8 (905) 200-03-37 Владивосток
с 09:00 до 19:00
CHN - 1.14 руб. Сайт - 17.98 руб.

Азота -нитридная транзисторная схема и применение оригинальная книга 2 -е издание Алекса Лидо Ган Хрустальная трубка

Цена: 1 144руб.    (¥63.6)
Артикул: 579079650822

Вес товара: ~0.7 кг. Указан усредненный вес, который может отличаться от фактического. Не включен в цену, оплачивается при получении.

Этот товар на Таобао Описание товара
Продавец:悦悦图书旗舰店
Рейтинг:
Всего отзывов:0
Положительных:0
Добавить в корзину
Другие товары этого продавца
¥17306руб.
¥17.75320руб.
¥41.9754руб.
¥14252руб.
  • Информация о товаре
  • Фотографии

Дисплей продукта
Основная информация
Название книги:
  
Автор:
 
Цены:
 79
Номер ISBN:
 9787111605782
Издательство:
 Машинолетная индустрия издательство
формат:
 16
Фрагментация:
  Установка
Дата публикации:
 2018-9-1
Дата печати:
 2018-9-1
Выбор редактора
Чтение толпы: Исследователи и инженеры, занимающиеся исследованиями по полупроводниковым технологиям нитрид -нитрида
Нитрид (GAN) - это новая технология, которая, как ожидается, заменит кремниевый MOSFET в силовых транзисторах.Поскольку мощный транзистор на основе кремния близок к его пределу производительности, а транзистор GAN может обеспечить отличную проводимость и характеристики переключения, что позволяет дизайнерам значительно снизить энергопотребление, размер, вес и стоимость системы."Нитридная плохая мощность кристаллическая трубка——Кристалл GAN не является заменой текущей технологии MOSFET на основе кремния.Эта книга может быть использована в качестве практического руководства для понимания структуры, характеристик и применений транзисторов GAN, включая обсуждения по базовой физике, расположению макета и конструкции схемы этих мощных полупроводников, а также конкретные примеры применения технологии проектирования при использовании устройств GAN.Из-за более высокой частотной функции переключения частота устройство GAN помогает повысить эффективность существующих приложений (таких как преобразование DC-DC), и в то же время, вероятность новых приложений, включая передачу радиоэнергетики и отслеживание пакетов.Эта книга является важным инструментом обучения и справочным руководством, которое может помочь инженерам по переходу с питанием использовать инженерные изделия GAN Crystal Design Design Energy, меньшую и более затратную продукцию. 
"Нитридная плохая мощность кристаллическая трубка—— 
? 
2) Обсуждение взаимодействия между схемой устройства, которое очень ценное, потому что высокопроизводительный транзистор GAN требует тщательно разработанной схемы драйвера/управления, чтобы полностью воспроизводить его потенциал производительности. 
  3) При построении системы преобразования мощности, которая использует транзистор GAN, было сформулировано практическое руководство для конкретной конструкции схемы (вы можете войти на поддерживающий веб -сайт www.wiley.com/go/gan_transistors, чтобы узнать более подробную информацию). 
4) Предоставьте ценные учебные ресурсы для профессиональных инженеров и дизайнеров системы, чтобы помочь им полностью понять новые электроэнергии.
Введение
"Нитридная плохая мощность кристаллическая трубка—— Дизайн транзистора GAN; Ган -транзистор;
об авторе
Алекс Лидоу является генеральным директором эффективного преобразования власти (EPC).До создания EPC доктор Лидоу был генеральным директором International выпрямителя (IR).Будучи соратником MOSFET Hexfet (гексагональный оригинальный MOSFET), доктор Лидоу имеет ряд патентов в технологии полупроводникового полупроводника и написал монографию на многочисленную технологию полупроводников.Доктор Лидоу получил степень бакалавра в Калифорнийском технологическом институте в 1975 году и докторскую степень в Стэнфордском университете в 1977 году. 

Йохан Стриндс - вице -президент по применению EPC.Он получил докторскую степень в Университете Рэнд Африх (в настоящее время известный как Университет Йоханнесбурга) в 2001 году. С 1999 по 2002 год он занимал постдокторский исследователь в Центре электроэнергии электроэнергии (CPES) в Технологическом университете Вирджинии.Доктор Стриден в настоящее время является инженером-приложением и отвечает за исследовательские работы DC-DC Converter, Motor Driver и DC Audio Power-усилитель. 

Доктор Майкл де Руайдж является исполнительным директором по приложению EPC.Перед присоединением к EPC он работал в Windspire Energy Company, чтобы помочь разработать следующую инвертор с малой вертикальной осью ветряной турбины.Кроме того, доктор Майкл де Ройдж также был старшим инженером GE Global Research Center.Исследовательский интерес доктора Майкла де Руайджа включает в себя твердотельные преобразователи мощности, непрерывное источник питания, технологию интеграции электронных преобразователей питания, электронная упаковка, индукционный нагрев, фотоэлектрический преобразователь, система магнитно -резонанса и драйвер ворот с функциями защиты и т. Д. . СущностьДоктор Майкл де Руэйдж - старший член IEEE, который получил докторскую степень в Университете Ранды Африх (ныне известный как Университет Йоханнесбурга). 

Дэвид Реуш является директором по приложению EPC и имеет степень бакалавра в области электронного инженера в области электронного техники Технологического института Вирджинии.Во время докторской степени доктор Рейш был исследователем в электронном системном центре Power (CPE).Доктор Реуш обладает богатым опытом проектирования хрустальной трубки Gan, который может удовлетворить спрос на более низкую потерю и более высокую плотность мощности у преобразователя мощности.Он активно участвовал в организации IEEE и опубликовал несколько документов на конференции ATEC и ECCE
Оглавление
Переводчик 
Предисловие 
Спасибо 
об авторе 
Введение в переводчик 
Глава 1 Обзор технологий GAN 
11.1 Силоконный мосфет (1976 ~ 2010) 1 
1.2gan Base Power Device 2 
1,3gan Материал 2 Характеристики 2 
1.3.1 Запретная полоса пропускания (например,) 3 
1.3.2 Критическое расщепление электрическое поле (ECRIT) 3 (ECRIT) 3 
1.3.3 Устойчивость к направлению (RDS (ON)) 4 
1.3.4 Двухмерный электронный газ (2DEG) 4 
1.4 Основная структура Gan Transistor 6 
1.4.1 Gagcame Enhanced Structure 7 
1.4.2 Инъекционная сетка Улучшенная структура 7 
1.4.3p Gan Grid Enhanced Structure 8 
1.4.4 Улучшенная структура смешанного типа общего источника 8 
1.4.5GAN Crystal Crystal Tub 
1,5GAG Crystal Preparation 10 
1.5.1 Выбор материалов субстрата 10 
1.5.2 Действия для гетерогенного расширения 10 
1.5.3 Обработка стен 12 
1.5.4 Электрическое соединение с внешним электриком 13 
1.6 Сводка этой главы 15 
Ссылки 16 
ГЛАВА 2 ГАН КРИСТОЛЬНАЯ ТРУБА ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВЕТИ 18 
2.1 Введение 18 
2.2 Ключевые параметры устройства 18 
2.2.1 Индукционное напряжение (BVDSS) и ток утечки (IDSS) 18 
2.2.2 Устойчивость к направлению (RDS (ON)) 22 
2.2.3 Пороговое напряжение (VGS (TH) или VTH) 25 
2.3 Конденсатор и заряд 27 
2.4 Обратная проводимость 28 
2.5 Теплостойкость 31 
2.6 Мгновенная теплостойкость 33 
2.7 Резюме этой главы 34 
Ссылка 34 
ГЛАВА 3 ДРАВИТЬ ГАН КРИСТАЛЬНАЯ ТРУБКА 36 
3.1 ВВЕДЕНИЕ 36 
3.2 Галерея Драйвер Напряжение 38 
3.3 Самостоятельная и плавающая сила 40 
3,4DV/DT сопротивление 41 
3,5DI/DT Антиминация 43 
3.6 Ground Recound 45 
3.7 Co -модульный ток 46 
3.8 Скорость края водителя сетки 47 
3.9 управлять устройством Gan Gan 47 
3.10 Эта глава является резюме 49 
Ссылки 49 
ГЛАВА 4 ГАН КРИСТАЛЬНАЯ ТРУБА МАСКАТА 51 
4.1 Введение 51 
4.2 Уменьшите паразитическую индуктивность 51 
4.3 Традиционное проектирование силового кольца 54 
4.4 Оптимизированная схема силового кольца 55 
4.5 Parallel Gan Transistor 56 
4.5.1 Параллельная хрустальная трубка Gan, нанесенная в одном выключателе 56 
4.5.2 Параллельный Gan Transistor 60 из полублакового применения 60 
4.6 Сводка этой главы 63 
Ссылки 63 
Глава 5 Моделирование и измерение хрустальной трубы Gan 64 
5.1 Введение 64 
5.2 Электрическое моделирование 64 
5.2.1 Базовое моделирование 64 
5.2.2 Ограничение базового моделирования 66 
5.2.3 Ограничение схемы моделирования 68 
5.3 Горячая модель 69 
5.3.1 Улучшить тепловые характеристики 70 
5.3.2 Multi -Chip обнаженная модель модели 72 
5.3.3 Сложное моделирование системы 74 
5.4gan Transistor Измерение производительности 75 
5.4.1 Требования к измерению напряжения 76 
5.4.2 Требования к измерению тока 78 
5.5 Сводка этой главы 79 
Ссылки 79 
ГЛАВА 6 ТЕРВАННАЯ ТОПОЛОГИЯ ТОПОЛОГИЯ 81 
6.1 Введение 81 
6.2 Анализ потерь жесткого переключения 82 
6.2.1 Потеря коммутатора 83 
6.2.2 Выходная емкость (COSS) Потеря 87 
6.2.3 Галерея Зарядка (QG) Потеря 87 
6.2.4 Потеря обратного погружения (PSD) 88 
6.2.5 Потеря обратного восстановления (QRR) 90 
6.2.6 Общая потеря жесткого переключателя 90 
6.2.7 Коэффициент качества жесткого открытия 90 
6.3 Внешний фактор, влияющий на потерю жесткого переключения 91 
6.3.1 Влияние индуктивности общего источника 92 
6.3.2 Влияние индуктивности силового кольца с высокой частотой на потерю устройства 93 
6.4 Уменьшите потерю диодной проводимости тела GAN Transistor 96 
6.5 Влияние частоты на магнетизм 99 
6.5.1 Трансформатор 99 
6.5.2 Индуктор 100 
6.6 Примеры анти -дальновидного преобразователя 100 
6.6.1 Потеря выходной емкости 102 
6.6.2 Галерея энергопотребление (PG) 103 
6.6.3 Потеря направления трубки тела (PSD) 105 
6.6.4 Потеря коммутатора (PSW) 108 
6.6.5 Pdynamic 109 109 
6.6.6 Pconduction 109 109 
6.6.7 Общая потеря жесткого переключателя (PHS) 110 
6.6.8 Прямая потеря (PL) 110 
6.6.9 Преобразователь давления оценочная общая потеря (Ptotal) 111 
6.6.10 Учитывая потерю потери конвертеров CO -Source Inductor 111 
6.6.11 Экспериментальные результаты антигипертензивного конвертера 113 
6.7 Сводка этой главы 114 
Ссылки 114 
Глава 7 Резонансный и мягкий переключатель 116 
7.1 Введение 116 
7.2 Технология резонанса и мягкого переключения 116 
7.2.1 нулевое напряжение и переключатель нулевого тока 116 
7.2.2 Резонансный преобразователь DC-DC 117 
7.2.3 Резонансная комбинация сети 117 
7.2.4 Принципы резонансной сети работы 118 
7.2.5 Компонент резонансного переключения 120 
7.2.6 Soft Switch DC-DC Converter 121 
7.3. Параметры ключа устройства для резонированных и мягких приложений переключения 121 
7.3.1 Выходной заряд (qoss) 121 
7.3.2. Определите выходной заряд через данные производителя. Таблица 122 
7.3.3 Выходной заряд транзистора GAN и кремниевого MOSFET 123 
7.3.4 Заряд галереи (QG) 123 
7.3.5 Определение зарядов решетки решений в резонансе и мягком переключателе 124 
7.3.6 Сравнение заряда сетки кремниевого MOSFET в транзисторе и кремниевом MOSFET 125 
7.3.7 Сравнение индикаторов производительности транзистора и кремниевого MOSFET кремниевого MOSFET 125 
7.4 Примерный резонансный резонансный экземпляр. 
7.4.1 Resonance Gan and Silin Line Converter Design 129 
Сравнение 7.4.2gan и кремниевых устройств 130 
7.4.3 Преобразование переключателя нулевого напряжения 131 
7.4.4 Эффективность и энергопотребление 132 
7.5 Сводка этой главы 134 
Ссылки 135 
Глава 8 Радиочастотная производительность 136 
8.1 Введение 136 
8.2 Различия радиочастотного транзистора и переключения транзистора 137 
8.3 Базовые знания о RF 139 
8.4 РЧ -транзисторный индикатор 140 
8.4.1 Определить высокочастотную особенность RF FET 142 
8.4.2 Импульсное испытание на рассмотрение теплового рассеяния 142 
8.4.3S Анализ параметров 144 
8.5 Используйте дизайн усилителя параметров небольшого сигнала 147 
8.5.1 Стабильный двусторонний проект усилителя транзистора 147 
8.6 Примеры Zaiser Design 148 
8.6.1 Сопоставление и предвзятость сети 151 
8.6.2 Экспериментальная проверка 153 
8.7 Резюме этой главы 155 
Ссылка 156 
ГЛАВА 9 СПАСКОЕ ПРИМЕНЕНИЕ ГАН КРИСТАЛЬНАЯ ТРУБКА 157 
9.1 Введение 157 
9.2 Механизм отказа 157 
9.3 Стандарт радиации и Big Dove 158 
9.4 Гамма -излучение и толерантность 158 
9.5 Эффект одной частицы (см.) Тест 159 
9.6gan Crystal Tube и Rad-Hard Silicon Mosfet сравниваются с 160 
9.7 Резюме этой главы 162 
Ссылка 162 
Глава 10 Пример приложения 163 
10.1 Введение 163 
10.2 Неизоляция DC-DC Converter 163 
10.2.112VIN-1.2VOT Антиверсионное преобразователь 164 
10.2.2 28VIN-3,3 Ввета модуля точки точки 168 
10.2.3 48VIN-12VOUT Антигипертензивный преобразователь, применяемый к крупному полю тока, объединенного GAN Transistor 169 
10.3 Изоляция DC-DC Converter 174 
10.3.1 Промежуточный конвертер шины жесткого переключателя 175 
10.3.2 400 V LLC Resonance Converter 184 
10,4D аудио 185 
10.4.1 Общее гармоническое искажение 185 
10.4.2 Коэффициент демпфирования 185 
10.4.3D Audio усилитель экземпляр 187 
10.5 Отслеживание пакетов 189 
10.5.1 Высокочастотная хрустальная труба Gan 190 
10.5.2 Результаты эксперимента по отслеживанию пакетов 191 
10.5.3 Ограничение Grid Drive 192 
10.6 Высокая резонансная беспроводная энергетическая передача 194 
10.6.1 Элементы проектирования беспроводной передачи энергии 196 
10.6.2 Беспроводная энергия
Чтение в Интернете Чтение некоторых глав