8 (905) 200-03-37 Владивосток
с 09:00 до 19:00
CHN - 1.14 руб. Сайт - 17.98 руб.

ТЕХНОЛОГО ТЕХНОЛО ТЕХНОЛО ТОХОДА ПО полупроводнике (2 -е издание) Fang Zhilie отредактировала электронную электронную электронную промышленную издательство 9787121340369 Технология полупроводникового освещения № 2 [Синьхуа Книжный магазин Флагманский магазин официальный сайт]]

Цена: 1 074руб.    (¥59.7)
Артикул: 570551494038

Вес товара: ~0.7 кг. Указан усредненный вес, который может отличаться от фактического. Не включен в цену, оплачивается при получении.

Этот товар на Таобао Описание товара
Продавец:凤凰新华书店旗舰店
Адрес:Цзянсу
Рейтинг:
Всего отзывов:0
Положительных:0
Добавить в корзину
Другие товары этого продавца
¥ 39.8 25.87466руб.
¥ 30 18324руб.
¥ 79.6 27.86501руб.
¥ 30 8144руб.
  • Информация о товаре
  • Фотографии


Параметры продукта

ТЕХНОЛОГО ТЕХНОЛОГО ТЕХНОЛОГИЯ ПОКУЛЬТАЦИИ (Версия D2)
Ценообразование79.00
ИздательЭлектронная промышленная пресса
Версия2
Опубликованная датаАпрель 2018 года
формат16
авторКлык Жили
УкраситьПлатформный порядок
Количество страниц396
Число слов634000
Кодирование ISBN9787121340369

Оглавление

Светлый визуальный цвет D1 
11 Свет 
111 Суть света 
1 12 генерация света и распространение 
11 3 Spectral Spectral People Eye Spectral 
114 Оптическая наука и ее измерение 
12 видение 
121 как глаза оптической системы 
122 визуальные функции и функции 
13 Цвет 
13 颜 1 Цветная природа 
132GJ Освещение WY Color Properties System 
13 色 3 Color Science и ее измерение 
D2 Источник света 
21 естественный источник света 
21 阳 1 солнце 
2  1  февраль и планета 
22 Источник искусственного света 
221 Изобретение и развитие искусственных источников света 
222 лампа накаливания 
223 Тушеная вольфрамовая лампа 
22 荧 4 флуоресцентная лампа 
225 натриевая лампа с низким давлением 
226 High -Soltage LAMPAR 
227 Нет электрических J Pink Lights 
228 Everbright Two J Tube 
229 Освещение экономического учета 
Глава D3 Введение в кристалл кристалл кристалл кристалл 
31 Кристаллическая структура 
311 Список пространства 
31 晶 2 Кристаллическая поверхность и направление кристалла 
313 Структура флэш -руды, алмазная структура и волокнистая цинковая руда структура 
314 дефекты и их влияние на светящиеся 
32 энергия со структурой 
33 Электрические свойства полупроводниковых кристаллических материалов 
33 费 1 Уровень энергии Ферми и поток носителей 
33 载 2 Ставка дрейфа и миграции ссуды 
333 удельное сопротивление и концентрация носителя 
33 寿 4 продолжительность жизни 
34 Условия для полупроводниковых световых материалов 
341 Ширина полосы пропускания подходит 
342 может получить кристаллы p -типа с высокой скоростью проводимости 
343 может получить высококачественные кристаллы с хорошей целостностью 
344 4 -Продолжительная вероятность составления высокой 
Глава D4 Увеличение и утечка полупроводника 
41PN одобрение и его характеристики 
411 Идеальный узел PN 
412 Фактический узел PN 
42 внедрить композит носителя 
421 составной тип 
422 Радиационный состав 
423 не -радиационный композит 
43 конкуренция между радиацией и нерадиационной композицией 
44 Гетерогенная структура и квантовая ловушка 
441 Гетерогенная структура 
44 量 2 квантовая ловушка 
D5 Глава полупроводниковая система световой материи 
51 галлий арсенид 砷 
52 Фосфор 
53 мышьяк -арсенид 磷 
531GAAS060P040/GAAS 
532 Влияние примесей и дефектов в кристаллах на эффективность освещения 
54 铝 铝 Алюминиевый мышьяк 
55 Алюминиевый фосфор 
56 铟镓 азот 
Глава D6 Разработка и особенности источника полупроводникового освещения 
61 Разработка излучения двух J -труб 
62 Освещение двух методов роста материала J -трубки 
63 Структура высокой яркости Everbright 2 J -Tube Structure 
631 Структура 
632 Multi -QUANTUM TRAP (MQW) Структура 
633 Структура распределенного Праги (DBR) 
634 Прозрачный субстрат (TS) 
Зеркальный субстрат (MS) 
636 Прозрачный тип адгезии клея 
637 Структура текстуры поверхности 
64 Характерные параметры и требования светодиодов для освещения 
641 легкие Flikes 
642 Эффективность освещения 
643 Индекс цветового рендеринга 
64 色 4 Цветовая температура 
64 寿 5 Жизнь 
64 稳 6 стабильность 
6 4 阻 7 термическое сопротивление 
648 антистатическая производительность 
Глава D7 Растущий материал фосфора арсенида, фосфоризированных и алюминиевых мышьяков 
71 мышьяк -хризенизированный гидрогенизированный разгибание материала (HVPE) 
72 Тепловой анализ системы удлинения гидрирования 
73 принципы 
74 фосфоризированное гидравлическое расширение 
74 磷 1 Phosphorus 色 Зеленый эвербрайтный 
742 Phosphorus 发 Рост удлинения материала из излучения красного света 
75 Жидкое расширение алюминиевого мышьяка 
D8 Глава алюминиевый алюминиевый фосфор, излучающий две J -пробирки 
81Algainp Металл органический материал Химический газовый осаждение 
81 源 1 исходный материал 
812 Условие роста 
81 器 3 рост устройства 
82 Проблема производственных материалов для удлинительных материалов 
821 Вопросы реактора: транспорт и лечение с пустым обработкой 
822 Важность единообразия 
823 Проблема качества источника 
824. Проблема контроля цвета цвета 
825 Проблема потери производства 
83 текущее расширение 
831 Улучшение контакта OHM 
832p рост на субстрате 
833 Уровень расширения тока. 
834 окисление олова (ITO) (ITO) 
84. Структура блокировки тока 
85 Light выньте его 
851 дизайн верхнего окна 
85 衬 2 Поглощение субстрата 
8 53 Распределенное отражение праги 
854GAP Чип -соединение прозрачного подложки светодиода 
855 клеяя адгезия (соединение сапфировых чипсов) 
85 纹 6 Структура поверхности текстуры 
86 Технология производства чипов 
87 функции устройства 
Глава D9 发 Азотное освещение две J -трубки 
91gan Рост 
911 Несади чтобы Ган 
912n Gan 
913p Gan 
914gan PN Knot светодиод 
92inan рост 
921 Необычный Инган 
92 掺 2 легированного ингана 
93ingan Led 
931ingan/Gan Double Heterotene 
932in/Algan Double Heterogenous Led 
93 3ingan MSIPP (SQW) Структура светодиода 
934 высокая яркости зеленый и синий светодиод 
93 5ingan Multi -Meter Sonal Trap (MQW) Структура светодиода 
93 紫 6 УФ -светодиод 
937Algan Deep UV LED 
93 硅 8 Силиконовая линия Gan Blu -Ray Led 
94 несколько важных технических проблем, которые улучшают качество и снижают затраты 
94 衬 1 субстрат 
942 буферный слой 
943 лазерное погружение (LLO) 
94 氧 4 окисление олова (ITO) (ITO) 
945 Структура текстуры поверхности 
946 Graphical Prime Technology (PSS) 
947 Microcarmark разрабатывает две J -трубку (MALED) 
948 Photon -кристаллы (ПК) светодиод 
949 металлический вертикальный фотонный светодиод (светодиод MVP) 
D10 Технология изготовления светодиодных чипов 
101 Технология световой резьбы 
102 рост нитрида кремния 
103 Диффузия 
104 Ом Контактный электрический j 
105ito прозрачный электрический j 
106 Поверхность шероховатой 
107 фотонов кристаллов 
108 лазерная зачистка (Laser Liftoff, LLO) 
109 Инвертированные чип -технологии 
1010 Технология вертикальной структуры чип 
1011 Резка чипа 
1012Led Разработка структуры чипсов 
Глава D11 Bai Guang Emacon Erjun 
111 Цели развития источника света в новом веке 
112 Искусственный белый свет Zjization 
1121. 
1122 двух -базовая цветовая система 
1123 много -базовая цветовая система 
113 Флуоресцентный порошок преобразование белого светодиода светодиода 
1131 два -базовый флуоресцентный порошок преобразование белого светодиода 
1132 много -базовый флуоресцентный порошок преобразование белого светодиода светодиода 
113 紫 3 УФ 
114 Multi -Chip белый свет светодиод 
1141 два -базовые много -кладовые светодиоды белого света 
1142 политизированный много -кладовый светодиод белого света 
D12 Глава светодиодной упаковки технологии 
121Led Design Devision 
1211 Принципы дизайна 
1212 Электрический дизайн 
1213 Тепловой дизайн 
1214 Оптический дизайн 
12155 Визуальные факторы 
12220 Технология упаковки 
1221 Little Power LED упаковка 
1222SMD светодиодный пакет 
122 芯 3 Чип -пакет (CSP) 
1224 4 Большая светодиодная упаковка тока 
1225 Power LED Package 
1226 Светодиодный компонент мощности 
122 铟镓 7 антистатические меры азота светодиода 
Глава D13 Тест Everbright Two J Tube 
13 件 1 Эффективность осветительного устройства 
13 光 1 发 1 Эффективность освещения 
13 率 1 功 2 Эффективность энергии 
13 量 1 3 Квантовая эффективность 
13 数 2 электрические параметры 
13 伏 2 1 Vodiat Nature 
13 电 2 总 2 Общая емкость 
13 性 3 параметры оптических функций—— 
13 参 4 оптический параметр 
13 向 4 法 1 Метод для измерения света Qiang I0 
13 光 4 发 2 Распределение угла интенсивности освещения (угол полуинтенсивности и угол отклонения) 
13 光 4 总 3 Измерение полного потока света 
13 量 4 4 объемная передача 
13 学 5 Параметр Color Science 
13 谱 5 光 1 кривая спектрального распределения 
13 电 5 光 2 координаты измерения метода оптического венчурного метода 
13 数 6 тепловые параметры (температура узла, тепловое сопротивление) 
13 7 Статическая толерантность 
Глава D14 Надежность Everbright Two J Tubes 
14 靠 1Led Concept 
14 靠 1 可 1 Значение надежности 
14 靠 1 可 2 Определение надежности 
14d1le3led концепции надежности 
14 失 2Led Анализ сбоев 
14 芯 2 1 деградация чипа 
14 氧 2 环 2 Анализ жизни эпоксидного пластика 
14 芯 2 管 3 Жизненный анализ ядра трубки 
14 荧 2 4. Деградация флуоресцентного порошка 
14 试 3 тест на надежность 
14 功 3 小 1 Тест на обстановку светодиодов в маленькой мощности 
14 率 3 功 2 Тест на светодиодную среду мощности 
14 试 4 жизненного теста 
14 磷 4 1 Жизненное испытание фосфоризации  световое устройство 
14 率 4 功 2 Светодиод мощности (белый свет) Проверка длительного трудового срока службы 
14 速 4 加 3 испытания на срок службы ускорения 
14 5 Проверка надежности 
14 率 5 功 1 Старение мощности 
14 温 5 高 2 Высокое старение высокого температуры 
14 湿 5 3 Тест на влажность 
14 低 5 高 4 высокого и низкого температурного цикла 
14 项目 5 其他 5 Выбор других элементов 
14 验 6 Экзамена и оценка и прием принятия 
14 行 6 例 1 тест на терму 
14 鉴 6 2 Тест на принятие оценки 
Глава D15 Органическая Everbright Two J Pipe 
151 Органический Everbright Two J Tipe Materials 
1511 Маленькая молекула органическое вещество 
1512 Полимерный полимер 
1513 属 Металлическое органическое соединение 
152 Органический свет, излучающий две J -пробирные структуры и принципы 
153OL для достижения белого света. 
1531 преобразование длины волны 
153 颜 2 цветовой смешивание 
154 Organic Everbright Two -J Driver 
155 Organic Everbright Two J Pipe Research and Development Status Quo 
Глава D16 Драйвер освещения и управление полупроводниковым освещением 
16 驱 1Led Technology Technology Technology 
16D1LE1LED от электрических характеристик 
16 源 1 电 2 План силового привода 
16 驱 1 3 базовый план привода схемы 
16d1le4led Характеристики драйвера 
16d1le5led и матч водителя 
16 驱 2 -й водитель 
16 容 2 电 1 конденсатор анти -напряженный светодиодный привод 
16 感 2 电 2 индуктивного светодиодного водителя 
16 荷 2 电 3 светодиодный водитель заряда насоса 
16D2LE4LED CONSUTANT DIVER 
16 成 3LED интегрированный приводной цепь 
16 荷 3 电 1 Типичная схема вождения 
16 关 3 开 2 Переключение DC/DC Converter Driv 
16 限 3 3 Переключатель палки TPS2014/TPS2015 
16 六 3 4 Шестой LandsListed Белый светодиодный светодиодный привод Max8790 
16 成 3 集 5 интегрированных Schutki Two J Hengli White Led Led Drive LT3591 
16 功 3 低 6 Низкий энергопотребление высокое яркости светодиодное водитель LM3404 
16 有 3 具 7 с диагностической функцией 16 -канальный светодиодный привод AS1110 
16 压 3 高 8 высокого уровня линейного постоянного тока 
16 制 4 Технология управления 
16 光 4 调 1 освещение 
16 色 4 调 2 цветового миксера 
16 色 4 调 3 температура смешивания цвета 
16 能 4 智 4 Умное освещение 
Глава D17 Применение полупроводникового освещения 
17 照 1 Принципы разработки продукта продукта полупроводникового освещения 
17 从 1 要 1 Разработка и применение продуктов из преимуществ светодиода 
17 产品 1 应用 2 Суждение о запуске рынка продуктов приложения—— 
17 产品 1 应用 3 Технический ключ к применению продуктов - рассеяние тепла 
17 遵 1 4 Следуйте принципу принципа власти от низкого до высокого, технологии от простых до трудных 
17 型 1 造 5 Модельный дизайн должен инновация 
17 明 1 照 6 освещение освещения освещения 
17 2 -й дисплей 
17 体 2 总 1 Общая шкала разработки 
17 技术 2 产品 2 Технология продукта идеально подходит 
17 品 2 新 3 новых продукта продолжают расширяться 
17 号 3 света сигнала движения 
17 路 3 道 1 световой сигнал дорожного движения 
17 路 3 铁 2 железнодорожного сигнального света 
17 场 3 机 3 сигнальный свет аэропорта 
17 标 3 航 4 лейбл Voyage 
17 障 3 路 5 уличный барьерный свет 
17 空 3 航 6 авиационных препятствий свету 
17 照 4 ландшафтного освещения 
17 4 城市 1 Функция городского ландшафтного освещения 
17 源 4 光 2 Источник света выберите светодиод 
17d4le3led ландшафтные лампы 
17d4le4led ландшафтное освещение типичное проект 
17 景 4 5 Стандартизированное ландшафтное освещение 
17 手机 5 Приложение для мобильного телефона 
17 灯 6 автомобильных огней 
17 显示 7lcd -дисплей подсветка 
17 7 小 1 Панель малого размера. Технология источника света и рыночные условия 
17 小 7 中 2 малых и средних панельных технологий источника света и рыночных условий 
17 大 7 中 3 Технологии и рыночные условия больших источников света панелей в панелях большого размера 
17 尺 7 大 4 4 Большой панели -обратной технологии источника света и рыночных условий 
17 明 8 Общее освещение 
17 携 8 便 1 Портативное освещение 
17 室 8 2 Внутреннего освещения 
17 室 8 3 наружное освещение 
17 率 9 Общая эффективность источника света и системы освещения 
Глава D18 Качество света полупроводникового освещения 
18 度 1 Чистота цвета 
18 性 2 цветового рендеринга 
18 色 2 显 1 Индекс цветового рендеринга 
18 色 2 光 2 Система качества света 
18e2i3ies TM30-15 Метод оценки цвета источника света 
18 显示 2141 Отображение всей информации


Чтение в Интернете

[Книги в этом магазине - подлинные книги]

[Нет никаких оснований возвращаться и обменять в течение семи дней]



Введение

Эта книга представляет полупроводниковые осветительные устройства——— В то время как материалы, механизмы и технологии производства излучения двух J -труб ПолемСистема контента и всеобъемлющая эту книгу, благодаря теоретической связи, фокус высокий“&Тема rdquo;