Двойная композитная оксидная структура перовскита и магнитоэлектрические свойства
Цена: 1 251руб. (¥59.2)
Артикул: 531910799445
Вес товара: ~0.7 кг. Указан усредненный вес, который может отличаться от фактического. Не включен в цену, оплачивается при получении.
Описание товараПродавец:当当网官方旗舰店
Рейтинг:
Всего отзывов:0
Положительных:0
Добавить в корзину
Другие товары этого продавца
¥881 860руб.
¥16339руб.
¥14.1298руб.
¥42.04889руб.
«Структура и магнитоэлектрические свойства двухлегированного композитного оксида перовскита» могут быть изучены и использованы аспирантами и учеными, специализирующимися в области физики конденсированного состояния, физики материалов и химии материалов в колледжах, университетах и научно-исследовательских институтах.
Предисловие
*Чжан Юлун 1
1.1 Введение 1
1.2 Современное состояние исследований магнитных свойств композитных оксидов перовскита АБД3 2
1.3 Отправная точка и основное содержание исследования этой книги 6
Ссылка 9
Глава 2. Основы теории магнитоэлектрических свойств оксида марганца 13
2.1 Кристаллическая структура сложного оксида перовскита 13
2.1.1 Кристаллическая структура гольмиита типа АВ03 13
2.1.2 Кристаллическая структура двойного композитного оксида кальция и гольмия AA, BP/03 13
2.2. Теоретическое описание электронных состояний в сложных оксидах перовскитного типа 14
2.2.1 Теория энергетических зон 14
2.2.2 Теория кристаллического поля 14
2.2.3 Теория молекулярных орбиталей 15
2.2.4 Теория координационного поля 15
2.2.5 Теория суперобменного взаимодействия 15
2.3 Физические свойства основного состояния и основные физические явления оксидных систем марганца 18
2.3.1 Электронная структура и ян-теллеровские искажения 18
2.3.2 Зарядовое, спиновое и орбитальное упорядочение в оксидах марганца 19
2.3.3 Разделение фаз 24
2.3.4 Магнитный фазовый переход 25
2.3.5Эффект CMR и механизм его возникновения 26
2.4 Краткое содержание этой главы 27
Ссылки 28
Глава 3 Структурные характеристики и анализ магнитоэлектрических свойств 31
3.1 Подготовка проб, структурная характеристика и анализ 31
3.1.1 Введение 31
3.1.2 Подготовка проб 31
3.1.3 Структура 38
3.2 Исследование основного состояния разделения фаз 41
3.2.1 Введение 41
3.2.2 Исследование основного состояния 43
3.3. Влияние легирования Fe на магнитную восприимчивость переменного тока 48
3.3.1 Введение 48
3.3.2 Влияние легирования Fe на магнитные свойства 49
3.3.3 Влияние легирования Fe на магнитную восприимчивость переменного тока 50
3.4 Краткое содержание этой главы 52
Ссылки 53
Глава 4. Исследование структуры и магнитоэлектрических свойств 57
4.1 Введение 57
Структурное исследование 4,2 57
4.2.1 Характеристика 57
4.2.2 Анализ фотографий СЭМ 57
4.3 Исследования магнитных свойств 59
4.3.1 Исследование кривой М-Т 59
4.3.2 Исследование кривой M-H 59
4.3.3 Анализ механизма магнитного фазового перехода 60
4.3.4 Сравнение ступенчатого магнитного фазового перехода и постепенного магнитного фазового перехода 63
4.4 Исследование электрических свойств 64
4.5 Сводка этой главы 65
Ссылка 65
Глава 5 Получение, структурная характеристика и анализ магнитоэлектрических свойств 68
5.1 Метод подготовки проб и принцип измерения 68
5.1.1 Подготовка проб 68
5.1.2 Рентгеноструктурный анализ 69
5.1.3 Методы и принципы измерения электромагнитных характеристик 70
Исследование магнитных свойств образцов серии 5.2 72
5.2.1. Влияние легирования А1 на намагниченность 73
5.2.2. Влияние легирования А1 на петлю гистерезиса Pro. Са0.MnO3 75
5.2.3. Влияние легирования А1 на магнитную восприимчивость переменного тока 76
Исследование электротранспортных свойств образцов серии 5.3 79
5.3.1 Влияние легирования А1 на удельное сопротивление 81
5.3.2 Исследование эффекта магнитосопротивления 82
5.4 Краткое содержание этой главы 84
Ссылка 85
Глава 6 Получение, структурная характеристика и анализ магнитоэлектрических свойств 87
Получение и структурная характеристика 6.1 87?
Введение 87
6.1.2 Принцип приготовления и экспериментальное устройство 87
6.1.3 Приготовление образцов серии Sm().5Ca(, 5Mn xCr ()3 методом твердофазных реакций 89
6.1.4 Рентгеноструктурная характеристика серийных образцов 89
6.2 Магнитные и электротранспортные свойства образцов 91
6.2.1 Введение 91
6.2.2 Система измерений и содержание эксперимента 92
6.2.3 Влияние легирования Cr на зарядовое и магнитное упорядочение в системе SCMCO 93
6.2.4 Влияние ионов Cr на электротранспортные свойства системы SCMCO 98
6.2.5 Исследование эффекта CMR 99
6.3 Краткое содержание этой главы 101
Ссылки 102
Глава 7 Получение, структурная характеристика и анализ магнитоэлектрических свойств 105
7.1 Подготовка и тестирование образцов 105
7.1.1 Экспериментальные материалы и оборудование 105
7.1.2 Знакомство с методами приготовления——Метод твердофазной реакции 105
7.1.3 Подготовка проб и структурный анализ 106
7.1.4 Проверка магнитных и электрических свойств 108
Легирование 7.2Fe Ncd.Cao.Mn 7^03 (0<0.30) влияние на магнитоэлектрические свойства 109
7.2.1 Введение 109
7.2.2 Влияние легирования Fe на магнитные свойства 110
7.2.3 Влияние легирования Fe на электротранспортные свойства 113
Анализ петли гистерезиса 7,3 118
7.3.1 Введение 118
7.3.2 Влияние температуры на петлю гистерезиса образца 118
7.4 Краткое содержание этой главы 122
Ссылки 124
Глава 8 Получение, структурная характеристика и анализ магнитоэлектрических свойств 126
Получение и структурная характеристика 8.1 126
8.1.1 Введение 126
8.1.2 Сырье, инструменты и оборудование, необходимые для приготовления 126
8.1.3 Получение методом высокотемпературной твердофазной реакции 127
8.1.4Nd,,5Ca).5Mn1 ^GaJOi (0<0, 1 5) Рентгеноструктурная характеристика серийных образцов 128
8.2. Легирующая пара Nd0,5Ca0,5Mn! IGaI03(0<0. 15) Влияние магнитных свойств серийных образцов 130
8.2.1 Введение 130
8.2.2. Влияние легирования Ga на интенсивность намагничивания серии образцов 130
8.2.3. Влияние легирования Ga на петлю гистерезиса серии образцов 132
8.2.4 Влияние температуры на петлю гистерезиса 134
8.Исследование влияния легирования 3Ga на электротранспортные свойства серии образцов 136.
8.3.1 Эффект CMR и механизм генерации 136
8.3.2. Влияние легирования Ga на удельное сопротивление серийных образцов 139
8.3.3 Эффект CMR серийных образцов 141
8.4 Краткое содержание этой главы 142
Ссылки 143
Глава 9. Исследование структуры и основного магнитного состояния 145
Получение и структурная характеристика 9,1 145
9.1.1 Введение 145
9.1.2 Подготовка проб 145
9.1.3 Структурная характеристика и анализ серийных образцов 147
9.2. Влияние легирования Со на основное магнитное состояние Smn.Can.MnC^ 15.
9.2.1 Введение 15.
9.2.2 Приборы и методы измерения магнитных свойств 151
9.2.3Допирование Co Sm. . 5 ок. . 5. Эффект зарядового и магнитного упорядочения MnO3 152
Анализ чувствительности к переменному току 9,3 157
9.3.1 Введение 157
9.3.2 Анализ реальной части магнитной восприимчивости переменного тока 158
Анализ мнимой части магнитной восприимчивости переменного тока 161 из 9.3.3
9.4 Краткое содержание этой главы 164
Ссылка 165
*Приготовление, структурная характеристика и магнитное исследование группы 0 168.
10.1 Приготовление и структурная характеристика серийных образцов 168
10.1.1 Введение 168
10.1.2 Подготовка 168
Магнитные свойства образцов серии 10.2 174
10.2.1 Введение 174
10.2.2 Принципы и методы магнитных измерений 174
10.3 Краткое содержание этой главы 185
Ссылки 186
*Теория Чжана1.1 Введение
Физика конденсированного состояния является наиболее разделом физики.Так называемое конденсированное вещество — собирательное название твердого и жидкого состояний вещества.Для нее характерно большое количество исследователей, богатые результаты исследований, обширное влияние на технологическое развитие и быстрое взаимопроникновение с другими дисциплинами. На Земле, кроме солнечного света и воздуха, вещества, тесно связанные с жизнью человека, существуют в виде конденсированного вещества. Этого достаточно, чтобы показать важность изучения физики конденсированного состояния для выживания и жизни человека. Ранним крупным прорывом в физике конденсированного состояния стало открытие и применение полупроводников. Его влияние на жизнь и работу людей можно увидеть только по множеству полупроводниковых компонентов компьютеров, которые мы используем каждый день. В последние годы в физике конденсированного состояния существуют два популярных направления.“Сверхпроводящий”Другой“ nano&рдкво;. О них было много сообщений в средствах массовой информации.Кроме того, другие области исследований, такие как мягкая материя, квазикристаллы, магнетизм и т. д., вероятно, готовят следующий крупный прорыв.Несомненно то, что физика конденсированного состояния, будучи крупнейшей отраслью физики, постепенно превратилась в основную часть и центр тяжести всей физики, и более половины исследователей-физиков усердно работают в этой области.
В начале XXI века физика конденсированного состояния, являясь важным научно-техническим фундаментом социального развития и прогресса человеческой цивилизации, в основном имеет следующие актуальные темы, требующие неотложного решения и вызывающие широкий интерес:
(1) Исследования чрезвычайно мелкомасштабных материалов и связанных с ними технологий;
(2) Исследования по физическим основам разработки новых функциональных материалов и их применения;
(3) Исследования по физике конденсированного состояния в экстремальных условиях;
(4) Исследования в области физики поверхности, интерфейсов и химической физики;
(5) Междисциплинарные исследования конденсированного состояния.
Вышеупомянутые «горячие точки» исследований взаимосвязаны и взаимопроникающи. В результате возникло множество междисциплинарных субдисциплин по вышеупомянутым актуальным темам.
В богатой и обширной области магнетизма появилась новая дисциплина, называемая магнитоэлектроникой.
Или называется спиновой электроникой. Он образуется пересечением вышеупомянутых исследовательских точек (2) и (3). Важными объектами его исследований являются новые функциональные материалы, такие как оксиды меди и оксиды марганца с сильно коррелированными электронными системами;его методы исследования применяются в экстремальных условиях, таких как сильные поля, высокие давления, чрезвычайно низкие температуры и сверхвысокие скорости.
С конца 1980-х годов магнитоэлектроника развивается быстрыми темпами. Композиционный оксид титана типа AB()3g является важным объектом исследований в этой отрасли науки.С одной стороны, композитный оксид перовскита ABO3 обладает богатыми физическими и химическими свойствами, такими как ферромагнетизм, сегнетоэлектричество, пироэлектричество, пьезоэлектричество, сверхпроводимость, теплопроводность, магнитострикция, флуоресценция, каталитическая активность, эффект гигантского магнитосопротивления и магнитный фазовый переход и т. д. Следовательно, он может быть использован в качестве функционального материала и имеет важное прикладное значение.В частности, появление высокотемпературных сверхпроводников в середине 1980-х годов и исследования гигантского магниторезистивного эффекта в 1990-х годах сделали композитные оксиды редкоземельных элементов типа перовскита привлекательным объектом исследований.Кроме того, почти 100% спиновая поляризуемость, сильный ферромагнитный порядок и тесная корреляция со свойствами электротранспорта, демонстрируемые этим материалом, открывают чрезвычайно привлекательные перспективы для будущего применения этого типа материала.
С другой стороны, из-за сильного взаимодействия между зарядом, спином, орбитой и свободой решетки в этом типе материала возникает ряд новых явлений, таких как переход изолятор-металл, упорядочение и фазовое разделение.В то же время сложный оксид типа або3 перовскита имеет простую структуру и легко соединяет различные свойства и структуры. Таким образом, этот тип материала имеет важное фундаментальное исследовательское значение. Изучение этих новых явлений стало В последние годы физика, особенно исследования в области физики конденсированного состояния, стала очень активной и привлекательной передовой областью, которая предложила физикам новые темы исследований, что приведет к появлению новых концепций, таких как спинтроника, орбитальная электроника и сильно коррелированная электроника, которые тесно связаны с физикой конденсированного состояния. Они будут пересажены и проникнуты в другие дисциплины, став одной из главных исследовательских точек в науке и технике XXI века, особенно в физике конденсированного состояния, сильно коррелированных электронных системах.
После более чем 20 лет развития с конца 1980-х годов по настоящее время магнитоэлектроника с композитными оксидами перовскита в качестве важного объекта исследования создала базовую теоретическую систему.Эти теории достигли хорошего согласия с экспериментами во многих аспектах.Однако физическое происхождение магнетизма до сих пор полностью не изучено. Люди создали большое количество физических моделей и дали различные объяснения с разных точек зрения, особенно в аспектах спинового стекла, кластерного стекла, фазового разделения, упорядочения зарядов и переменного магнитного фазового перехода.Однако существуют еще некоторые явления, которые не могут быть объяснены однозначно []. Эффект колоссального магнитосопротивления (КМС) был открыт уже много лет и широко используется, но его физический механизм до сих пор не получил однозначного объяснения.В сильно коррелированной системе оксидов марганца заряды, решетка, спин и орбитальные степени свободы связаны друг с другом, а различные свойства, такие как теплоемкость, решетка, проводимость и магнитная восприимчивость, влияют друг на друга.Понимание источников этих физических величин и их взаимосвязей является важной целью современного сообщества физиков конденсированного состояния.
1.2 Современное состояние исследований магнитных свойств композитных оксидов перовскита АВО3
Изучение магнетизма сегодня является одной из наиболее активных областей исследований, и была создана базовая теоретическая система.Такие теории энергетических зон, теория кристаллического поля, теория молекулярных орбиталей, теория координационного поля и т. д., и многие модели были созданы, такие как модель двойного обмена, модель суперобмена, модель перколяции, модель мартенситного фазового превращения и т. д. Эти теории и модели согласуются с экспериментами во многих аспектах.Однако до сих пор существует множество экспериментальных явлений, которым невозможно дать разумное объяснение.Во многих случаях одна и та же теория или модель могут лучше объяснить определенные экспериментальные явления, но в то же время противоречат многим другим экспериментальным явлениям. До сих пор физические причины многих магнитных явлений полностью не изучены, особенно с точки зрения КМР, зарядового упорядочения, спинового стекла и переменного магнитного фазового перехода. Люди создали большое количество физических моделей и дали разные объяснения.Однако все еще существуют явления, которые не могут быть однозначно объяснены существующими моделями [1], поэтому необходимо продолжать глубокие исследования в этих аспектах.
Еще в 1950-х годах физики обнаружили эффект магнитосопротивления в смешанных оксидах марганца. В 1951 г. Зинер предложил модель двойного обмена (ДЭ) для качественного объяснения изменений магнитных и электрических свойств в таких материалах [5].В 1955 году Гуденаф [7] предложил теорию полуковалентной связи гибридизации 3d-электронов Mn и 2p-электронов O, качественно объяснил взаимосвязь между магнитным упорядочением, кристаллической структурой и проводимостью и на основе этой теории полуковалентной связи предсказал магнитную структуру и соответствующую кристаллическую структуру, соответствующую различным значениям z системы Li-Ca-MnCKXzgl).Скоро, Воллан и Келер?Магнитная структура и кристаллическая структура системы Lai-Ca-MnaCOs(zS^l) детально изучены с помощью нейтронографических экспериментов. Экспериментально получена фазовая диаграмма магнитной структуры системы. Результаты показали, что они согласуются с теоретическими предсказаниями Гуденаф.Это доказывает правильность теории полуковалентной связи.В том же году Андерсон и Хасегава [w] разработали модель двойного обмена Зенера, основанную на рассмотрении ядерного спина каждого иона марганца как классического спина и квантовании коллективизированных электронов.В 1960 г. де Женн [11] рассмотрел эффект двойного обмена на основе антиферромагнетизма и теоретически развил теорию двойного обмена.В последующие 20 лет из-за ограничений условий эксперимента не было обнаружено новых экспериментальных явлений, однако почти все экспериментальные явления можно было объяснить с помощью изложенной теории. Именно из-за успеха теории прогресс исследований оксидов марганца в последующие годы застопорился.Не обнаружено ни многих новых экспериментальных явлений, ни крупных теоретических инноваций и прорывов.
До конца 1980-х годов экспериментальные методы начали совершенствоваться, и были сделаны новые прорывы в изучении спина электрона, в результате чего эта область постепенно превратилась в новую субдисциплину.—&- Спинтроника, также известная как магнетроника.В 1988 г. было обнаружено, что удельное сопротивление многослойной пленки (Fe/Cr)N (N — число циклов), образованной попеременным осаждением металлов Fe и Cr, уменьшается с увеличением магнитного поля [12]. Этот эффект отрицательного магнитосопротивления называется эффектом гигантского магнитосопротивления (ГМР).Исследования магнитных металлических сверхрешеток и многослойных пленок показали, что изменения рассеяния, связанные со спином транспортируемых электронов, вызывают уменьшение удельного сопротивления образца под действием магнитного поля.Подобный эффект гигантского магнитосопротивления также наблюдался в пленках магнитных частиц в 1992 году.Лаборатория Альмадена корпорации IBM в США использует этот магниторезистивный материал в качестве считывающей головки магнитного диска, что еще больше увеличивает емкость хранения, а плотность хранения достигает 1 Гбит/дюйм2.Поскольку эффект гигантского магнитосопротивления образцов можно использовать для подготовки считывателей сигналов, магнитных датчиков и магнитной памяти для дисков высокой плотности, исследования эффекта гигантского магнитосопротивления в последние годы быстро развиваются. В 1993 году Гельмолт[3], Кеничи[13] и другие* сообщили, что 1Ye3BaL.3Mn()3 и 1Ca3CaL.3Mn()3 обладают гигантским эффектом магнитосопротивления. Затем, в 1994 г., Джин[и] обнаружил, что в условиях температуры 77К и магнитного поля 6Тл эпитаксиально выращенный на кристаллической подложке LaAl(_)3# эффект магнитосопротивления пленки kiCa^Mna достигает 1,27.
Лишь в середине-конце 1990-х годов Ми11с и другие обнаружили, что поведение материалов с высоким удельным сопротивлением при высоких температурах и внезапные изменения транспортных характеристик, вызванные внешними полями, не могут быть разумно объяснены с использованием модели двойного обмена [13]. Чтобы лучше объяснить эффект КМР и связь между магнитными свойствами и удельным сопротивлением легированных редкоземельных оксидных материалов марганца с концентрацией легирования и температурой, одна за другой возникают новые модели, такие как JT-полярон, образующийся за счет локализации носителей [132].<)] и локализации Андесона [21] эффект перколяции [22] и фазовое расслоение, вызванное немагнитными примесями?ждать.Однако эти модели могут объяснить лишь часть экспериментальных явлений. По мере углубления исследований все больше и больше экспериментальных данных в последние годы постоянно показывают, что металлические и изолирующие нанокластеры (кластеры), образующиеся в результате разделения фаз электронов, могут быть
Играет важную роль в эффекте КМР [2,2427].
В последние годы явление упорядочения заряда постепенно стало горячим исследовательским явлением в современной области магнетизма [29].В 1998 году Мори и др.[3.] После получения разрешенного изображения решетки (изображение решетки) системы Lai^Ca^MnOs (3:=1/2, 2/3, 3/4, 4/5) посредством дифракции электронов они обнаружили, что зарядово-упорядоченные полосковые фазы были парными, которые они назвали Это спаривание Mn3O6 Ян-Теллеровских полос (JTS), то есть биполосковой фазы. Радаэлти и др. В [31] полагают, что в основе расположения зарядов в Ia1;3Ca2/;MnO3 лежит“Wigner-crystal&рдкво; форме, упорядочение заряда в это время обусловлено кулоновским отталкиванием между электронами. Рисунок 1-1 показывает“bi-stripe&rdquo“Winger-crystal”Принципиальная диаграмма расположения различных форм Mn3/Mn4.в“Winger-crystal&В структуре типа rdquo; для уменьшения кулоновского отталкивания между зарядами заряды не упаковываются плотно, то есть Mn3 и Mn4 не располагаются парами, а расположены в шахматном порядке друг от друга на расстояние, постоянное решетки, чтобы уменьшить прирост энергии, вызванный кулоновским отталкиванием между зарядами [2].в“bi-stripe”В структуре заряды плотно упакованы, а ионы Mn3 и Mn4 расположены относительно друг друга. В настоящее время указанные структуры имеют определенных сторонников.Каков статус заказа заряда?“Winger-crystal”Фаза, все еще“bi-stripe”Участок остается неразрешенной проблемой.
Рисунок 1-1 Зарядово-упорядоченное состояние Из-за сильной корреляции между зарядами, спинами, орбитами и степенями свободы решетки в оксидах марганца в системе сильной корреляции конкуренция между различными взаимодействиями очень сложна.Поэтому природа зарядового упорядочения до сих пор остается неясной, а факторы, играющие доминирующую роль в зарядоупорядоченном состоянии в конкретных системах, также весьма различны.
Явление зарядового упорядочения привлекло внимание людей не только потому, что состояние зарядового упорядочения тесно связано с возникновением эффекта КМР и метамагнитного фазового перехода, но, что более важно, оно является ключом к пониманию взаимодействия между зарядом, решеткой, спином и орбитальными степенями свободы в сильно коррелированных системах.При возникновении явлений зарядового упорядочения, теплоемкости, кристаллической решетки, проводимости, намагниченности
Скорость и т. д. существенно изменятся [3235], поэтому углубленное изучение происхождения зарядово-упорядоченного состояния стало одной из актуальных горячих точек в магнитоэлектронике.Систематические исследования зарядоупорядоченного состояния показывают, что на зарядоупорядоченное состояние влияет множество факторов.Например, легирование [36.37], изотопное замещение [38,9], внешнее магнитное поле [K)|2], электрическое поле [3.n], рентгеновские лучи [⑴ и даже статическое давление [丨6,7] и т. д. могут разрушить зарядово-упорядоченное состояние.
В ходе исследований люди обнаружили еще одно явление, тесно связанное с разделением фаз и упорядочением зарядов, а именно ступенчатый магнитный фазовый переход (метамагнитный переход).*Более детальное исследование магнитного фазового перехода в поликристаллах провел Махендимн из Принстонского университета в США[1].В 2002 г. они детально исследовали ступенчатый магнитный фазовый переход поликристаллических образцов Pr().5Ca(, 5Mn().95Co, 05O3. Установлено, что этот магнитный фазовый переход существует только при низких температурах (ниже 5К), а ширина ступенек менее 2X101. Нелегированный Mn-образец и монокристаллический образец. Этот ступенчатый метамагнитный фазовый переход при низкой температуре аналогичен высокотемпературному метамагнитному фазовому переходу, наблюдающемуся в оксиде марганца и в других материалах. Наблюдаемый метамагнитный фазовый переход существенно отличается. метамагнитный фазовый переход и строгая критическая температура метамагнитного фазового перехода. Кроме того, влияние таких факторов, как легирование узла Mn, релаксация магнитного поля и охлаждение магнитного поля, на критическое поле H переменного магнитного фазового перехода до сих пор неясно. Поэтому необходимо предложить новую теоретическую модель для объяснения явления переменного магнитного фазового перехода. Это требует прорывов в экспериментах и теории со стороны исследователей магнитоэлектроники.
В области магнетизма, несмотря на многочисленные усилия физиков-теоретиков и физиков-экспериментаторов, достигнут большой прогресс и к настоящему времени создана основная теоретическая система. Эти теории достигли и
Ступенчатый магнитный фазовый переход при экстремально низких температурах стал горячей точкой исследований в последние годы, но физический механизм еще не полностью объяснен. «Структура и магнитоэлектрические свойства двухлегированного композитного оксида перовскита» Оксид перовскита Pr1-xNaxMn1-y с типичными характеристиками низкотемпературного разделения фаз·FeyO3(0≤y≤0,3), Ln0,5Ca0,5Mn1-xMexO3(0≤x≤0,3) (Ln — Pr, Me — Al; Ln — Sm, Me — Cr, Co и Fe; Ln — Nd, Me — Fe и Ga) Всего объектами исследования являются 8 серий проб. На основе получения однофазных поликристаллических образцов на системе PPMS исследованы низкотемпературные магнитоэлектрические свойства образцов.В частности, были изучены эффект прайминга, процесс прайминга, механизм прайминга и влияние эффекта прайминга на конкретные образцы, когда образец подвергается магнитному фазовому переходу. Также была изучена микроскопическая картина процесса конкуренции между фазами FM/COOAF. Проанализированы влияющие факторы и закономерности взаимной трансформации ступенчатых кривых намагничивания и градиентных кривых намагничивания при экстремально низких температурах.Это может помочь нам глубже понять странное поведение и возможные явления квантового перехода этого типа сложной системы с низкотемпературным разделением фаз.......