8 (905) 200-03-37 Владивосток
с 09:00 до 19:00

Схема и применение с азотом-нитридом транзистор-схемы и применение (оригинальная книга 2 издания электронных наук и техники книг) Baku.com

Цена: 835руб.    (¥39.5)
Артикул: 629879266972

Вес товара: ~0.7 кг. Указан усредненный вес, который может отличаться от фактического. Не включен в цену, оплачивается при получении.

Этот товар на Таобао Описание товара
Продавец:博库旗舰店
Рейтинг:
Всего отзывов:0
Положительных:0
Добавить в корзину
Другие товары этого продавца
¥ 34.4 24.9527руб.
¥143.253 027руб.
¥39.12827руб.
¥16.67353руб.
  • Информация о товаре
  • Фотографии

Основная информация
Название продукта:Схема и применение с азотом-нитридом транзистор-схемы и применение (оригинальная книга 2 издания электронных наук и техники книг) Baku.comформат:16
Автор:(США) Алекс&Middot; Lido // Джон&Middot; Spolon // Майкл&миддот; немецкий&Миддот; Рой // Дэвид&Middot; Рой Ши | Переводчик: Duan Baoxing // Yang YintangКоличество страниц:
Цены:79Время публикации:2018-09-01
Номер ISBN:9787111605782Время печати:2018-09-01
Издательство:МашиностроениеИздание:1
Типы продукта:книгиВремя печати:1
Об авторе:
Алекс Лидоу — генеральный директор компании Efficient Power Conversion (EPC). До основания EPC д-р Лидоу был генеральным директором компании International Rectifier (IR).Как соавтор HEXFET MOSFET (силовой MOSFET с шестиугольной ячейкой), доктор Лидоу имеет множество патентов в области силовых полупроводниковых технологий и написал множество монографий по силовым полупроводниковым технологиям.Доктор Лидоу получил степень бакалавра в Калифорнийском технологическом институте в 1975 году и степень доктора философии в Стэнфордском университете в 1977 году.
     Йохан Стридом — вице-президент по приложениям EPC.Он получил докторскую степень в Африканском университете Рэнда (ныне известном как Йоханнесбургский университет) в 2001 году.С 1999 по 2002 год он работал научным сотрудником в Центре силовых электронных систем (CPES) Технологического института Вирджинии.Сейчас доктор Стридом работает инженером по применению в Rectifier Company и Linear Technology Corporation, отвечая за исследования в области преобразователей постоянного тока, электроприводов и усилителей мощности звука класса D.
    Доктор Майкл де Рой — исполнительный директор по прикладным разработкам EPC. До прихода в EPC он работал в Windspire Energy, где участвовал в разработке следующего поколения небольших инверторов ветряных турбин с вертикальной осью. Кроме того, д-р Майкл де Рой работал инженером в GE Research.Научные интересы доктора Майкла де Рой включают полупроводниковые высокочастотные преобразователи энергии, источники бесперебойного питания, технологию интеграции силовых электронных преобразователей, силовую электронную упаковку, индукционный нагрев, фотоэлектрические преобразователи, системы магнитно-резонансной томографии и драйверы затворов с функциями защиты.Доктор Майкл де Ройдж является членом IEEE и получил докторскую степень в Африканском университете Рэнда (ныне известном как Университет Йоханнесбурга).
     Дэвид Ройш — директор по приложениям компании EPC. Он имеет степени бакалавра, магистра и доктора электротехники Технологического института Вирджинии.Во время работы над докторской диссертацией доктор Реуш был стипендиатом Брэдли в Центре силовых электронных систем (CPES).Доктор Ройш имеет обширный опыт в проектировании GaN-транзисторов и может проектировать преобразователи мощности с низкими потерями и высокой удельной мощностью.Он активно участвует в организационной работе IEEE и опубликовал множество статей на конференциях APEC и ECCE.
Краткое содержание:
"Нитридная плохая мощность кристаллическая трубка—&- Устройства, схемы и приложения (2-е издание оригинальной книги) включает в общей сложности 11 глав: Глава 1 представляет собой обзор технологии нитрида галлия (GaN);Глава 2 знакомит с физикой устройства GaN-транзисторов;Глава 3 знакомит с управлением GaN-транзисторами; В главе 4 представлены схемы транзисторов GaN. Компоновка схемы; В главе 5 обсуждается моделирование и измерение GaN-транзисторов; В главе 6 подробно описана технология жесткого переключения; В главе 7 подробно описаны технология мягкого переключения и преобразователи; В главе 8 представлены радиочастотные характеристики GaN-транзисторов; В главе 9 обсуждается космическое применение GaN-транзисторов; В главе 0 перечислены примеры применения GaN-транзисторов; В главе 1 анализируются причины, по которым GaN-транзисторы заменяют силовые кремниевые транзисторы.

......

Оглавление:
Переводчик
Предисловие
Благодарности
об авторе
Введение в переводчик
Глава 1 Обзор технологий GAN
11.1 Силоконный мосфет (1976 ~ 2010) 1
1.2gan Base Power Device 2
1,3gan Материал 2 Характеристики 2
1.3.1 Запретная полоса пропускания (например,) 3
1.3.2 Критическое расщепление электрическое поле (ECRIT) 3 (ECRIT) 3
1.3.3 Устойчивость к направлению (RDS (ON)) 4
1.3.4 Двухмерный электронный газ (2DEG) 4
1.4 Основная структура Gan Transistor 6
1.4.1 Gagcame Enhanced Structure 7
1.4.2 Инъекционная сетка Улучшенная структура 7
1.4.3p Gan Grid Enhanced Structure 8
1.4.4 Улучшенная структура смешанного типа общего источника 8
1.4.5GAN Crystal Crystal Tub
1,5GAG Crystal Preparation 10
1.5.1 Выбор материалов субстрата 10
1.5.2 Действия для гетерогенного расширения 10
1.5.3 Обработка стен 12
1.5.4 Электрическое соединение с внешним электриком 13
1.6 Сводка этой главы 15
Ссылки 16
ГЛАВА 2 ГАН КРИСТОЛЬНАЯ ТРУБА ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВЕТИ 18
2.1 Введение 18
2.2 Ключевые параметры устройства 18
2.2.1 Индукционное напряжение (BVDSS) и ток утечки (IDSS) 18
2.2.2 Устойчивость к направлению (RDS (ON)) 22
2.2.3 Пороговое напряжение (VGS (TH) или VTH) 25
2.3 Конденсатор и заряд 27
2.4 Обратная проводимость 28
2.5 Теплостойкость 31
2.6 Мгновенная теплостойкость 33
2.7 Резюме этой главы 34
Ссылка 34
ГЛАВА 3 ДРАВИТЬ ГАН КРИСТАЛЬНАЯ ТРУБКА 36
3.1 ВВЕДЕНИЕ 36
3.2 Галерея Драйвер Напряжение 38
3.3 Самостоятельная и плавающая сила 40
3,4DV/DT сопротивление 41
3,5DI/DT Антиминация 43
3.6 Ground Recound 45
3.7 Co -модульный ток 46
3.8 Скорость края водителя сетки 47
3.9 управлять устройством Gan Gan 47
3.10 Эта глава является резюме 49
Ссылки 49
ГЛАВА 4 ГАН КРИСТАЛЬНАЯ ТРУБА МАСКАТА 51
4.1 Введение 51
4.2 Уменьшите паразитическую индуктивность 51
4.3 Традиционное проектирование силового кольца 54
4.4 Оптимизированная схема силового кольца 55
4.5 Parallel Gan Transistor 56
4.5.1 Параллельная хрустальная трубка Gan, нанесенная в одном выключателе 56
4.5.2 Параллельный Gan Transistor 60 из полублакового применения 60
4.6 Сводка этой главы 63
Ссылки 63
Глава 5 Моделирование и измерение хрустальной трубы Gan 64
5.1 Введение 64
5.2 Электрическое моделирование 64
5.2.1 Базовое моделирование 64
5.2.2 Ограничение базового моделирования 66
5.2.3 Ограничение схемы моделирования 68
5.3 Горячая модель 69
5.3.1 Улучшить тепловые характеристики 70
5.3.2 Multi -Chip обнаженная модель модели 72
5.3.3 Сложное моделирование системы 74
5.4gan Transistor Измерение производительности 75
5.4.1 Требования к измерению напряжения 76
5.4.2 Требования к измерению тока 78
5.5 Сводка этой главы 79
Ссылки 79
ГЛАВА 6 ТЕРВАННАЯ ТОПОЛОГИЯ ТОПОЛОГИЯ 81
6.1 Введение 81
6.2 Анализ потерь жесткого переключения 82
6.2.1 Потеря коммутатора 83
6.2.2 Выходная емкость (COSS) Потеря 87
6.2.3 Галерея Зарядка (QG) Потеря 87
6.2.4 Потеря обратного погружения (PSD) 88
6.2.5 Потеря обратного восстановления (QRR) 90
6.2.6 Общая потеря жесткого переключателя 90
6.2.7 Коэффициент качества жесткого открытия 90
6.3 Внешний фактор, влияющий на потерю жесткого переключения 91
6.3.1 Влияние индуктивности общего источника 92
6.3.2 Влияние индуктивности силового кольца с высокой частотой на потерю устройства 93
6.4 Уменьшите потерю диодной проводимости тела GAN Transistor 96
6.5 Влияние частоты на магнетизм 99
6.5.1 Трансформатор 99
6.5.2 Индуктор 100
6.6 Примеры анти -дальновидного преобразователя 100
6.6.1 Потеря выходной емкости 102
6.6.2 Галерея энергопотребление (PG) 103
6.6.3 Потеря направления трубки тела (PSD) 105
6.6.4 Потеря коммутатора (PSW) 108
6.6.5 Pdynamic 109 109
6.6.6 Pconduction 109 109
6.6.7 Общая потеря жесткого переключателя (PHS) 110
6.6.8 Прямая потеря (PL) 110
6.6.9 Преобразователь давления оценочная общая потеря (Ptotal) 111
6.6.10 Учитывая потерю потери конвертеров CO -Source Inductor 111
6.6.11 Экспериментальные результаты антигипертензивного конвертера 113
6.7 Сводка этой главы 114
Ссылки 114
Глава 7 Резонансный и мягкий переключатель 116
7.1 Введение 116
7.2 Технология резонанса и мягкого переключения 116
7.2.1 нулевое напряжение и переключатель нулевого тока 116
7.2.2 Резонансный преобразователь DC-DC 117
7.2.3 Резонансная комбинация сети 117
7.2.4 Принципы резонансной сети работы 118
7.2.5 Компонент резонансного переключения 120
7.2.6 Soft Switch DC-DC Converter 121
7.3. Параметры ключа устройства для резонированных и мягких приложений переключения 121
7.3.1 Выходной заряд (qoss) 121
7.3.2. Определите выходной заряд через данные производителя. Таблица 122
7.3.3 Выходной заряд транзистора GAN и кремниевого MOSFET 123
7.3.4 Заряд галереи (QG) 123
7.3.5 Определение зарядов решетки решений в резонансе и мягком переключателе 124
7.3.6 Сравнение заряда сетки кремниевого MOSFET в транзисторе и кремниевом MOSFET 125
7.3.7 Сравнение индикаторов производительности транзистора и кремниевого MOSFET кремниевого MOSFET 125
7.4 Примерный резонансный резонансный экземпляр.
7.4.1 Resonance Gan and Silin Line Converter Design 129
Сравнение 7.4.2gan и кремниевых устройств 130
7.4.3 Преобразование переключателя нулевого напряжения 131
7.4.4 Эффективность и энергопотребление 132
7.5 Сводка этой главы 134
Ссылки 135
Глава 8 Радиочастотная производительность 136
8.1 Введение 136
8.2 Различия радиочастотного транзистора и переключения транзистора 137
8.3 Базовые знания о RF 139
8.4 РЧ -транзисторный индикатор 140
8.4.1 Определить высокочастотную особенность RF FET 142
8.4.2 Импульсное испытание на рассмотрение теплового рассеяния 142
8.4.3S Анализ параметров 144
8.5 Используйте дизайн усилителя параметров небольшого сигнала 147
8.5.1 Стабильный двусторонний проект усилителя транзистора 147
8.6 Примеры Zaiser Design 148
8.6.1 Сопоставление и предвзятость сети 151
8.6.2 Экспериментальная проверка 153
8.7 Резюме этой главы 155
Ссылка 156
ГЛАВА 9 СПАСКОЕ ПРИМЕНЕНИЕ ГАН КРИСТАЛЬНАЯ ТРУБКА 157
9.1 Введение 157
9.2 Механизм отказа 157
9.3 Стандарт радиации и Big Dove 158
9.4 Гамма -излучение и толерантность 158
9.5 Эффект одной частицы (см.) Тест 159
9.6gan Crystal Tube и Rad-Hard Silicon Mosfet сравниваются с 160
9.7 Резюме этой главы 162
Ссылка 162
Глава 0 Пример приложения 163
10.1 Введение 163
10.2 Неизоляция DC-DC Converter 163
10.2.112VIN-1.2VOT Антиверсионное преобразователь 164
10.2.2 28VIN-3,3 Ввета модуля точки точки 168
10.2.3 48VIN-12VOUT Антигипертензивный преобразователь, применяемый к крупному полю тока, объединенного GAN Transistor 169
10.3 Изоляция DC-DC Converter 174
10.3.1 Промежуточный конвертер шины жесткого переключателя 175
10.3.2 400 V LLC Resonance Converter 184
10,4D аудио 185
10.4.1 Общее гармоническое искажение 185
10.4.2 Коэффициент демпфирования 185
10.4.3D Audio усилитель экземпляр 187
10.5 Отслеживание пакетов 189
10.5.1 Высокочастотная хрустальная труба Gan 190
10.5.2 Результаты эксперимента по отслеживанию пакетов 191
10.5.3 Ограничение Grid Drive 192
10.6 Высокая резонансная беспроводная энергетическая передача 194
10.6.1 Элементы проектирования беспроводной передачи энергии 196
10.6.2 Пример беспроводной передачи энергии 197
10.6.3 Краткое изложение расчетных факторов беспроводной передачи энергии 203
10.7Lidar и Pulse Laser Applications 204
10.8 Коррекция коэффициента мощности 206
10.9 Электрический водитель и фотоэлектрический инвертор 208
10.10 Эта глава суммирована 208
Ссылки 209
Глава 1. Альтернативы силовым кремниевым МОП-транзисторам 212
11.1 Какой уровень использования контроля 212
11.2 Новые функции, реализуемые GaN-транзисторами 212
11.3gan Crystal Tube легко использовать 213
11.4 Стоимость и время 213
11.4.1 Сырье 214
11.4.2 Расширение материала растет 214
11.4.3 Стены. Производство 214
11.4.4 Тестирование и упаковка чипов 215
11,5 надежность Gann Tube 215
11.6 Направление развития транзистора транзистора 216
11.7 Эта глава является резюме 216
Ссылка 217
Приложение профессиональное термин 218

......

Цвет страница: