8 (905) 200-03-37 Владивосток
с 09:00 до 19:00
CHN - 1.14 руб. Сайт - 17.98 руб.

Прямой кремниевый процесс монокристалля процесса численного моделирования и оптимизации процессов Новые материалы, профессиональные технологии.

Цена: 3 034руб.    (¥168.72)
Артикул: 679135280398

Вес товара: ~0.7 кг. Указан усредненный вес, который может отличаться от фактического. Не включен в цену, оплачивается при получении.

Этот товар на Таобао Описание товара
Продавец:天津新华书店图书专营店
Адрес:Сычуань
Рейтинг:
Всего отзывов:0
Положительных:0
Добавить в корзину
Другие товары этого продавца
¥45.4817руб.
¥22.8410руб.
¥19.9358руб.
¥22.8410руб.
  • Информация о товаре
  • Фотографии

Численное моделирование и оптимизация процесса процесса роста монокристаллов прямого кремния

делать  К:Лю Дин
Конечно  цена:228
Издательское агентство:Science Press
Дата публикации:01 ноября 2020 г.
Страница  число:332
Пакет  рамка:Твердая обложка
ISBN:9787030667069
Оглавление
●Последовательный
Предисловие
Предисловие
Глава 1
1.1 Основная концепция кремниевого монокристалла
1.2 Кремниевый процесс роста и развития монокристаллов и прогресс в исследованиях.
1.3 Основное расположение контента этой книги
Рекомендации
Глава 2 Технология и оборудование для роста монокристаллов CZ CR
2.1 Основная теория роста кристаллов
2.1.1 Тепловой баланс в росте кристаллов
2.1.2 Тепловой баланс между границей твердой жидкости при росте кристаллов
2.1.3 Состояние потока расплава во время роста кристаллов
2.2CZ Принцип роста кристаллов
2.2.1CZ предложение роста кристаллов
2.2.2 Кристаллиальная движущая сила
2.2.3 Тепловая передача границы раздела роста
2.2.4 Влияние температуры на скорость роста кристаллов
2.2.5 Связь между скоростью роста кристалла и диаметром кристалла
2.2.6 Модель расчета качества поверхности и высоты изгиба
2.2.7 Модель расчета высоты поверхности жидкости расплава
2.2.8 Модель расчета Crystal Liang Corner
2.2.9 Модель расчета скорости роста кристаллов
2.2.10 Модель расчета качества кристалла
2,3 куб.
2.3.1CZ Процесс роста монокристаллов кремния
2.3.2 Влияние градиента температуры на график твердой жидкости
2.3.3 Магнитное поле ингибирует принцип конвекции потока расплава
2.3,4 МГц общее магнитное поле для монокристаллической печи Общее магнитное поле
2.3.5cusp Принцип подавления магнитного поля
2.4 Подавление и улучшение качества кристаллического дефекта и улучшение качества
2.4.1 Дефекты роста кристаллов
2.4.2 Качество роста кристаллов улучшается
2,5CZ Силиконовый оборудование для роста монокристаллов
2.5.1CZ Силиконовый оборудование для роста монокристаллов.
2.5.2 C КЛЮЧЕВОЙ КЛЮЧЕВ
2.6 Резюме
Рекомендации
Глава 3 Численное моделирование в росте кремниевых монокристаллов
3.1 Обзор метода численного моделирования
3.1.1 Происхождение метода численного моделирования
3.1.2 Классификация методов численного моделирования
3.1.3 Разработка методов численного моделирования
3.2 Программное обеспечение для численного моделирования
3.2.1 Общее программное обеспечение для моделирования
3.2.2 Специальное программное обеспечение для моделирования роста кристаллов
3.3 Исследование прогресса в исследованиях численного моделирования
3.3.1 Исследование по многофинатным моделям процесса роста кристаллов
3.3.2 Моделирование значения роста кристаллов под действием магнитного поля
3.4 Применение метода формулирования в численном моделировании разработки кристаллов
3.4.1 Обзор метода конечных элементов
3.4.2 Расчет значения кремниевого монокристаллического горячего поля на основе метода конечных элементов
3.4.3 Числовое моделирование на основе программного обеспечения ANSYSCFX Анализ конечных элементов.
3.4.4 Пример инженерного приложения
3.5 Резюме
Рекомендации
Глава 4 CZ Кремниевые исследования монокристаллов
4.1cgsim Software
4.1.1CGSIM Software Введение
4.1.2CGSIM Процесс программного обеспечения
4.2 Влияние ключевых параметров процесса на качество кристалла
4.2.1 Влияние скорости подъема на качество кристалла
4.2.2 Влияние скорости кристалла на качество кристалла
4.2.3 Влияние потока слитчих на качество кристалла
4.3 Распределение и анализ кислорода, примесей углерода
4.3.1 Требования к качеству и типы примесей во время роста кремниевого монокристалла
4.3.2 Исследование метода моделирования и ингибирования метода распределения кислорода
4.3.3 Исследование методов моделирования распределения углерода и ингибирования
4.3.4 Феномен примесей в процессе роста кремниевого монокристалла
4.4 Мудди роста монокристалля кремния
4.4.1 Выбор легированных элементов
4.4.2 Метод допинга
4.4.3 Единость и контроль сопротивления
4.5CZ кремниевой стабильность монокристалля и динамическое моделирование
4.5.1 Устойчивая государственная модель и динамическая модель
4.5.2 Анализ результатов стационарного государственного и динамического моделирования результатов
4.5.3 Динамический анализ границы раздела твердой жидкости
4.6 Резюме
Рекомендации
Глава 5 CZ Силиконовая монокристаллическая тепловая тепловая система моделирование и дизайн
5.1 Тепловое поле монокристаллической печи и качество кристалла
5.1.1 Тепловая передача во время процесса роста кристаллов
5.1.2 Факторы, которые необходимо учитывать в дизайне горячих поля
5.2 Конструкция тепловой системы
5.2.1 Структивный дизайн
5.2.2 Композиция компонентов горячего поля
5.2.3.
5.2.4 Выбор маршрута выхлопных газов теплового поля
5.2.5 Материал горячего поля
5.2.6 Дизайн обогревателя
5.2.7 Дизайн боковой изоляции
5.3 Силиконовая монокристаллическая тепловая тепловая численность
5.3.1 Проектирование и моделирование горячего экрана
5.3.2 Проектирование и моделирование изоляции внизу
5.4 Резюме
Рекомендации
Глава 6 Метод Больцмана и модель роста кристаллов
6.1 Теоретическая и модель метода решетки Больцманна
6.1.1 Уравнение Colltzmann
6.1.2 От уравнения Больцмана до уравнения Больцмана сетки
6.1.3 Основная модель уравнения решетки Больцмана
6.1.4 Метод мульти -релаксации.
6.1.5 Не сжимайте метод динамической динамики тепловой жидкости.
6.1.6 Ограниченное условие уравнения решетки Больцманна
6.1.7 Бесконечный контур метода решетки Больцманна
6.2 Модель роста кристаллов метода решетки Больцманна
6.2.1CZ Модель механизма роста кристаллов
6.2.2 Купон -порождающий термосково -поток конструкция сцепления
6.2.3 Горячая транспортная модель роста кристаллов под действием магнитного поля
6.2.4 Модельное создание Больцмана
6.3 Резюме
Рекомендации
Глава 7 Рост кремниевого монокристалла при множественном взаимодействии
7,1CZ Силиконовый монокристаллический рост проходит моделирование тепловой связи
7.1.1 Обзор исследования кремниевого монокристаллического роста на кремниевом монокристалле в многофизическом поле
7.1.2 Применение уравнения сетки Больцмана в исследовании роста кристаллов
7.1.3 Расчет и анализ результатов
7.2 Смешивание роста кристаллов под действием действия магнитного поля
7.2.1
7.2.2 Многочисленные расчеты и анализ результатов
7.3 Смешанная конвекционная конвекция кристаллических колебаний
7.3.1 Физическая модель роста кристаллов и связанные с ними предположения
7.3.2 Параметры критического процесса колебания смешанного потери при действии кристаллического вращения
7.3.3 Влияние магнитного поля на гибрид колебаний на параметры потокового корабля
7.4 Моделирование процесса изменения фазы кристаллов
7.4.1 Изменение фазы роста телесного роста и модель связи потока теплопередачи
7.4.2gr, Wpull и Rex's влияют на форму интерфейса изменения фазы
Нимфо
Пунктирное содержание

краткое введение

Эта книга представляет собой краткое изложение исследований численного моделирования и оптимизации процессов долгосрочного процесса неаккуратного монокристалля.Основываясь на схеме перспектив разработки, основные росты оборудования и ключевые процессы кремниевых монокристаллов вводятся метод численного моделирования, процесс процесса и параметры параметров, конструкция тепловой системы и производство прямого процесса монокристалля с прямым положением; Перспектива, влияние многофизического влияния поля на рост кристаллов и дает ключевые методы выбора параметров процесса;И эта книга подробно объясняет как в теоретических, так и в экспериментальных аспектах и ​​дает некоторые инженерные экспериментальные результаты.Эта книга имеет справочную ценность для учителей колледжа, научных исследователей и аспирантов, занимающихся теоретическими исследованиями, техническим развитием и промышленным применением роста кристаллов.