8 (905) 200-03-37 Владивосток
с 09:00 до 19:00
CHN - 1.14 руб. Сайт - 21.13 руб.

Высокоэффективность кристаллических кремниевых технологий солнечной батареи Ding Jianning Ding Jianning с высокой эффективностью кристаллической кремниевой кремниевой батареи.

Цена: 2 062руб.    (¥97.55)
Артикул: 607400352709

Вес товара: ~0.7 кг. Указан усредненный вес, который может отличаться от фактического. Не включен в цену, оплачивается при получении.

Этот товар на Таобао Описание товара
Продавец:木垛旗舰店
Рейтинг:
Всего отзывов:0
Положительных:0
Добавить в корзину
Другие товары этого продавца
¥28.7607руб.
¥205.784 349руб.
¥14.02297руб.
¥14.34304руб.
  • Информация о товаре
  • Фотографии



Основная информация
Название продукта:Технология высокоэффективных солнечных батарей из кристаллического кремния (тонкая)формат:16
Автор:Дин ЦзяннинКоличество страниц:
Цены:128Время публикации:2019-11-01
Номер ISBN:9787122349569Время печати:2019-11-01
Издательство:химическая промышленностьИздание:1
Типы продукта:книгиВремя печати:1
Об авторе:
Дин Цзяньнин, вице-президент и профессор Университета Цзянсу, руководил более чем 30 проектами, такими как Программа 863 и Ключевые проекты Природного фонда. Он опубликовал 479 статей в журналах Science, Advanced Materials и других журналах, в том числе 203 статьи, включенные в SCI, опубликовал 5 книг и выдал 55 патентов на изобретения.
Краткое содержание:
«Технология высокоэффективных солнечных элементов из кристаллического кремния» знакомит со структурой, ключевыми технологиями производства и тенденциями развития нескольких типичных высокоэффективных солнечных элементов из кристаллического кремния. Основное внимание уделяется анализу факторов, вызывающих потерю эффективности ячеек, и техническим способам повышения эффективности преобразования ячеек.Эта книга разделена на 6 глав. Глава 1 представляет собой введение, в котором представлены теоретические основы солнечных элементов из кристаллического кремния, механизм потери эффективности элементов и ключевые технологические процессы в солнечных элементах из кристаллического кремния.Глава 2, технология солнечных элементов с пассивированным эмиттером и обратным контактом (PERC) p-типа, знакомит с историей развития солнечных элементов PERC, фокусируется на анализе влияния ключевых производственных процессов солнечных элементов PERC p-типа на производительность элементов, а также проводит подробный анализ химической повторной гравировки для контроля распределения концентрации селективного легирования эмиттера, а также подготовки и регулирования обратного отражения и многослойных пассивирующих слоев.Глава 3 Технология солнечных элементов с пассивированным эмиттером обратно локальной диффузией (PERL) и пассивированным обратно эмиттером с полной диффузией (PERT) представляет состояние разработки солнечных элементов PERL n-типа и структуры PERT, проводит моделирование и структурный проект солнечных элементов n-типа структуры PERT, фокусируется на анализе композитной модели солнечного элемента n-типа и модели анализа сопротивления батареи, а также проводит детальное исследование процесса ячейки n-типа со структурой PERT, включая технологию подготовки текстуры, ключевые процессы металлизации, p-типа и легирование n-типа и т. д. После этого подготовка и работоспособность батареи были проанализированы и подробно обсуждены.Глава 4, Технология солнечных элементов с гетеропереходом на основе кремния (SHJ), знакомит с историей развития, принципами и структурой технологии гетероперехода аморфного кремния/кристаллического кремния (SHJ), производственным процессом и ключевыми технологиями солнечных элементов SHJ, а также перспективами развития солнечных элементов SHJ.Глава 5, технология солнечных элементов с туннельным оксидным пассивированным контактом n-типа (TOPCon), знакомит с историей развития технологии солнечных элементов TOPCon и подробно анализирует влияние туннельного оксидного слоя и тонкопленочного слоя поликремния на производительность элемента.В главе 6, «Технология солнечных элементов с задним спаем и задним контактом» (IBC), представлены структурные характеристики солнечных элементов IBC и ключевые технологические процессы для производства солнечных элементов IBC, а также представлены перспективы развития технологии солнечных элементов IBC.
    Эта книга может быть использована для справки научных исследователей и мастеров в фотоэлектрической промышленности. Она также может использоваться для справки и обучения у соответствующих профессиональных учителей и студентов в связанных специалистах в колледжах и университетах.

......

Оглавление:
Глава 1 Заменитель 1
1.1 Введение/ 2
1.2 Теоретическая основа солнечных элементов кристаллического кремния/ 6
1.2.1 Принцип работы/ 6
1.2.2 Измерение и расчет параметров/ 12
1.3 Кристаллический кремниевый механизм потери эффективности батареи/ 15
1.3.1 Оптическая потеря/ 16
1.3.2 Потеря электричества/ 17
1.4 Структура пассивации интерфейса/ 20
1.5 Ключевой процесс прогресс кристаллических солнечных элементов кремния/ 24
1.5.1 полировка, чтобы повредить процесс/ 24
1.5.2 Velvers/ 25
1.5.3 Процесс диффузии/ 27
1.5.4 Технология пассивации/ 28
1.5.5 Классическая мембрана открытая -Мембранная процесс/ 31
1.5.6 Металлический химический процесс/ 32
Ссылки/ 33

Глава 2 P Тип пассивации и обратный контакт (PERC) Технология солнечных батарей 40 40
2.1 Категория разработки солнечной батареи PERC/ 41
2.2 PERC PERC Solar Battery Производство Ключевое ремесло/ 43
2.2.1 Селективный запуск Extreme Preparation/ 43
2.2.2 Структура и приготовление поликиниционной пленки на спине/ 49
2.2.3 Технология контакта с металлом LAN/ 53
2.3 Химические скидки регулирующие селективный запуск
2.4 Исследование по поводу обратного отражения и слоя слоя слоя/ 68
2.4.1 Исследование на обратной рефлекторной структуре/ 68
2.4.2 Исследование полицинизационной пленки на задней части спины
2.5 Back LAN Local Extance Research/ 77
2.6 Local Boron Laser Doping Research/ 86
2,7 P Тип типа Poly Crystal Perc Technology/ 93
2,8 Perc Perc Double -Siled Solar Technology/ 100
2.9 PERC PERC Solar Battery Technology Outlook/ 105
Ссылки/ 105

Глава 3 Тип N Извлечение страсти экстремально назад
3.1 n -тип Perl и Pert Structures разработки технологии солнечных батарей/ 112
3.2 Структура PERT N -тип Моделирование устройства солнечного элемента и конструктивное проектирование/ 118
3.2.1 Влияние передней поверхности пушистой поверхности и конструкции антимамбранной системы/ 118
3.2.2 Исследование на составной модели солнечной батареи/ 121
3.2.3 N -типа Анализ солнечных батарей Модель модели/ 123
3.3 Структура PERT N -Тип Исследование процесса солнечного элемента/ 129
3.3.1 Технология подготовки оборудования/ 129
3.3.2 Исследование по ключевым металлическим химическим технологиям/ 138
3.3.3 P -типа и N Type Research/ 140
3.4 Подготовка солнечной батареи и анализ производительности/ 143
3.4.1 Подготовка и производительность солнечной батареи/ 143
3.4.2 Анализ потерь композитного батареи порта/ 145
3.4.3 Анализ потерянных потерей водителей погружения солнечных батарей/ 146
3.4.4 Анализ оптической потери солнечной батареи/ 147
3,5 N -типа Perl и PERT Структура технологии солнечных элементов/ 150
Ссылки/ 151

ГЛАВА 4 Кремниевая технология гетерогенного узла (SHJ) Технология солнечной батареи 154
4.1 SHJ Solar Battery Development Start/ 155
4.2 Принцип и структура солнечных элементов SHJ/ 156
4.2.1 Основная основа для структуры солнечной батареи/ 156
4.2.2 Основа неоднородности полупроводника/ 158
4.2.3 Структура солнечных элементов SHJ и принцип/ 161
4.2.4 SHJ Солнечный батарейный механизм переноса/ 165
4.2.5 SHJ Solar Factions/ 167
4.3 Процесс производства солнечных элементов SHJ и ключевые технологии/ 169
4.3.1 Влажная химическая обработка/ 169
4.3.2 Аморфное осаждение кремния/ 170
4.3.3 Прозрачное осаждение проводящего пленки/ 171
4.3.4 Электрическое осаждение/ 172
4.4 Анализ производительности солнечной батареи SHJ/ 173
4.4.1 Срок службы нагрузки/ 173
4.4.2 Короткий ток/ 174
4.4.3 Открытое дорожное напряжение/ 175
4.4.4 Коэффициент заполнения/ 175
4.5 SHJ Solar Battery Technology Development/ 177
Ссылки/ 177

Глава 5 Тип N Туннель прохождение Очистки окисления (TOPCON) Технология солнечной батареи 181
5.1 Разработка контакта с пассивацией с технологией солнечной батареи/ 182
5.2 Влияние оксидного слоя туннеля/ 185
5.2.1 Эффект слоя SIO2 на процесс пассивации и диффузии фосфора/ 187
5.2.2.
5.3 Влияние поликристаллического силиконового пленки слоя/ 193
5.3.1 Исследование приготовления поликристаллической кремниевой пленки/ 193
5.3.2 Влияние поликристаллического тонкопленочного слоя кремния на пассивацию/ 195
5.3.3 Влияние допинга поликристаллической кремниевой пленки на контактную структуру пассивации/ 197
5.4 КОНТАЦИЯ КОНТАЦИЯ СТРУКТУРНЫЕ ОПТИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ/ 201
5.5 N -тип контакт с пассивацией с подготовкой солнечных элементов и исследованием производительности/ 205
5.5.1 Приготовление солнечных элементов/ 205
5.5.2. Распределение производительности и анализ данных солнечной батареи/ 214
5.5.3. Анализ FCA Solar Battery/ 215
5.5.4 Анализ композитного тока солнечной батареи/ 216
5.5.5 Тест ослабления солнечных элементов/ 217
5.6 N -тип. Воздействие на разработку технологии солнечных батарей/ 219
Ссылки/ 222

Глава 6 Back -Back in Contact (IBC) Технология солнечной батареи 226
6.1 Разработка солнечных элементов IBC/ 228
6.2 Структурные особенности солнечных элементов IBC/ 233
6.3 Ключевая технология процесса производства солнечных элементов IBC/ 234
6.3.1 Технология первичной поверхности и пассивации/ 235
6.3.2 Технология легирования на задней поверхности/ 237
6.3.3 Технология контакта с металлом и линии сетки/ 239
6.4 Разработка IBC Solar Battery Technology/ 240
Ссылки/ 240

......

Цвет страница: