8 (905) 200-03-37 Владивосток
с 09:00 до 19:00
CHN - 1.14 руб. Сайт - 21.13 руб.

Конструкция моделирования и расчет принципа Castep и его применения Чэнь Чжицян составил основную квантовую механику и метод работы с твердой физикой кастеп

Цена: 3 138руб.    (¥148.5)
Артикул: 599572346325

Вес товара: ~0.7 кг. Указан усредненный вес, который может отличаться от фактического. Не включен в цену, оплачивается при получении.

Этот товар на Таобао Описание товара
Продавец:品悦轩图书专营店
Адрес:Пекин
Рейтинг:
Всего отзывов:0
Положительных:0
Добавить в корзину
Другие товары этого продавца
¥661 395руб.
¥ 290 229.14 841руб.
¥ 99 64.31 359руб.
¥581 226руб.
  • Информация о товаре
  • Фотографии

Ценообразование198.00
Издательнаучная пресса
Опубликованная датаИюль 2019
формат16
авторChen Zhiqian et al.
УкраситьМягкая обложка
Количество страниц374
Число слов580000
Кодирование ISBN9787030611154
В этой книге есть 8 глав. ПолемКнига включает в себя уравнения Сюэ Дин, основу кристалла, теорию плотности, теорию плотности, метод работы кастепа, электронную структуру кристалла, оптические свойства полупроводника, теория кристаллической эластичности, твердости и твердости и Супер жесткий материал и анализ магнитного моделирования.

Глава 1 Физическая основа 1

1.1 Уравнения Xue Ding и его решение 1

1.1.1 волновая функция и уравнение Xue Dingzhang 1

1.1.2 Уравнения Dingbang Xue Dingzhang 3

1.1.3 Один -мерная ограниченная глубокая потенциальная ловушка 4

1.1.4 Атом водорода 8

1.1.5 Атомный спектр водорода 13

1.1.6 Квантовой забор 13

1.2 Симметрия кристаллической структуры 18

1.2.1 Периодическая кристаллическая структура 18

1.2.2 Brafi Grid и Crystal System 19

1.2.3 Индекс кристаллической и кристаллической лапши 26

1.2.4 Перевернутая сетка 29

1.2.5.

1.3 Классификация кристаллов 34

1.3.1 Металлическая связь и металлический кристалл 35

1.3.2 Ионовый ключ и ионно -кристалл 36

1.3.3 Консолидированные облигации и кристаллы общей цены 39

1.3.4 Межмолекулярная сила и молекулярный кристалл 41

1.3.5 Кристаллы водорода и водородной связи 42

1.4 Приложение 43

Приложение I Физики Константы, обычно используемые единицы и коэффициент преобразования 43

ПРИЛОЖЕНИЕ II 32 КОЛИФОРЕВЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ (Таблица 1.8) 45

Приложение III 230 СПОЛНАЛА СПОСКОЛЬНАЯ ГРУППА (Таблица 1.9) 46

Приложение IV Кристаллическая структура 48

Ссылка 50

ГЛАВА 2 ТЕОРИЯ ГРАНДА ПИСЬМА 51

2.1 Thomas-Fermi-Dirac Theory 51

2.2 Теория Хоэнберга-Кона 52

2.3 Уравнение Кон-Шама 53

2.4 обмены, связанные с общим письмом 55

2.4.1 Местная плотность приблизительно 55

2.4.2 Широкий градиент приближается 56

2.4.3 Гибридное обобщение 59

2.5 Расширение плоских волн и энергия перехвата 62

2.5.1 Расширение плоской волны 62

2.5.2 СТАЧИТЬ ПРИНЦИПЫ ВЫБОР 62

2.6 Метод времени 62

2.7 DFT статус -кво и проспект 64

2.8 ** Принципы Расчет и общее программное обеспечение 64

2.9 Приложение: Некоторые ученые с выдающимся вкладом в создание и развитие DFT 68

Приложение ⅰ Пьер&Миддот;

Приложение II Уолтер&Миддот;

Приложение III Shen Lu Sham (Lujeu Sham) 68

Приложение IV Yang Weitao (Weitao Yang) 69

Ссылки 69

Глава 3 Учебник Castep 72

3.1 Когнитивный интерфейс 72

3.2 Знайте бар меню и панель инструментов 74

3.2.1 Бар меню 74

3.2.2 Панель инструментов 76

3.3 Строительная модель 79

3.3.1 3D модель 79

3.3.2 Двухмерная модель 83

3.3.3 Один -мерная модель 85

3.3.4 Адсорбирующая молекулярная модель 85

3.4 Установка задач и параметров 87

3.4.1 Один точка может рассчитать 87

3.4.2 Геометрическая оптимизация 89

3.4.3 Расчет эластичной константы 91

3.5 Природа 94

3.5.1 Анализ работы 94

3.5.2 Электронная структура 95

3.5.3 Плотность заряда 97

3.5.4 Оптическая природа 99

3.5.5 стресс 101

3.5.6 Shengzi 102

3.6 Приложение Руководство по эксплуатации 103

Глава 4 Электронная структура природа 112

4.1 Основная теория 112

4.1.1 Электронная энергия 112

4.1.2 Форма электронного совместного владения образовалась 113

4.1.3 Теорема Браха 116

4.1.4 Метод анализа 118

4.1.5 Уровень умственной плотности и энергии Ферми 125

4.2 Метод расчета 128

4.2.1 Энергия с расчетом по структурному моделированию 128

4.2.2 Расчет моделирования умственной плотности 132

4.3 Анализ результатов 135

4.3.1 Анализ диаграммы плотности заряда 135

4.3.2 Анализ структурного анализа 135

4.3.3 Анализ умственной плотности 139

4.4 Пример приложения 140

4.4.1 Altosteromer: Diamond and Graphite 140

4.4.2 Osbornite Tin, ZRN и HFN 141

4.4.3 Трехмерные BC2N 145 с различными структурами

4.4.4 Двухмерный кристаллический материал 147

4.5 Приложение 158

Приложение ⅰ Способность Палафигга ремнят и высокую симметрию 158

Приложение II Важный полупроводник может быть на рисунке 179

Приложение III Полупроводниковая зона. Распространение полосы: Запретная полоса (зона направляющей зоны) ширина 183

Приложение IV Адсорбция 186

Ссылки 199

Глава 5 Расчет моделирования и анализ оптических свойств 202

5.1 Базовая связь между твердой оптической константой 202

5.1.1 Множество диэлектрической постоянной 202

5.1.2 Уровень преломления 203

5.1.3 Рефлекторный коэффициент 204

5.2 Процесс поглощения света в твердых веществах 205

5.3 Поглощение света полупроводника 206

5.3.1 Этот знак поглощен 206

5.3.2 Прямой переход и косвенное переход 208

5.3.3 Другой процесс поглощения 211

5.4 Метод расчета оптического характера 215

5.5 Приложение оптического анализа 217

5.5.1 Tio 2217 различных минеральных структур

5.5.2 Оксид переходного металла M 2O 5221

5.5.3. Два измерения материала BC2N 228

Ссылки 231

Глава 6 Расчет кристаллической эластичности и моделирования 235

6.1 Вкус и его операции 235

6.1.1 Определение 235

6.1.2 Цитата Физическое количество 236

6.1.3 Кристаллическая симметрия, упрощающая второй тензор 237 второго заказа 237

6.2 Стопковая акция.

6.2.1 напряжение стресса 237

6.2.2 Натяжение напряжения 241

6.2.3 Huke Law 242

6.3 Эластичная постоянная и эластичная модуль 244

6.3.1 Cube Crystal 244

6.3.2 Шести -квадратная кристаллическая система 245

6.3.3 Sifang Crystal 246

6.3.4 ортогональный кристалл 247

6.3.5 Одиночный кристалл 248

6.4 Эластичный модуль кристалла и противоположного пола 249

6.4.1 Модуль объема 249

6.4.2 Модуль Янга 250

6.4.3 Модуль сдвига и модуль реверса 253

6.4.4 Эластичность каждого противоположного пола -фактора 254

6.4.5 Koisi Relations и Central Power 256

6.4.6 Плохое соотношение 257

6.5 Эластичность тех же материалов 257

6.5.1 Связь между упругими параметрами гомосексуального тела и коэффициентом жесткости 258

6.5.2 Взаимосвязь между упругими параметрами гомосексуального тела и мягким коэффициентом 259

6.5.3.

6.6 Расчет и анализ упругого моделирования некоторых соединений 262

6.6.1 Osbornite Tin, ZRN и HFN Elastic 262

6.6.2 M3Aln (M = Ti, Zr, HF) 264

6.6.3 Ti3an (a = al, in, tl) 268

6.6.4 HFO2 Multi -Type 274

6.6.5 Двухмерные упругие свойства BC2N Расчет моделирования 282

6.7 Приложение 284

Приложение ⅰ Решение о механической стабильности 284

Приложение II Эластичная константа элементов металла 284

Приложение III Твердое элемент DBE Температура 285

Ссылки 285

Глава 7 Твердость и супер жесткие материалы 289

7.1 Представление о твердости 289

7.2 Micro Model 291 с прогнозом твердости 291

7.2.1 Модель сопротивления связывания 291

7.2.2 Модель 293 связанной интенсивности

7.2.3 Электрическая негативная модель 294

7.2.4 АНАЛИЗ МИКРО ЖАРЫЙ МОДЕЛЬ 294

7.3 многокен

7.3.1 Принципы расчета Маликоджу 298

7.3.2 Метод расчета числа домохозяйств 299

7.4 Твердость и буджу 301

7.4.1 Тип клавиша атома 301

7.4.2 Расчет твердости 301

7.5 Проектирование, моделирование и расчет супер -хардных материалов 305

7.5.1 Соединение переходного металла 307

7.5.2. Проектирование и расчет супер-харда материалов B-C-N Series 309

7.5.3 Супер -хард -материал на базе Boron 314

7.6 Приложение 316

Приложение ⅰ Соединения BCN высокой температуры и синтеза высокого напряжения 316

Приложение ⅱ разработанная супер-харда-кристаллическая структура (цветная карта см. Литература [78,127-129]) 316

Приложение III Теоретическое спроектированное супер -хард твердость 317

Ссылка 317

Глава 8 Расчет моделирования магнитных материалов 323

8.1 Атомный магнит 323

8.1.1. Правила ограничения электронных электронных выборов.

8.1.2 Электронный дорожка магнитный крутящий момент 324

8.1.3 Электронный вращающийся магнитный крутящий момент 325

8.1.4 Atomic Magnetics 325

8.2 Магнитная классификация 327

8.2.1 Диамагнетизм 327

8.2.2 Парамагнетизм 327

8.2.3 Ферромагнетизм 328

8.2.4 Антиферромагнетизм 328

8.2.5 Ferrimagnetism 329

8.2.6 Spinglass 329

8.2.7 Суперпарамагнетизм 329

8.3 Магнитный расчет 329

8.3.1 Ферромагнитный 330

8.3.2 Анти -магнитный магнит 333

8.3.3 Магнитный 340

8.3.4 Магнитный 342

8.4 Идентификация магнитных материалов 343

8.4.1 Идентификация магнитных материалов в результатах расчета MS 343

8.4.2 Идентификация материалов магнитные свойства 344

8.5 Пример магнитного анализа: бинарный бор Железо, углерод, нитрид 344

8.6 Приложение 351

Приложение ⅰ Железный бор Борнфизирует частичную плотность PDO 351

Приложение II Железное карбонизированное частичное частичное состояние PDO 352

Приложение III III Нитрид железа Частичная плотность PDO 355

Прикрепление 硼 И железного бора, углерода железа и длины ключа нитрида железа (&Альфа;) и Маликобу № 356

Приложение (LDA (GGA)+U 357

Ссылка 366

Индекс 369

Вложение

На данный момент нет каталога