Основные основы материаловедения 2 -е издание 2 издание 2 Yu Yonning General Advanced College бакалавриат.
Вес товара: ~0.7 кг. Указан усредненный вес, который может отличаться от фактического. Не включен в цену, оплачивается при получении.
Описание товара
Основная информация
Заголовок:Основы материальной науки (2 -е издание)
Номер книги:9787040351033
Цены:72.00
Автор/редактор:Ю Юннинг
Издательство:Высшее образование пресса
Опубликованная дата:2012 сентябрь
краткое введение
«Материальная научная основа (2 -е издание)» -это учебный материал для материалов проекта для учебников с высоким уровнем образования в Пекине.
«Основы материальной науки (2 -е издание)» фокусируется на характеристиках широкого калибра обучения материаловедению и инженерии, а также была значительно модифицирована в оригинальной системе.«Материальная научная основа (2 -е издание)» фокусируется на базовом контенте в письменной форме и должным образом отражает развитие дисциплины; Как структурные материалы, так и функциональные материалы с основного уровня дисциплины, интеграция и интеграция различных материалов.Книга вводит большое количество примеров вопросов, чтобы объяснить и объяснить основные понятия и принципы.
Вся книга разделена на 12 глав, в том числе основание кристаллической науки, электронное состояние движения в твердых материалах, кристаллическую структуру, аморфное состояние и полукристаллический, фазовую диаграмму, точечные дефекты и линейные дефекты в упорядоченной среде, дефекты лица и физические дефекты.
Эта книга может быть использована в качестве профессионального учебника по базовым курсам для бакалавриатских специальностей в обычных колледжах и университетах, а также может быть выбрана для исследований.
Оглавление
1 Основы кристалологии
1.1 Основные особенности кристаллов
1.2 Кристаллическая структура и точечная матрица
1.3 Симметрия
1.3.1 Симметричное преобразование (операция)
1.3.2 Анализ симметричной трансформации
1.3.3 Симметричное преобразование (операция)
1.4 Кристаллическая и высшая геометрия
1.4.1 Тип матрицы пространственной точки (кристаллическая система)
1.4.2 Bulafi Dot Corinet
1.4.3 Индекс направления кристалла (индекс направления)
1.4.4 Индекс кристаллической поверхности
1.4.5 Закон хрустальных полос и хрустальных полос
1.4.6 Индекс направления и плоский индекс четырехпартийной (и трех сторон) кристаллической системы
1.4.7
1.4.8 Применение легкого вектора в отношениях геометрии кристаллического обучения
1,5 Проекция полярной стрельбы из красной лапши
1.5.1 Сферическая проекция
1.5.2 Проекция полярной стрельбы
1.5.3 wu's.com и jiwang
1.5.4 Стандартная проекционная диаграмма
Подведем итог
Критический термин
Вопрос упражнения
Рекомендации
2 Состояние электронного движения в твердых материалах
2.1 Электронная волатильность и электронное состояние в изолированных атомах
2.1.1 Электронная волатильность
2.1.2 Электронное состояние в изолированных атомах
2.1.3 Основные принципы квантовой механики
2.1.4 Угловое движение микро частиц
2.1.5 Многочастичная система
2.2 Теория квантовой свободной электронной теории в металле в металле
2.2.1 Ключевые точки квантовой свободной электронной теории
2.2.2 Квантовая свободная электронная теория
2.2.3 Состояние свободной электроники в металле
2.2.4 K Описание пространства свободного электронного состояния движения
2.2.5 Плотность энергии N (E)
2.2.6 Закон о распределении Ферми-Дираки
2.2.7 Состояние свободной электронной системы в металле
2.2.8 Ферми Энергия
2.2.9 Средняя кинетическая энергия свободной электроники в металле
2.2.10 горячая емкость бесплатной электроники в металле c
2.3 Электронный статус в поле потенциального цикла
2.3.1 Теорема Блоха
2.3.2 модель Panna One Kni Rongnick
2.3.3 Электронные характеристики Глобальной наводнения в цикле
2.3.4 Взаимосвязь между электронной энергией E и Poya K
2.4 Электроника в твердом
2.4.1 Взаимосвязь между электронной энергией и Пойей
2.4.2 Разброс запретной полосы и электронного волны
2.4.3 Бурин район кристаллов
2.4.4 может быть перекрыт с разрывом между полосой
2.4.5 Плотность энергии в энергии
2.4.6 Качественное объяснение, которое можно сформировать
2.5 Типичное электронное состояние и применение твердых материалов
2.5.1 Традиционные металлические материалы
2.5.2 Полупроводниковый материал и материалы изолятора
2.5.3. Специальные электронные проблемы в твердых материалах
2.6 Применение теории твердого электронного состояния
2.6.1 Электронный процесс прыжка и связанные с ними явления
2.6.2 Тип ключа комбинации и кривая энергии связывания
2.6.3 Внутренняя энергия и связанные с ними явления в электронной системе
Подведем итог
Критический термин
Вопрос упражнения
Приложение ⅰ Атом водорода и водородная радиальная волновая функция RNL (R) Таблица и Функция гармонии шарика (θ, φ) Таблица таблица
Приложение II Электромагнитные волны, звуковые полосы, списки длины волн
Рекомендации
3 Кристаллическая структура
3.1 Классификация кристаллической структуры и символа кристаллической структуры
3.2 Атомная (ионная) укладка и сопоставление
3.2.1 Плотная складывание и сопоставление однокачественных атомов металлических ключей
3.2.2 Уточнивание и координацию различных типов атомов металлов
3.2.3 Укладка и координация ионных кристаллов
3.2.4 Кристаллы и молекулярные кристаллы Stack и Co -Price
3.3 Атомный радиус и диаметр ионов
3.3.1 Атомный радиус
3.3.2 Ионовый диаметр
3.4 Одиночная кристаллическая структура
3.4.1 Структура куба сердца лица
3.4.2 Секреты шестивальной структуры
3.4.3 Структура спортивного куба
3.4.4 Несталлическая однокачественная кристаллическая структура
3.5 Кристаллическая структура соединений и средней фазы
3.5.1 Структура составной структуры металла -ключа
3.5.2 Структура с ионным ключом
3.5.3 Ковалентная структура
3.6 Сплошной раствор
3.6.1 Замените твердое решение
3.6.2.
3.7 Алиоплазматический гетерогенный и полиморфизм
3.8 Quasi -crystal
Подведем итог
Критический термин
Вопрос упражнения
Рекомендации
4 Oteper и полукристаллическое состояние
4.1 Африканское хрустальное государство
4.1.1 Стеклянная температура
4.1.2 Образование состояния стекла
4.1.3 Описание структуры аморфного состояния
4.1.4 Модель жесткого мяча структуры аморфного состояния
4.2 Полимер
4.2.1 Наименование и тип полимера
4.2.2 Относительное молекулярное качество полимера
4.2.3 Тип строительства и конструктор полимера
4.2.4 Эластичное тело
4.2.5 Структура состояния полимерного конденсата
4.3 LCD
4.3.1 Классификация ЖК -дисплеев
4.3.2 Структура ЖК -дисплеев
Нимфо
5 фазовая диаграмма
6 точечных дефектов и линейных дефектов в упорядоченном носителе
7 дефектов лица и физические дефекты
8 Распространение атомов в твердом
9 Материалов смены
10 основных принципов изменения фазы
11 затвердевание
12 твердого преобразования
Приложение
