса 2.1 ТЕХНОЛОГО ТЕХНОЛОГО ТЕХНОЛОГО ТЕХНОЛОГИЯ 2.1.1 Обзор технологии кремния кремния 2.1.2 Физический механизм кремниевой технологии 2.1.3 Упущения источника внедренной технологии штамма SIC. 2.1.4 Источник 2.1.5 Технология стрессовой памяти 触 2.1.6 Technology Technology Technology Technology Display Layer Carbing Carbing Blocking Lay 2.2 Технология процесса HKMG 2.2.1. Разработка и проблемы, с которыми сталкивается слой материала ракетки 2.2.2 Квантовой эффект субстрата 2.2.3. 2.2.4 Эквивалентная толщина окисления сетки. 2.2.5 ПИЛОВЫЙ ПИТАЛЬНЫЙ ПРЕДВАРИТЕЛЬНЫЙ ТУННАЛ ПРОТИВ 2.2.6 Высокий средний слой с высоким содержанием среднего уровня 2.2.7 Технология процесса HKMG 2.2.8 Металлические встроенные в технологию поликристаллической кремниевой сетки 2.2.9 Металлическая альтернативная технология процесса сетки 2.3 Технология процесса SOI 2.3.1 SOS Technology 2.3.2 SOI Technology 2.3.3 PD- SOI 2.3.4 FD- SOI 2.4 Технология процесса FINFET и UTB-SOI 2.4.1 Обзор разработки FINFET 2.4.2 Принципы FINFET и UTB-SOI 2.4.3 Технология процесса Finfet Рекомендации Глава 3 Интеграция ремесленника 3.1 Технология изоляции 3.1.1 Технология изоляции соединения PN 3.1.2 Технология выделения кремния (окисление кремния) 3.1.3 технология изоляции STI (мелкая канавка) 3.1.4 Эффект LOD 3.2 Тяжелая технология кинотехнологии. 3.2.1 Введение 3.2.2 Инженерное применение технологии процесса версии жесткой маски. 3.3 Утечка для уменьшения эффекта и инфузии иона канала 3.3.1 Утечка, чтобы уменьшить эффект и уменьшить эффект 3.3.2 Инъекция ионов пролавки кольца 3.3.3 Утечка мелкого источника глубоко 3.3.4 Перевернутая ловушка 3.3.5 Турбальный соседний эффект 3.3.6 Эффект анти -шорт -канала 3.4 Эффект впрыска тепловой нагрузки и технологии процесса света (LDD) 3.4.1 Введение 3.4.2 Технология процесса двойной диффузии (DDD) и технология смешивания света (LDD) 3.4.3 Технология процесса боковой стенки космической стенки 3.4.4 Инженерное применение светоизобравшихся ионов впрыск и технологии процесса боковой стены 3.5 Металлическая силиконовая технология 3.5.1 Технология процесса полицида 3.5.2 Технология процесса салицида 3.5.3 SAB Process Technology 3.5.4 Инженерные применения технологий SAB и технологий салицидных технологий 3.6 Технология инъекции ионов статического разряда 3.6.1 Технология инъекции ионов статического разряда 3.6.2 Инженерное применение технологии впрыска электростатических разрядов ионов 3.7 Металлическая технология взаимосвязанного соединения 3.7.1 Заполните контактные отверстия и через металлы -отверстия 3.7.2 Алюминиевая металлическая взаимосвязь 3.7.3 Медное металлическое соединение 3.7.4 Блокирующий слой металл Рекомендации Глава 4 Интеграция ремесленного процесса 4.1 Технологический процесс процесса процесса процесса с фронтальным процессом Micro -Micron CMOS 4.1.1 Подготовка 4.1.2 4.1.3 Процесс площади источника 4.1.4 Процесс изоляции локомо 4.1.5 Процесс инъекции ионов порогового напряжения 4.1.6 Процесс окисления криша. 4.1.7 Процесс поликристаллической кремниевой сетки 4.1.8 Процесс инъекции ионов света (LDD) 4.1.9 Процесс боковой стены 4.1.10 Процесс впрыска ионов источника 4.2 Micro Mi Mi CMOS процесс технологического процесса заднего технологического процесса 4.2.1 Процесс ILD 4.2.2. Репетиторство контактного отверстия 4.2.3 Металлический слой 1 процесс 4.2.4 Процесс IMD1 4.2.5 Tongkou 1 процесс 4.2.6 Процесс металлической емкости (MIM) 4.2.7 Metal 2 Процесс 4.2.8. Процесс IMD2 4.2.9 Tongkou 2 Процесс 4.2.10 Top -Level Metal Process 4.2.11 Процесс слоя пассивации 4.3 Deep Asian Micro Mi CMOS Предыдущий процесс процесса 4.3.1 Подготовка 4.3.2 Процесс исходной площади 4.3.3 Процесс изоляции STI 4.3.4. 4.3.5 Процесс окисления криша. 4.3.6 Процесс поликристаллической кремниевой сетки 4.3.7 Процесс инъекции ионов света (LDD) 4.3.8 Процесс боковой стены 4.3.9 Процесс впрыска ионов источника 4.3.10 процесс HRP 4.3.11 Процесс салицида 4.4 Shenya Micro Mi CMOS Технология задней части сечения 4.5 Nanometer CMOS -технологический процесс процесса процесса процесса 4.6 Nano -cmos задний технологический процесс 4.6.1 ILD Процесс 4.6.2 Контактные отверстия 4.6.3 Процесс IMD1 4.6.4 Металлический слой 1 процесс 4.6.5 Process 1 IMD2 4.6.6 Процесс 1 и металлический слой 2 Процесс 2 4.6.7 Процесс IMD3 4.6.8 Tongkou 2 и металлический слой 3 ремесла 4.6.9 Процесс IMD4 4.6.10 Top -Layer Metal AL процесс 4.6.11 Классификация слоя пассивации, Рекомендации Глава 5 Стены, принимающие тест (ват) 5.1 Ват обзор 5.1.1 Вт. Введение 5.1.2 Ват тип теста 5.2 Условия испытаний для параметров MOS 5.2.1 Условия испытаний для порогового напряжения V T 5.2.2 Условия испытаний для насыщенного тока I DSAT 5.2.3 Условия испытаний на ток утечки I OFF 5.2.4 Условия испытаний для BVD источника источника BVD 5.2.5. 5.3 Условия испытаний для параметров слоя окисления сетки 5.3.1 Условия испытаний на емкостный Кокс 5.3.2 Условия испытаний на электрическую толщину t gox 5.3.3 5.4 Условия тестирования паразитарных параметров MOS 5.5 Условия испытаний для параметров PN -соединения 5.5.1 Условия испытаний на емкостный C Jun 5.5.2. 5.6 Условия испытаний на сопротивление блоков 5.6.1 Условия испытаний для сопротивления сопротивления блока NW 5.6.2 Условия испытаний для сопротивления блока PW 5.6.3 Условия испытаний для сопротивления поли -блока 5.6.4 Условия испытаний для сопротивления блока AA 5.6.5 Условия испытаний для сопротивления металлической квадратной сопротивления 5.7 Условия испытаний для сопротивления контакта 5.7.1 Условия испытаний для контактного сопротивления AA 5.7.2 Условия испытаний для сопротивления сопротивления контакта 5.7.3 Условия испытаний для сопротивления сопротивления контакта с портами металлов 5.8 Условия испытаний для изоляции |
|   Введение | |
|   Эта книга принимает фактическое применение в качестве отправной точки и вводит основную технологию процессов, изготовленную интегрированными цепями один за другим. Внедрить типичное мастерство, такое как разработка технологии изоляции, технология фильмов с жестким покрытием, технология процесса LDD, процесс салицида Технология, технология процесса IMP ESD, Al и Cu Metal Interconnection.Затем примените эти технологии к фактическому процессу процесса, чтобы читатели могли быстро освоить практическое применение конкретной технологии процесса. Эта книга направлена на то, чтобы ввести полупроводниковую технологию для друзей, занимающихся полупроводниковой промышленностью, предоставляя те, кто в отрасли, справочник, который легко понять и в сочетании с фактическим применением.Эта книга также можно прочитать для студентов и учителей микроэлектроники и интегрированных цепей. |