DANGDANG.com Power Leconductor Princips и надежность (Original 2)
Вес товара: ~0.7 кг. Указан усредненный вес, который может отличаться от фактического. Не включен в цену, оплачивается при получении.
Описание товара
......
Оглавление
Слова переводчика
Оригинальная книга 2 издание 2 Предисловие
Оригинальная книга 1 издание 1 Предисловие
Общий символ
Глава 1 Power Leconductor Device—— ключевые устройства в устройствах электроэнергии с высокой эффективностью 1
11 Устройство, питания трансформатор и полупроводниковое устройство Power Power 1
111 Основные принципы преобразования власти 2
112 Выбор типа и питания устройства питания трансформатора 3
12 Используйте и выберите Power Semiconductor 6
13 Применение Power Semiconductor 8
14 Электрическая электроника для дозирования углерода 11
Ссылки 14
Глава 2 Природа полупроводника 17
21 Введение 17
22 Кристаллическая структура 19
23 Запретный ремень и эта концентрация 21
24 Свойства частиц структуры и носителя структуры 24
25 легированный полупроводник 28
26 Текущий транспорт 36
26 载 1 Скорость миграции и ток полевого поля 36
262 Скорость питья под полевым полем 42
26 载 3 Распространение тока, текущего транспортного уравнения и отношения Эйнстана 43
27 Жизнь сгенерированных и небалансированных перевозчиков 45
271 Этот механизм синтеза 47
272 соединения на композитном центре, содержащем золото, платиновые и радиационные дефекты 48
28 Collision Electric Ionization 64
29 Основная формула полупроводникового устройства 70
210 простой вывод 73
210 少 1 Время и ослабление пространства концентрации небольшого носителя 73
210 电 2 Время плотности заряда и ослабление пространства 74
Ссылки 75
Глава 3 PN End 80
31 PN вязание 80 под состоянием теплового баланса
311 Мутационный узел 82
312 медленное -меняет 87
32pn Узел I 性 V Характеристики 90
33PN Блокирующие характеристики и разбивка 97
331 Блокировка тока 97
33 雪 2 лавины и напряжение разбивки 100
333 Способность избиения обширной зоны управления полупроводником 108
34 Внедрение эффективности запуска площадь 109
35pn емкость 115
Ссылки 117
Power Semiconductor Device—— принципы, характеристики и надежность (оригинальная книга 2) каталог Глава 4 Введение в мощное устройство Craft 119
41 Рост кристаллов 119
42 Отрегулируйте легированный чип 120 через нейтрон 调 изменение
43 Расширение 122
44 Диффузия 124
44 扩 1 Теория диффузии, распределение примесей 124
442 Коэффициент диффузии и растворимость легированных объектов 130
443 Эффект высокой концентрации, механизм диффузии 132
45 Ионная инъекция 134
46 Окисление и маскировка 138
47 Крайный терминал 140
47 斜 1 Структура ландшафта терминала 140
472 плоская терминальная структура 142
473 Двухчастое блокировка устройства End End 143
48 Пассивация 144
49 Композитный центр 145
491 Используйте золото и платину в качестве композитного центра 145
492 Композитный центр, введенный в результате радиации 147
493PT и PD Расширение радиации 149
410 Излучение вводит примеси 150
411gan Device Process несколько выпусков 151
Ссылки 155
ГЛАВА 5 ПИН -Диоды 160
51PIN Diode Structure 160
52pin Diode IPV функция 161
53PIN Diest Design и блокировка напряжения 162
54 позитивное направление функция 167
54 载 1 Загрузка нагрузки 167
542 Узел напряжение 169
543. Между двумя концами средней площади напряжение падает 170
544 Падение напряжения в Зале приблизительно 171
545. Передающая полюсная композита, эффективные срок службы носителей и положительные характеристики 173
546 Связь между положительными характеристиками и температурой 179
55 Связь между платой за хранение и напряжением прямого напряжения 180
56 Функция открытия диода мощности 181
57 Обратное восстановление диодов власти 183
571 Определение 183
572 Потеря мощности, связанная с обратным восстановлением 189
573 Обратное восстановление: динамика заряда в диоде 192
574 Быстрый диод с*характеристиками обратного восстановления 199
575MOS -диоды 208
58 Outlook 213
Ссылки 214
Глава 6 Шоттские диоды 216
61 Металл 体 Полупроводник может быть на рисунке 216
62 Особенности I -V узел Шоттки 217
63 Структура диода Шоттки 219
64 Ом, капля напряжения однополюсного устройства 220
641 Оцененное напряжение составляет 200 В и 100 В кремниевых диодов Шоттки и сравнение диодов 222
65SIC Schottky Diodes 223
651SIC Свойства одиночной полярной трубки 223
652 Комбинированная булавка Schottky Diodes 226
653SIC Шоттки и депутаты -диодные характеристики и долговечность 230
Ссылки 232
Глава 7 Billar Crystal Tube 234
71 Принцип работы биполярного транзистора 234
72 Power Billar Crystal Structure 235
73 Power Crystal Tube IV функция 236
74 Характеристики блокировки биполярного транзистора 237
75 ДВОЙСКИЙ Транссторный ток усиление 239
76.
77 Силиконовая биполярная кристаллическая трубка ограничения 245
78 биполярный транзистор 245
Ссылки 246
Глава 8 Хрустальная трубка 248
81 Структура и функциональная модель 248
82 I 晶 v Особенность хрустальных ворот 251
83 Характеристики блокировки кристаллических ворот 252
84 Роль короткой точки запуска запуска 253
85 Триггер метод кристаллических ворот 254
86 Trigger Frontier расширение 255
87 Триггер и Данзен Экстреме 256
88 Хрустальные жалюзи и время восстановления 258
89 Двухчастотная хрустальная трубка 260
810 проход затвора татуировка хрустальная трубка 261
811 Полюс полюса затвора. Изменение потоковых ворот 265
Ссылки 268
Глава 9 MOS Crystal Pipe и поле управления полевым управлением.
91MOSFET Базовый принцип работы 270
92 Структура мощности 271
93MOS Crystal Tube's IV функция 272
94mosfet Туризм показывает 273
95 Ом Область 276
96 Большая структура компенсации MOSFET 277
97mosfet признан температурной зависимость 281
98 Mosfet's Switch функция 282
99 Mosfet Switch Loss 286
910mosfet Safety Рабочая зона 287
911 Mosfet's Anti -Merger Diode 288
912SIC Field Effect Device 292
912S1SIC JFET292
912S2SIC MOSFET294
912S3SIC MOSFET BODY DIODE 296
913gan Горизонтальная мощность транзистор 297
914gan Vertical Power Transistor 302
915 Outlook 303
Ссылки 303
Глава 10 IGBT307
101 Функциональный режим 307
102IGBT's IGV функция 309
10 3IGBT Switch функция 310
104 Основной тип: PT 基 IGBT и NPTIGBT312
10 5IGBT Plasma Распределение 315
106 Modern IGBT317, который увеличивает концентрацию нагрузки
1061 Высокая N Передающая полярная инъекция -Усовершенствование плазмы 317
1062 Геометрическая графика 320
1063“ плохая потенциальная битва” эффект 321
1064 Эпизод*Грязный слой 322
107 IGBT324 с двумя способностями блокировки
108 Обратный гид тип IGBT325
109IGBT потенциал 329
Ссылка 332
Глава 11 Пакет питания устройства 335
111 Задача сталкивается с технологией упаковки 335
112 Тип упаковки 336
112 饼 1 торт -Упаковка 338
1122 -й серия и ее производная 339
1123 Модуль 342
113 Физические характеристики материалов 347
114 Тепловое моделирование и тепловая эквивалентная цепь 349
1141 Преобразование количества тепловых параметров и электрического женьшеня номер 349
1142 одно -мерная эквивалентная сеть 354
1143 3D тепловая сеть 356
114 瞬 4 Мгновенная теплостойкость 357
115 Паразитарная электрическая компонент 359 в модуле мощности 359
Справочник 导 Power Leconductor Device—— принцип, характеристики и надежность (оригинальная книга 2) 1151 Паразитарное сопротивление 359
115 寄 2 Паразитическая индуктивность 362
115 寄 3 паразитическая емкость 365
116 Advanced Packaging Technology 367
1161 Серебряное спекание технологии 368
116 扩 2 Диффузия 3 Сварка 370
1163 Advanced Technology 371 в верхней части чипа 371
1164 Улучшенный субстрат 375
1165 Advanced Package Concept 376
Ссылка 379
Глава 12 Тест на надежность и надежность 383
121 Требования к повышению надежности 383
122 Тест на обратное смещение высокой температуры 385
123 высокий тест -стресс -тест сетки 388
124 Тест с смещением человечества 390
125 Тест высокой температуры и низкой температуры 392
126 Тест температурного цикла и температурный экзамен 393
127 Тест цикла питания 395
1271 Реализация теста на цикл электроэнергии 395
1272. Механизм отказа, вызванный силовым циклом 400
127 寿 3 Прогноз жизни модель 407
1274 Свобода 410
1275 Конфигурация миссии и перекрытие 414
1276-6 -й модуль пакетного модуля 417
1277SIC Device Power Cycle 418
128 8 Вселенная. Отказ 422
128 盐 1 тест солевой шахты 422
128 宇 2 Происхождение вселенной Rie 423
128 宇 3 Cosmic Radio Fairy Mode 426
1284 Модель базового механизма отказа 427
1285 Базовые правила дизайна 429
1286 Рассмотрим модель расширения после NN узлов 432
128 扩 7 Проектирование модели расширения Новый прогресс 435
1288SIC Device Космическая радиостанция 437
129 Оценка статистики результатов теста на надежность 440
1210 Проверка проверки надежности 449
Ссылки 450
Глава 13 Механизм повреждения мощного устройства 456
13 穿 1 тепловой разбив—— фасал, вызванный высокой температурой 456
13 电 2 Langyong Current 458
13 电 3 перенапряжения—— напряжение выше, чем блокировка емкости 461
13 雪 4 Динамическая лавина 466
13 极 4 双 1 Динамическая снежная лавина 466 в устройстве биполярного типа
13 速 4 快 2 Динамическая лавина в быстром диоде 467
13 有 4 具 3 Диодная структура с высокими динамическими лавинами 475
13G4I4IGBT Overcapyles и динамические лавины 479 во время процесса прерывания
13t5 За пределами GTO*Закрытие тока 481
13T6IGBT Короткий циркус и над током 482
13 路 6 短 1 короткий тип цирки ⅰ, ⅱ, III482
13 路 6 短 2 Короткие тепловые и электрические напряжения 486
13 路 6 短 3 Короткий ток тока тока 491
Анализ сбоя схемы 13T7IGBT 494
Ссылки 496
Глава 14 Ощутительные колебания и электромагнитные помехи силовых устройств 500
14 扰 1 Частотный диапазон электромагнитных помех 500
14 振 2lc колебания 502
14 联 2 并 1 пассажирский колебание 502
14 阶 2 2 проходной секции колебания диода диода 504
14 宽 2 3 разрывы колебания широкополосного устройства 506
14 时间 3 Ссылки на колебание 508
14 离 3 等 1 Время экстракции плазмы колеблются 509
14 态 3 动 2 Динамическое столкновение Электричество вне колебания 515
14 态 3 动 3 Динамические лавины колебания 519
14 输 3 传 4 Сводка времени передачи 521 521
Ссылки 522
Глава 15 Интегрированная система электроники 524
151 Определение и основные функции 524
152 Система интеграции единой части—— Power IC526
153gan Single -Piece System 529
154 Системная интеграция на плате 531
155 Гибридная интеграция 533
Ссылки 539
Приложение ASI и 4HCSIC модели модели модели 541
Приложение B Композитный центр и связанные с ними параметры 543
Приложение C Снежная лавина и эффективная скорость ионизации 548
Приложение D Технология упаковки важных материалов 552
Приложение E Технология упаковки важных материалов 553
......В этой книге представлены принципы, структуру, характеристики и технологии надежности устройств полупроводниковых устройств Power. Часть устройства охватывает различные типы мощных полупроводниковых устройств, используемых в текущей мощности*, включая диод, кристаллическую трубку, MOSFET, IGBT и интегрированные устройства Power.Кроме того, анализ технологии производства, технологии тестирования и механизма повреждений.Что касается полной и структуры его содержания, это редко встречается в аналогичных профессиональных книгах.
Содержание этой книги новое и следует за разработкой Times. В дополнение к внедрению классического диода и кристаллической трубки классического мощности, он также фокусируется на современных мощных устройствах, таких как MOSFET и IGBT. Такие, как SIC, GAN Device и Field Control Wide -Разидовое устройство ремня.Эта книга представляет собой хорошую книгу, которая тщательно скомпилирована и постоянно обновляется в соответствии со многими годами преподавания и инженерной практики автора. Считается, что его перевод и публикация помогут развивать энергетическую и электронику индустрии моей страны.
Читатели в этой книге включают инженерный и технический персонал и другие связанные с ними специалисты в области студентов, проектирование и производство силовых устройств, а также приложения электроники.Эта книга подходит для колледжей и университетов для специальности для учебных материалов или профессиональных справочников. Она также может использоваться инженерным и техническим персоналом в отрасли электроники электроники и большинства электроэнергии и производителей установки.
............