Принцип вакуумного покрытия и технологическая сторона Ying Cui, отредактированная с помощью вакуумного приложения для приложения для приложений вакуумного покрытия.
Вес товара: ~0.7 кг. Указан усредненный вес, который может отличаться от фактического. Не включен в цену, оплачивается при получении.
Описание товара
Название: Принцип вакуумного покрытия и технология
Цена: 49 юаней
Автор: клык Yingcui
Пресса: Science Press
Дата публикации: 2014-02-01
ISBN: 9787030398987
Слова: 282000
Номер страницы: 213
Издание: 1
Рамка
Открыто: 16
«Принципы и технологии вакуумного покрытия» объясняют применение вакуумного покрытия. , вакуумное покрытие и химическое осаждение газа.Стремитесь избежать утомительных математических формул и попытаться объяснить физический процесс на простом языке.Это легко понять, просто и легко выучить.
«Принципы и технологии вакуумного покрытия» могут использоваться в качестве учебника для студентов для связанных специальностей в колледжах и университетах, а также можно использовать в качестве справочника для учебников для выпускников или связанных с ними инженерного и технического персонала.
Предисловие
Обзор вакуумного покрытия главы
1.1 Введение в твердую пленку
1.2 Введение в вакуумное покрытие
1.2.1 Физический процесс вакуумного покрытия
1.2.2 Классификация вакуумного покрытия
1.2.3 Характеристики вакуумного покрытия
1.3 Применение и разработка технологии вакуумного покрытия
1.4 Система вакуумного покрытия
1.4.1 Основные концепции системы вакуумного покрытия
1.4.2 Вакуумный насос
1.4.3 вакуумный счетчик
Рекомендации
ГЛАВА 2 ПАКУМСКОЕ ПРОЦЕССИИ
2.1 Введение в рост фильмов
2.2 Сплошная поверхность
2.3 Процесс роста фильма
2.3.1 Адсорбция
2.3.2 Диффузия и предприятие
2.3,3 процента
2.3.4 Образование непрерывных мембран
2.4 Три способа роста пленки
2.5 Структура и дефект твердотельной пленки
2.6 Природа сплошной пленки
2.7 Сплошная пленка напряжение
2.8 Адгезия пленки и матрицы
2.9 Матрица
Глава 3 Вакуумное испарение покрытие
3.1 Принципы вакуумного испарения
3.2 Источник для паряков сопротивления
3.2.1 Принципы парового происхождения Dianyang
3.2.2.
3.2.3 Основные особенности источника отопления
3.2.4 Применение устойчивости на отопление вакуума
3.3 Источник на пару электронного луча
3.3.1 Принципы и структуры электронных орудий E -типа
3.3.2 Характеристики электронного пистолета E -типа
3.3.3 Применение вакуумного испарения на электронном пистолете E -типа
3.4 Sleeping Pailing Paring Source
3.4.1 Принцип чувствительного нагрева
3.4.2 Характеристики индукционного нагрева
3.5 Импульсное лазерное осаждение (PLD)
3.5.1 Система PLD
3.5.2 PLD Принцип работы
3.5.3 PLD Технические характеристики
3.5.4 PLD Применение и разработка
3.6 Расширение молекулярного луча
3.6.1 Принципы молекулярной камбоджи
3.6.2 Эпидемическое устройство молекулярного луча
3.6.3 Специальная точка разгибания молекулярного луча
3.6.4 Применение и прогресс технологии удлинения молекулярного луча
3.7 Важные параметры в вакуумном испарительном покрытии
3.8 Толщина мембраны, нанесенной на подложку во время испарительного покрытия
3.8.1 Расчет однородности одноразовой пленки с испарительной пленкой
3.8.2. Влияние относительного положения источника паряки и относительного положения субстрата на тонкую пленку.
Рекомендации
Глава 4 вакуумное покрытие Splane
4.1 DC DIDE DISTER
4.2 Плазма
4.3 Принцип Splash
4.4 DC Sputtering Coating
4.4.1 DC Diode Sputter Putter Patter
4.4.2 DC Диод Парциальное давление покрытие распылением
4.4.3 Multi -Pole Sputmer Cotuter
4.5 DC Magnetic Splash Coter
4.5.1 Принципы и характеристики магнитного контрольного покрытия
4.5.2 Сторонная цель
4.5.3 Планетная цель
4.5.4 S пистолет
4.5.5 Общие черты магнитного управления распылительным покрытием
4.5.6 DC Реакционное покрытие магнитного распыления
4.6 РЧ -распылительное покрытие
4.6.1 РФ
4.6.2 РЧ -распылительное покрытие
4.7 Покрытие промежуточного частотного магнитного управления.
4.8 Pulse DC Glip Light Rapid Plate
4.9 баланс магнитного управления покрытием распыления
4.10 Взаимосвязь между параметрами вакуумного испарения и распылительным покрытием и внешним видом пленки
Рекомендации
Глава 5 Вакуумное ионовое покрытие
5.1 Обзор плазменного ионного покрытия
5.1.1 Принципы плазменного ионного покрытия
5.1.2 Характеристики покрытия плазменного ионов
5.1.3 Классификация плазменного ионного покрытия
5.2 Плазма испаривает ионовое покрытие
5.2.1 Электронная почта испаряет ионное покрытие эволизации
5.2.2.
5.2.3 Активация плазмы испаряет ионное покрытие
5.2.4 Активация плазмы с высоким уровнем ионов
5.3 Плазменное магнитное ионное покрытие
5.3.1 Магнитное брызговое покрытие
5.3.2 Ионизированное магнитное распылительное ионовое покрытие
5.3.3 Высокоэнергетическое пульс -магнитное распылительное покрытие
5.3.4 Self -Sputtering
5.3.5 Высокая ионная плавания с высокой плотностью с помощью вспомогательного катода
5.4 ARC Ion Plating
5.4.1.
5.4.2 Импульсное ионо
5.4.3 Анодное покрытие дуги
5.5 Ионовое покрытие луча
5.5.1 Отложение ионного луча
5.5.2 Duan Cluster Ion Beam Осаждение луча
5.5.3 Ионное вспомогательное осаждение
Рекомендации
Глава 6 Химическое осаждение фазы QI
6. Обзор
6.2 Динамический процесс осаждения химического газа
6.3 Несколько общих химических газовых осаждений
6.3.1 Тепло -химическое осаждение газа
6.3.2 Химическое осаждение газа с низким содержанием
6.3.3 Улучшенное химическое осаждение газа в плазме
6.3.4 отложения атомного слоя
6.3.5 Введение в другие химические газовые отложения
Рекомендации