Основные принципы кремникового карбида -карбида.
Вес товара: ~0.7 кг. Указан усредненный вес, который может отличаться от фактического. Не включен в цену, оплачивается при получении.
Описание товара
A8
Название: Основные принципы технологии карбида кремния
Цена: 150
Издание: 1
Время печати: 2 мая 2018 г.
Книга: 16
Бумага: пластическая версия бумага
Упаковка: пластический порядок пропаганды
Это набор: нет
ISBN: 9787111586807
本 书 一 本 有关 碳化硅 材料 、 器件 工艺 、 器件 和 方面 的 书籍 ， 其 主题 包括 碳化硅 的 物理 、 晶体 和 生长 、 电学 光学 光学 的 表征 、 扩展 缺陷 和 缺陷 工艺 、 性能 的 表征 扩展 缺陷 点 缺陷 工艺 、 、 、 Концепция концепции выпрямителя мощности и устройств переключения, физические и характеристики отдельных / биполярных устройств, явления поломки, высокочастотные и высокопроизводительные устройства и системные приложения кремниевых карбидных устройств охватывают основные концепции и новое состояние развития о теме, включая основные физические характеристики, новое понимание, нераскрытые проблемы и будущие проблемы.
Переводчик
Предисловие
Введение в автора оригинальной книги
Глава 1 Введение 1
1.1 Прогресс электронной науки 1
1.2 Характеристики карбида кремния и простой истории 3
1.2.1 Ранняя история 3
1.2.2 Инновация роста кристаллов SIC 4
1.2.3 Перспективы и отображение устройства SIC Power 5
1.3 Книга Схема 6 Ссылки 7
Глава 2 Физические свойства карбида кремния 10
Глава 3: 36 Кристаллы карбида 36
Глава 4 рост удлинения карбида кремния 70
Глава 5 Дефекты карбида кремния и технологии представления 117
Глава 6 Кремниевое карбид ремесло 177
Глава 7: Диод мощности мощности с одним полюсом и биполярным типом 262
Глава 8: Устройство переключения питания с одним полюсом 286
Глава 9 Двусторонний компонент переключения питания 336
9.1 Двусторонний транзистор -тип (BJT) 336
9.1.1 Внутренний ток 337
9.1.2 Параметры усиления 338
9.1.3 Конец тока 340
9.1.4 Current -Soltage Взаимосвязь 341
9.1.5 Большой эффект тока в области власти: насыщение и квази насыщение 343
9.1.6 Большой эффект тока в базовой площади: Риттнер Эффект 347
9.1.7 Большой ток в области области власти: вторичное расщепление и диффузионный эффект базовой площади 351
9.1.8 Общее усиление тока полюса: характеристики температуры 353
9.1.9 Общее усиление тока полюса: составной эффект 353
9.1.10 Блокировка напряжения 355
9.2 Производительный биполярный транзистор (IGBT) 356
9.2.1 Соотношение тока -напряжения 357
9.2.2 Блокировка напряжения 367
9.2.3 Особенности коммутатора 368
9.2.4 Характеристики температуры параметра устройства 373
9.3 Кристаллическая трубка 375
9.3.1 Режим положительного направления 377
9.3.2 Положительный режим блокировки и триггер 381
9.3.3 Процесс открытия 386
9.3.4 DV / DT Trigger 388
9.3.5 Limited of DI / DT 389
9.3.6 Процесс прерывания раздела 390
9.3.7 Режим обратной блокировки 397
Ссылки 397
Глава 10 Оптимизация и сравнение силового устройства 398
Глава 11 Применение карбида керамизма в системе питания 425
Глава 12 Выделенное кремниевое карбидовое устройство и приложение 466
Приложение 490
Приложение A 4H -SIC Electricity Ionization 490
Ссылки 494
Приложение B Двойная песня функция функции 494
Приложение C Общие физические свойства SIC Multi -Type 497
C.1 Nature 497
C.2 Температура и / или легированные характеристики основных физических свойств 498
Ссылки 499
