Подлинное распределение] По полупроводниковой лазерной конструкции теоретические полупроводниковые лазеры могут принести Guo Chantzhi Science Press со структурой и получением света 9787030473400
Вес товара: ~0.7 кг. Указан усредненный вес, который может отличаться от фактического. Не включен в цену, оплачивается при получении.
Описание товара
Заголовок:Полупроводниковая лазерная теория дизайна, которую полупроводниковый лазер может со структурой и усилением света
Цена:178.00Юань (примечание:Фактическая цена может быть выше, чем цена, потому что цена дефицита высока)
Автор:Го Чангжи
Издательство:Science Press
Опубликованная дата:Март 2016 года(Примечание: время печати не то же самое, что время публикации)
Штрих -код:9787030473400
ISBN:978-7-03-047340-0(Примечание: различные отпечатки около 2007 года могут иметь разницу)
формат:16
Квантовая теория представляет собой исследование электронных энергетических структур среды усиления, таких как квантовые точки квантовой линии, такие как полупроводниковые квантовые ловушки, и взаимодействие между ее электроникой и полей радиации, включая усиление поглощения производства и рассеяние света, включающих различные возможности Световые переходы и неоднократные переходные полосы в одном и том же дефекте решетки и примеси различных дефектов и примесей в середине могут определить важное квантовое поведение полупроводниковых лазеров, участвующих в фотоэлектрических характеристиках. Изучите проектирование лазерных материалов с фундаментальной значимостью структуры и лазерной полосы порога пятен для полупроводниковых лазеров, структура спектра света и квантовая эффективность лазерного материала с фундаментальным значением. является и основой, и передовым, а физическая концепция физической концепции также получена из расчета программирования.
Эта книга подходит для соответствующих профессиональных исследователей и преподавателей для выпускников университетских студентов в качестве справочника для профессиональных учебников или читателей, которые были улучшены по самообучениям
Общая последовательность
введение
Глава 1 Полупроводник и его низкоразмерная структура могут принести теорию
1.1 Основа, которая может принести теорию
1.1.1 Три основания одного электрона могут быть с моделями.
1.1.2 Периодическая роль решетки
1.1.3 Кристаллическая электронная энергетическая спектр и его метод экспрессии
1.1.4 Расчет со структурированной структурой
1.2 Эффективный анализ качества и k&Middot; P Micro -Disturance Theory
1.2.1 Эффективный анализ качества
1.2.2k&Middot;
1.2.3 Дегенеративная модель Кейна, k -spin -on -track, взаимодействие k&Middot; P Метод
1.2.4 Дегенеративная цена латинского гокена с K K&Middot; P Micro -Disturance Theory
1.2.5 Влияние напряжения на структуру энергетической полосы
1.2.6GAN LAND Структура
1.3 НЕОВНАЯ РАЗНАЧЕНИЯ ПОКУЛЬТИРОВАНИЯ ПОКУЛЬЦИОННАЯ Гетерогенная структура
1.3.1 Модель твердотельной теории
1.3.2 Теория и эффективное уравнение качества функции пакета
1.3.3 Структура квантовой ловушки полупроводниковой ловушки
1.3.4 Суббалочная структура квантовой ловушки
1.3.5 Многооттрапная структура и муфта ловушек
1.3.6 Электронный метод связи с состоянием конверта в любом поле мощности единого
1.3.7 Влияние распределения зарядки пространства на структуру энергетической полосы
Глава 2 Переход между полупроводником может
2.1 Плотность плотности энергии и статистика. Скорость занятия электроники и фотонов
2.1.1 Плотность состояния полосы электронной энергии
2.1.2 3D -резонансная модель в полупроводниковых квантовых точках
2.1.3 Плотность плотности энергии фотонов
2.1.4 Статистическое распределение электронов и фотонов в многоэнергетических системах
2.1.5.
2.1.6 Концентрация нагрузки в квантовой ловушке с полупроводникой и определение уровня энергии Ферми
2.2 Переход света в полупроводниках
2.2.1 Теория микро -пикселей
2.2.2 Взаимосвязь между тремя основными скоростями скачка света
2.3. Световой переход квантовой механики
2.3.1 Скорость движения света юэ
2.3.2 Полупроводническая зона поглощения света и усиления света
