8 (905) 200-03-37 Владивосток
с 09:00 до 19:00
CHN - 1.14 руб. Сайт - 21.13 руб.

ТЕХНОЛОГО ТЕХНОЛО ТЕХНОЛО ТОХОДА ПО полупроводнике (2 -е издание) Fang Zhilie отредактировала электронную электронную электронную промышленную издательство 9787121340369 Технология полупроводникового освещения № 2 [Синьхуа Книжный магазин Флагманский магазин официальный сайт]]

Цена: 1 262руб.    (¥59.7)
Артикул: 570551494038

Вес товара: ~0.7 кг. Указан усредненный вес, который может отличаться от фактического. Не включен в цену, оплачивается при получении.

Этот товар на Таобао Описание товара
Продавец:凤凰新华书店旗舰店
Адрес:Цзянсу
Рейтинг:
Всего отзывов:0
Положительных:0
Добавить в корзину
Другие товары этого продавца
¥ 161.5 1613 402руб.
¥30.6647руб.
¥5.5117руб.
¥221.064 671руб.
  • Информация о товаре
  • Фотографии


Параметры продукта

ТЕХНОЛОГО ТЕХНОЛОГО ТЕХНОЛОГИЯ ПОКУЛЬТАЦИИ (Версия D2)
Ценообразование79.00
ИздательЭлектронная промышленная пресса
Издание2
Опубликованная датаАпрель 2018 года
формат16
авторКлык Жили
УкраситьМягкая обложка в идеальном переплете
Количество страниц396
Число слов634000
Кодирование ISBN9787121340369

Каталог

Светлый визуальный цвет D1 
11 Свет 
111 Суть света 
1 12 генерация света и распространение 
11 3 Spectral Spectral People Eye Spectral 
114 Оптическая наука и ее измерение 
12 видение 
121 как глаза оптической системы 
122 визуальные функции и функции 
13 Цвет 
13 颜 1 Цветная природа 
132GJ Освещение WY Color Properties System 
13 色 3 Color Science и ее измерение 
D2 Источник света 
21 естественный источник света 
21 阳 1 солнце 
2  1  февраль и планета 
22 Источник искусственного света 
221 Изобретение и развитие искусственных источников света 
222 лампа накаливания 
223 Тушеная вольфрамовая лампа 
22 荧 4 флуоресцентная лампа 
225 натриевая лампа с низким давлением 
226 High -Soltage LAMPAR 
227 Нет электрических J Pink Lights 
228 Everbright Two J Tube 
229 Освещение экономического учета 
Глава D3 Введение в кристалл кристалл кристалл кристалл 
31 Кристаллическая структура 
311 Список пространства 
31 晶 2 Кристаллическая поверхность и направление кристалла 
313 Структура флэш -руды, алмазная структура и волокнистая цинковая руда структура 
314 дефекты и их влияние на светящиеся 
32 энергия со структурой 
33 Электрические свойства полупроводниковых кристаллических материалов 
33 费 1 Уровень энергии Ферми и поток носителей 
33 载 2 Ставка дрейфа и миграции ссуды 
333 удельное сопротивление и концентрация носителя 
33 寿 4 продолжительность жизни 
34 Условия для полупроводниковых световых материалов 
341 Ширина полосы пропускания подходит 
342 может получить кристаллы p -типа с высокой скоростью проводимости 
343 может получить высококачественные кристаллы с хорошей целостностью 
344 4 -Продолжительная вероятность составления высокой 
Глава D4 Увеличение и утечка полупроводника 
41PN одобрение и его характеристики 
411 Идеальный узел PN 
412 Фактический узел PN 
42 внедрить композит носителя 
421 составной тип 
422 Радиационный состав 
423 не -радиационный композит 
43 конкуренция между радиацией и нерадиационной композицией 
44 Гетерогенная структура и квантовая ловушка 
441 Гетерогенная структура 
44 量 2 квантовая ловушка 
D5 Глава полупроводниковая система световой материи 
51 галлий арсенид 砷 
52 Фосфор 
53 мышьяк -арсенид 磷 
531GAAS060P040/GAAS 
532 Влияние примесей и дефектов в кристаллах на эффективность освещения 
54 铝 铝 Алюминиевый мышьяк 
55 Алюминиевый фосфор 
56 铟镓 азот 
Глава D6 Разработка и особенности источника полупроводникового освещения 
61 Разработка излучения двух J -труб 
62 Освещение двух методов роста материала J -трубки 
63 Структура высокой яркости Everbright 2 J -Tube Structure 
631 Структура 
632 Multi -QUANTUM TRAP (MQW) Структура 
633 Структура распределенного Праги (DBR) 
634 Прозрачный субстрат (TS) 
Зеркальный субстрат (MS) 
636 Прозрачный тип адгезии клея 
637 Структура текстуры поверхности 
64 Характерные параметры и требования светодиодов для освещения 
641 легкие Flikes 
642 Эффективность освещения 
643 Индекс цветового рендеринга 
64 色 4 Цветовая температура 
64 寿 5 Жизнь 
64 稳 6 стабильность 
6 4 阻 7 термическое сопротивление 
648 антистатическая производительность 
Глава D7 Растущий материал фосфора арсенида, фосфоризированных и алюминиевых мышьяков 
71 мышьяк -хризенизированный гидрогенизированный разгибание материала (HVPE) 
72 Тепловой анализ системы удлинения гидрирования 
73 принципы 
74 фосфоризированное гидравлическое расширение 
74 磷 1 Phosphorus 色 Зеленый эвербрайтный 
742 Phosphorus 发 Рост удлинения материала из излучения красного света 
75 Жидкое расширение алюминиевого мышьяка 
D8 Глава алюминиевый алюминиевый фосфор, излучающий две J -пробирки 
81Algainp Металл органический материал Химический газовый осаждение 
81 源 1 исходный материал 
812 Условие роста 
81 器 3 рост устройства 
82 Проблема производственных материалов для удлинительных материалов 
821 Вопросы реактора: транспорт и лечение с пустым обработкой 
822 Важность единообразия 
823 Проблема качества источника 
824. Проблема контроля цвета цвета 
825 Проблема потери производства 
83 текущее расширение 
831 Улучшение контакта OHM 
832p рост на субстрате 
833 Уровень расширения тока. 
834 окисление олова (ITO) (ITO) 
84. Структура блокировки тока 
85 Light выньте его 
851 дизайн верхнего окна 
85 衬 2 Поглощение субстрата 
8 53 Распределенное отражение праги 
854GAP Чип -соединение прозрачного подложки светодиода 
855 клеяя адгезия (соединение сапфировых чипсов) 
85 纹 6 Структура поверхности текстуры 
86 Технология производства чипов 
87 функции устройства 
Глава D9 发 Азотное освещение две J -трубки 
91gan Рост 
911 Несади чтобы Ган 
912n Gan 
913p Gan 
914gan PN Knot светодиод 
92inan рост 
921 Необычный Инган 
92 掺 2 легированного ингана 
93ingan Led 
931ingan/Gan Double Heterotene 
932in/Algan Double Heterogenous Led 
93 3ingan MSIPP (SQW) Структура светодиода 
934 высокая яркости зеленый и синий светодиод 
93 5ingan Multi -Meter Sonal Trap (MQW) Структура светодиода 
93 紫 6 УФ -светодиод 
937Algan Deep UV LED 
93 硅 8 Силиконовая линия Gan Blu -Ray Led 
94 несколько важных технических проблем, которые улучшают качество и снижают затраты 
94 衬 1 субстрат 
942 буферный слой 
943 лазерное погружение (LLO) 
94 氧 4 окисление олова (ITO) (ITO) 
945 Структура текстуры поверхности 
946 Graphical Prime Technology (PSS) 
947 Microcarmark разрабатывает две J -трубку (MALED) 
948 Photon -кристаллы (ПК) светодиод 
949 металлический вертикальный фотонный светодиод (светодиод MVP) 
D10 Технология изготовления светодиодных чипов 
101 Технология световой резьбы 
102 рост нитрида кремния 
103 Диффузия 
104 Ом Контактный электрический j 
105ito прозрачный электрический j 
106 Поверхность шероховатой 
107 фотонов кристаллов 
108 лазерная зачистка (Laser Liftoff, LLO) 
109 Инвертированные чип -технологии 
1010 Технология вертикальной структуры чип 
1011 Резка чипа 
1012Led Разработка структуры чипсов 
Глава D11 Bai Guang Emacon Erjun 
111 Цели развития источника света в новом веке 
112 Искусственный белый свет Zjization 
1121. 
1122 двух -базовая цветовая система 
1123 много -базовая цветовая система 
113 Флуоресцентный порошок преобразование белого светодиода светодиода 
1131 два -базовый флуоресцентный порошок преобразование белого светодиода 
1132 много -базовый флуоресцентный порошок преобразование белого светодиода светодиода 
113 紫 3 УФ 
114 Multi -Chip белый свет светодиод 
1141 два -базовые много -кладовые светодиоды белого света 
1142 политизированный много -кладовый светодиод белого света 
D12 Глава светодиодной упаковки технологии 
121Led Design Devision 
1211 Принципы дизайна 
1212 Электрический дизайн 
1213 Тепловой дизайн 
1214 Оптический дизайн 
12155 Визуальные факторы 
12220 Технология упаковки 
1221 Little Power LED упаковка 
1222SMD светодиодный пакет 
122 芯 3 Чип -пакет (CSP) 
1224 4 Большая светодиодная упаковка тока 
1225 Power LED Package 
1226 Светодиодный компонент мощности 
122 铟镓 7 антистатические меры азота светодиода 
Глава D13 Тест Everbright Two J Tube 
13 件 1 Эффективность осветительного устройства 
13 光 1 发 1 Эффективность освещения 
13 率 1 功 2 Эффективность энергии 
13 量 1 3 Квантовая эффективность 
13 数 2 электрические параметры 
13 伏 2 1 Vodiat Nature 
13 电 2 总 2 Общая емкость 
13 性 3 параметры оптических функций—— 
13 参 4 оптический параметр 
13 向 4 法 1 Метод для измерения света Qiang I0 
13 光 4 发 2 Распределение угла интенсивности освещения (угол полуинтенсивности и угол отклонения) 
13 光 4 总 3 Измерение полного потока света 
13 量 4 4 объемная передача 
13 学 5 Параметр Color Science 
13 谱 5 光 1 кривая спектрального распределения 
13 电 5 光 2 координаты измерения метода оптического венчурного метода 
13 数 6 тепловые параметры (температура узла, тепловое сопротивление) 
13 7 Статическая толерантность 
Глава D14 Надежность Everbright Two J Tubes 
14 靠 1Led Concept 
14 靠 1 可 1 Значение надежности 
14 靠 1 可 2 Определение надежности 
14d1le3led концепции надежности 
14 失 2Led Анализ сбоев 
14 芯 2 1 деградация чипа 
14 氧 2 环 2 Анализ жизни эпоксидного пластика 
14 芯 2 管 3 Жизненный анализ ядра трубки 
14 荧 2 4. Деградация флуоресцентного порошка 
14 试 3 тест на надежность 
14 功 3 小 1 Тест на обстановку светодиодов в маленькой мощности 
14 率 3 功 2 Тест на светодиодную среду мощности 
14 试 4 жизненного теста 
14 磷 4 1 Жизненное испытание фосфоризации  световое устройство 
14 率 4 功 2 Светодиод мощности (белый свет) Проверка длительного трудового срока службы 
14 速 4 加 3 испытания на срок службы ускорения 
14 5 Проверка надежности 
14 率 5 功 1 Старение мощности 
14 温 5 高 2 Высокое старение высокого температуры 
14 湿 5 3 Тест на влажность 
14 低 5 高 4 высокого и низкого температурного цикла 
14 项目 5 其他 5 Выбор других элементов 
14 验 6 Экзамена и оценка и прием принятия 
14 行 6 例 1 тест на терму 
14 鉴 6 2 Тест на принятие оценки 
Глава D15 Органическая Everbright Two J Pipe 
151 Органический Everbright Two J Tipe Materials 
1511 Маленькая молекула органическое вещество 
1512 Полимерный полимер 
1513 属 Металлическое органическое соединение 
152 Органический свет, излучающий две J -пробирные структуры и принципы 
153OL для достижения белого света. 
1531 преобразование длины волны 
153 颜 2 цветовой смешивание 
154 Organic Everbright Two -J Driver 
155 Organic Everbright Two J Pipe Research and Development Status Quo 
Глава D16 Драйвер освещения и управление полупроводниковым освещением 
16 驱 1Led Technology Technology Technology 
16D1LE1LED от электрических характеристик 
16 源 1 电 2 План силового привода 
16 驱 1 3 базовый план привода схемы 
16d1le4led Характеристики драйвера 
16d1le5led и матч водителя 
16 驱 2 -й водитель 
16 容 2 电 1 конденсатор анти -напряженный светодиодный привод 
16 感 2 电 2 индуктивного светодиодного водителя 
16 荷 2 电 3 светодиодный водитель заряда насоса 
16D2LE4LED CONSUTANT DIVER 
16 成 3LED интегрированный приводной цепь 
16 荷 3 电 1 Типичная схема вождения 
16 关 3 开 2 Переключение DC/DC Converter Driv 
16 限 3 3 Переключатель палки TPS2014/TPS2015 
16 六 3 4 Шестой LandsListed Белый светодиодный светодиодный привод Max8790 
16 成 3 集 5 интегрированных Schutki Two J Hengli White Led Led Drive LT3591 
16 功 3 低 6 Низкий энергопотребление высокое яркости светодиодное водитель LM3404 
16 有 3 具 7 с диагностической функцией 16 -канальный светодиодный привод AS1110 
16 压 3 高 8 высокого уровня линейного постоянного тока 
16 制 4 Технология управления 
16 光 4 调 1 освещение 
16 色 4 调 2 цветового миксера 
16 色 4 调 3 температура смешивания цвета 
16 能 4 智 4 Умное освещение 
Глава D17 Применение полупроводникового освещения 
17 照 1 Принципы разработки продукта продукта полупроводникового освещения 
17 从 1 要 1 Разработка и применение продуктов из преимуществ светодиода 
17 产品 1 应用 2 Суждение о запуске рынка продуктов приложения—— 
17 产品 1 应用 3 Технический ключ к применению продуктов - рассеяние тепла 
17 遵 1 4 Следуйте принципу принципа власти от низкого до высокого, технологии от простых до трудных 
17 型 1 造 5 Модельный дизайн должен инновация 
17 明 1 照 6 освещение освещения освещения 
17 2 -й дисплей 
17 体 2 总 1 Общая шкала разработки 
17 技术 2 产品 2 Технология продукта идеально подходит 
17 品 2 新 3 новых продукта продолжают расширяться 
17 号 3 света сигнала движения 
17 路 3 道 1 световой сигнал дорожного движения 
17 路 3 铁 2 железнодорожного сигнального света 
17 场 3 机 3 сигнальный свет аэропорта 
17 标 3 航 4 лейбл Voyage 
17 障 3 路 5 уличный барьерный свет 
17 空 3 航 6 авиационных препятствий свету 
17 照 4 ландшафтного освещения 
17 4 城市 1 Функция городского ландшафтного освещения 
17 源 4 光 2 Источник света выберите светодиод 
17d4le3led ландшафтные лампы 
17d4le4led ландшафтное освещение типичное проект 
17 景 4 5 Стандартизированное ландшафтное освещение 
17 手机 5 Приложение для мобильного телефона 
17 灯 6 автомобильных огней 
17 显示 7lcd -дисплей подсветка 
17 7 小 1 Панель малого размера. Технология источника света и рыночные условия 
17 小 7 中 2 малых и средних панельных технологий источника света и рыночных условий 
17 大 7 中 3 Технологии и рыночные условия больших источников света панелей в панелях большого размера 
17 尺 7 大 4 4 Большой панели -обратной технологии источника света и рыночных условий 
17 明 8 Общее освещение 
17 携 8 便 1 Портативное освещение 
17 室 8 2 Внутреннего освещения 
17 室 8 3 наружное освещение 
17 率 9 Общая эффективность источника света и системы освещения 
Глава D18 Качество света полупроводникового освещения 
18 度 1 Чистота цвета 
18 性 2 цветового рендеринга 
18 色 2 显 1 Индекс цветового рендеринга 
18 色 2 光 2 Система качества света 
18e2i3ies TM30-15 Метод оценки цвета источника света 
18 显示 2141 Отображение всей информации


Пробное онлайн-чтение

[Книги в этом магазине - подлинные книги]

[Нет никаких оснований возвращаться и обменять в течение семи дней]



Введение

Эта книга представляет полупроводниковые осветительные устройства——— В то время как материалы, механизмы и технологии производства излучения двух J -труб ПолемСистема контента и всеобъемлющая эту книгу, благодаря теоретической связи, фокус высокий“&Тема rdquo;