8 (905) 200-03-37 Владивосток
с 09:00 до 19:00
CHN - 1.14 руб. Сайт - 21.13 руб.

Полупроводник Micro-Na Electronic/Physics Graduate Teaching Series-Xia jianbai

Цена: 701руб.    (¥33.15)
Артикул: 525340600286

Вес товара: ~0.7 кг. Указан усредненный вес, который может отличаться от фактического. Не включен в цену, оплачивается при получении.

Этот товар на Таобао Описание товара
Продавец:高等教育出版社旗舰店
Адрес:Пекин
Рейтинг:
Всего отзывов:0
Положительных:0
Добавить в корзину
Другие товары этого продавца
¥253.585 359руб.
¥66.751 411руб.
¥42.33895руб.
¥32.13679руб.
  • Информация о товаре
  • Фотографии

Полупроводниковая микронано -электроника
Автор: Ся Цзянбай
Пресса: пресса высшего образования
ISBN: 9787040311471Книга: 16
Дата публикации: январь 2011 г.Рамка
Цена: 39,00Издание: 1
Слова: 320 тысяч словЭто набор: нет
Номер страницы: 314Количество наборов: 0


Эта книга систематически представляет последние достижения, основные принципы и эксперименты в области полупроводниковой микронано-электроники.В процессе разработки интегрированных цепей первоначальная классическая теория больше не будет применима.Часть 1 этой книги (часть 1————Эта книга может быть использована в качестве справки для старших студентов университетов, аспирантов и исследователей, занимающихся полупроводниковыми исследованиями микроэлектроники.

Глава 0 Введение
   0,1 Особенности
   0,1,1 Длина волны Ферми
   0,1,2 Средний свободный путь
   0,1,3 фазового релаксации длины
   0,2 несбалансированного транспорта в ультраумных устройствах
   0,3 Квантовой эффект
   0,3,1 Статистическая термодинамика
   0,3,2 эффект когерентности
   0,3,3 Эффект блокировки кулонов
   0,4 Quantum Waveguide
   0,5 нано-устройства на основе углерода
   0.5.1 Электронная структура
   0.5.2 Электрические свойства
   0,5,3 Транзистор поля углеродной трубки (CNTFET)
   0,5,4 Углеродного листа нанобит -транзистор
   0.5.5 Будущее углерода на основе углерода
Глава 1 несбалансированная транспорта
   1.1 Метод Монте -Карло
   1,2 Феномен транспорта, связанного с временем, в равномерных полупроводниках
   1.2.1 модель диффузии дрейфа
   1.2.2 Транспортировка под сильным электрическим полем
   1.2.3 Конструкция устройства, которая рассматривает сильный полевой транспорт
   1,3 ПРИБОРЫ
   1,4 транспорта в Si-MOSFET
   1,5 Квантовой эффект, вызванный колебаниями распределения примесей в Gaashemt
   1,6 моделирование ультра-мрачного GAASMESFET
   1,7 моделирование ультра-ярких устройств HEMT
Глава 2 Резонансное туннелирование
   2.1 ОДНА БАРЕРИЯ
   2,2 Резонансная туннелирование двойной барьерной структуры
   2,3 отверстие резонансное туннелирование
   2,4 Резонансное туннелирование разбавленных магнитных полупроводников
Глава 3 Супертакова Вертикальный транспорт
   3,1 Транспортировка микрополосков сверхрешительности
   3,2 колебания Bloch в сверхрешительности
   3,3 Прыжковой проводимости между государствами-стиль
Глава 4 Мезоскопический транспорт
   4.1 Контактное сопротивление
   4.2 Формула Ландао
   4.3 многоканальная ситуация
   4.4 многопользовательские устройства
  4.5 B&Некоторые приложения uuml; Ttiker Formula
   4.5.1 Трипольный проводник
   4.5.2 квадрупольный проводник
   4.6 Экспериментальные результаты
   4.6.1 Двухцельный проводник
   4.6.2 ДВЕМЕННЫЙ ТРЕБЛЮЧЕНИЕ
   4.6.3 Эффект квантового зала
Глава 5 Транспортировка квантовых точек
   5.1 Эффект одноэлектронного и одноэлектронного транзистора
   5,2 Кондо Эффект при транспортировке квантовой точки
   5.2.1 Эффект Кондо в металлах
   5.2.2 Эффект Кондо в квантовых точках
   5.3 перенос электронов в вертикальных квантовых точках
   5.3.1 Квантовые точки и уровни энергии в одиночном электронах
   5.3.2 заполнение оболочки и первое правило Хондда
   5.3.3 Основное состояние n электронов в магнитном поле
   5.3.4 Спектр одного электронного туннелирования в магнитном поле
   5.3.5 Эффект блокировки спина
   5.3.6 Одно электронное туннелирование связанных квантовых точек
Глава 6 Квантовой волново -морской транспорт
   6.1 квантовые устройства
   6.1.1 Теоретический метод
   6.1.2 Эффект Ахаронов-Бохма
   6.1.3 Устройства квантовых интерференций
   6.2 Одномерная теория квантового волновода
   6.2.1 Два основных уравнения
   6.2.2 Кольцевое устройство
   6.2.3 AB эффект
   6.2.4 Устройства квантовых помех
   6,3 Двумерная теория квантового волновода———
   6.4 Двумерная теория квантового волновода——— метод матрицы рассеяния
   6.4.1 Структура изгиба
   6.4.2 Периодический мультиструктурный волновод
   6,5 Многоцелевая волноводная структура
   6,6 волновода в круговой области
   6.6.1 A-B Кольцо
   6.6.2 Планарная квантовая точка структура
   6.7 Одномерная квантово-волново-морской теория отверстий
Глава 7 Квантовой волновой теория Rashba Current
   7.1 Одномерная квантово-волново-морской теория Rashba Current
   7.1.1 Wathba Watch Wave Function
   7.1.2 граничные условия тока рашбы
   7.1.3 Свойства движения волн рашба на раздвоенных цепях
   7.1.4 Общая теория квантовых волноводов для бифуркированных структурных петлей
   7.2 Одномерная квантовая волновороночная теория электронов рашбы на изогнутых цепях
   7.2.1 Рашба Электронное состояние закрытого кольца Rashba
   7.2.2 Рашба Электронное состояние закрытого квадратного кольца
   7.2.3 Спиновые помехи в кольце AB
   7.2.4 Спиновые помехи в квадратном кольце AB
   7.2.5 Спиновые помехи в квадратном кольце двойного круга AB
Глава 8 Кремниевая одно электронное транзистор
   8.1 Принцип одноэлектронного транзистора
   8.2 Ранняя работа одноэлектронных транзисторов, работающих при комнатной температуре
   8.3 Siset, работающий при комнатной температуре
   8.4 Siset используется в качестве логической схемы
   8.5 Теория квантовой точечной кулоновки блокировки колебания
ГЛАВА 9 Кремниевая единственная (маленькая) электронная память
   9.1 Пальтовая память памяти
   9.2 SISET используется в качестве памяти
   9,3 Плавающая память затвора для работы комнатной температуры
   9.4 Кремниевая нанокристаллическая память
   9.5 Удерживаемые свойства нанокристаллической памяти ворот
Глава 10 Квантово-транспортная модель ультра-ярких полупроводниковых устройств
   10.1 Модель несбалансированной зеленой функции
   10.2 квантовое уравнение Больцмана
   10.3 модель функции виньера
   10.4 Квантовая коррекция в транспортном уравнении функции виньера
   10.5 Теория квантового транспорта неравной функции Грина
   10.6 Folk Planck Model C