Вакуумная наука и технология Vacuum покрытие
Вес товара: ~0.7 кг. Указан усредненный вес, который может отличаться от фактического. Не включен в цену, оплачивается при получении.
Описание товара
“”Опубликовал следующие альбомы, пожалуйста, обратите внимание одновременно:
Глава 1 Введение
1.1 Обзор
1.2 Факторы, которые влияют на структуру, внешний вид и характеристики твердой поверхности
1.2.1 Атомы и молекулы составляют твердые вещества
1.2.2 Структура поликристаллического материала
1.2.3 Различные напряженные нагрузки, полученные материалами
1.2.4 Дефекты, вызванные обработкой материала
1.2.5 Необходимость покрытия твердой пленки на поверхности субстрата
1.3 Вакуумное покрытие и его характеристики и функции процесса, которые должны быть переданы на покрытие
1.4 Фильм. Характеристики
1.4.1 Структурные особенности тонкой пленки
1.4.2. Характеристики поведения металлической пленки
1.4.3 Особенности коэффициента температуры сопротивления металлической пленки
1.4.4 Характеристики плотности пленки
1.4.5 Особенности смены времени тонкой пленки
1.5 Применение пленки
1.5.1 Тонкая пленка для электронной промышленности
1.5.2 Различные приложения для оптических пленок в оптической промышленности
1.5.3 Жесткие мембраны, устойчивые к коррозии мембраны и смазочные мембраны, используемые в таких отраслях, как машины, химические вещества, масло
1.5.4 Органическая молекулярная пленка
1.5.5 Декоративный пленку и упаковочный фильм в гражданской и пищевой индустрии
1.6 Разработка вакуумного покрытия и нового прогресса
Рекомендации
Глава 2 Основы реальных панелей
2.1 Вакуумное покрытие Физическое основание
2.1.1 Дисциплина и измерение вакуумных и вакуумных состояний
2.1.2 Основная природа газа
2.1.3.
2.1.4 Взаимодействие между молекулой газа и твердой поверхностью
2.2 Вакуумное покрытие низкотемпературное плазменное основание
2.2.1 Плазма и ее классификация и прирост
2.2.2 Разряд газа при низком давлении
2.2.3 Тип сброса газа при низком давлении
2.2.4 Низкое -давление с низким давлением холодного катодного газового свечения
2.2.5 Низкое давление без самих, сдерживающих изогнутых световых выбросов горячих заводов
2.2.6 Столковое сдержанное катодное катодное катодное катодное.
2.2.7 Магнитное управление HUI Оптическое электричество электроэнергии
2.2.8 Полово холодное косметическое приданое
2.2.9 Высокочастотный разряд
2.2.10 Плазменные макро -нейтральные характеристики и суждение об интенсивности нейтрального пространства
2.3 Рост пленки и мембранная структура
2.3.1 Процесс роста мембраны и факторы, влияющие на рост мембраны
2.3.2 Структура и структурные дефекты пленки
2.4 Природа фильма и его влиятельные факторы
2.4.1 Свойства фильма и его влиятельные факторы
2.4.2 Электрическая природа пленки
2.4.3 Оптические свойства пленки и факторы, влияющие на показатель преломления мембраны
2.4.4 Магнитные свойства тонкой пленки
Рекомендации
ГЛАВА 3 ПАРИНГ И СЛАНС
3.1 Паровой источник
3.1.1 Источник источников испарения и проблем, которые следует учитывать при их проектировании и использовании
3.1.2 Источник испарения нагрева сопротивления
3.1.3 Источники нагревания электронного луча
3.1.4 Полый тепловой вагинальный плазма -электронный пучок
3.1.5 Источник испарения нагрева датчика
3.1.6 Источник испарения лазерного нагрева
3.1.7 Источник испарения излучения радиационного нагрева
3.1.8 Испарительный материал испарения
3.1.9 Характеристики излучения источника паряки и распределение толщины мембранного слоя
3.2 Цель Splash
3.2.1. Требования к структуре и проектированию целей распыления и их требованиях к проектированию
3.2.2 Target Target
Рекомендации
Глава 4 Настоящее испарение
4.1 Технология вакуумного испарения.
4.1.1 Принцип вакуумного испарения и условия паряки
4.1.2 Пленочный материал
4.1.3.
4.1.4.
4.1.5 Факторы, влияющие на производительность вакуумного паряка
4.2 Технология расширения молекулярного луча
4.2.1 Основные принципы и процессы молекулярного бамбо
4.2.2 Условия, методы подготовки и характеристики роста удлинения молекулярного луча
4.2.3 Выбор параметров роста эпидемии молекулярного пакета
4.2.4 Факторы, влияющие на разгибание молекулярного луча
4.2.5 Эпидемическое устройство молекулярного луча
4.3 Оборудование для вакуумного испарения
4.3.1 Тип и структура машины для вакуумного испарения
4.3.2 Основные компоненты в вакуумной машине с испарительными покрытиями
4.4 Приготовление покрытия вакуумного испарения
4.4.1 Вакуумное алюминиевое покрытие
4.4.2 Вакуумное покрытие для паряков (SE, S)
4.4.3 вакуумное покрытие Zro2
4.4.4 Увеличение молекулярного луча золотого монокристаллического покрытия
Рекомендации
Глава 5 Вакуумное распылительное покрытие
5.1 Возрождение и развитие вакуумного распыляющего покрытия
5.2 Технология вакуумного распыления
5.2.1 Анализ механизма вакуумного распыляющего покрытия и процесса его распыления
5.2.2 Процесс миграции целевых частиц в матрицу
5.2.3 Процесс формирования пленки целевых частиц на подложке
5.2.4. Характеристики распыляющей пленки и метода распыления
5.2.5 DC Sputtering Coating
5.2.6 Магнитное загрязняющее покрытие
5.2.7 РЧ -распылительное покрытие
5.2.8. Реагируя распылительное покрытие
5.2.9 Промежуточная частота распыляет и распыливающее покрытие импульсного покрытия
5.2.10 Плазменное плазменное распылительное покрытие
5.2.11
5.3 Оборудование для вакуумного распыления
5.3.1 Механизм с прерывистым вакуумным покрытием
5.3.2 Полудопутствующая машина для магнитного распыления
5.3.3 Оборудование для непрерывного магнитного управления с непрерывным магнитным управлением
Рекомендации
Глава 6 Вакуумное ионное покрытие
6.1 Вакуумное ионное покрытие и его классификация
6.2 Принцип ионного покрытия и условия его формирования фильма
6.3 Роль ионных ионов в процессе покрытия ионного покрытия и энергии частицы частицы, падающей в субстрате
6.4 Физический и химический эффект ионной бомбардировки во время ионного покрытия
6.5 Энергия скорости ионизации и нейтральных частиц и ионов и коэффициент активации на поверхности мембранного слоя
6.5.1 Скорость ионизации
6.5.2 Энергия, принесенная нейтральными частицами
6.5.3 Ионная энергия
6.5.4 Коэффициент активации энергии на поверхности мембранного слоя
6.6 Характеристики покрытия ионного покрытия и его применения
6.7 Параметры ионного покрытия
6.7.1 давление газа в комнате для покрытия
6.7.2 Разделение реакционного газа
6.7.3
6.7.4 Коэффициент испарения
6.7.5 Источник паряки и расстояние между матрицей
6.7.6 Скорость осаждения
6.7.7 Отрицательное смещение матрицы
6.7.8 Температура субстрата
6.8 Устройство ионного покрытия и несколько обычно используемых оборудования для покрытия
6.8.1 Диод постоянного тока, тритинальные и многопрофильные ионные устройства
6.8.2 Активная реакционная ионная ионная устройство
6.8.3 Устройство ионного покрытия с полым катодным разрядом
6.8.4 Ионовое устройство RF -разгрузки
6.8.5 Устройство с магнитным брызг страсти
6.8.6 Устройство вакуумного катодного ионного покрытия
6.8.7 Устройство катодного ионного покрытия холодной дуги
6.8.8 Устройство ионового ионного пластинга с тепловым катодом
Рекомендации
Глава 7 Осаждение ионного луча и ионовое луче, помогающее осаждению
7.1 Технология осаждения ионного луча
7.1.1 Принципы и характеристики осаждения ионного луча
7.1.2 ТЕХНОЛОГО ТЕХНОЛОГО ТЕХНОЛОГО ТЕХНИКА ОТКЛЮЧЕНИЯ Ионного луча
7.1.3 Технология осаждения ионного луча качества.
7.1.4 Технология осаждения Lihua Tuanjun
7.1.5 Технология осаждения плазменного погружения
7.1.6 Технология осаждения ионного луча с твердым двойным использованием
7.2 Технология вспомогательного осаждения ионного пакета
7.2.1. Механизм процесса вспомогательного осаждения ионного луча
7.2.2 Метод вспомогательного осаждения ионного луча и диапазон выбора энергии
7.2.3 Характеристики технологии вспомогательного осаждения ионного пакета
7.2.4 Устройство вспомогательного осаждения ионного луча
7.2.5 Микроволновое электронное вращение плазма Улучшенное распылительное устройство
7.2.6 Ионный источник
Рекомендации
Глава 8 Химическое осаждение фазы QI
8.1 Обзор
8.2 Различные методы и характеристики формирования пленки в технологии THECVD
8.3CVD Технология, условия образования пленки и тип ее реакции
8.3.1 Условия реакции реакции
8.3.2CVD Технологический тип реакции
8.4 Выбор пионерских реактивных веществ для химического отложения газа
8,5 факторов, влияющих на качество осадочной пленки CVD
8.5.1. Влияние температуры осаждения на качество мембраны
8.5.2. Влияние отражения концентрации газа и доли взаимных взаимных на качество мембраны
8.5.3. Влияние субстрата на качество мембраны
8.6 Технология и устройство осаждения химического газа QI
8.6.1 Общий принцип технологии CVD нормального давления
8.6.2 Устройство CVD с нормальным давлением
8.7 Низкое осаждение химического газа (LPCVD)
8.7.1 Принципы и характеристики принципа и характеристики
8.7.2LPCVD Устройство
8.7.3LPCVD Примеры подготовки покрытия
8.8 Увеличение плазмы химического газового осадка (PECVD)
8.8.1 Процесс формирования пленки и характеристики PECVD
8.8.2 Depecvd Устройство
8.8.3 Пример процесса процесса фильма PECVD
8.9 металл органический соединение химического газа (MOCVD)
8.10 Оптическое вспомогательное химическое газовое предприятие (PHCVD)
Рекомендации
Глава 9 Измерение и мониторинг пленки
9.1 Обзор
9.2 Измерение толщины тонкой пленки
9.2.1 Метод оптического измерения толщины тонкой пленки
9.2.2 Метод электрического измерения толщины тонкой пленки
9.2.3 Механический метод измерения тонкой пленки
9.3 Измерение напряжения пленки
9.3.1 Метод деформации пленки
9.3.2 Метод дифракции
9.4 Адгезия фильма
9.4.1 Метод погружения ленты
9.4.2 Метод подтягивания
9.4.3 Лоттичный метод
9.4.4 Метод царапины
9.5 Измерение твердости пленки
9.5.1 Твердость Виктории
9.5.2 Твердость ню
9.6 Измерение спектральной особенности тонкой пленки
Рекомендации
Глава 10 Анализ исполнения фильмов
10.1 Обзор
10.2 Электроника действует на различные эффекты, полученные на твердую поверхность
10.2.1. Разбросающая электроника
10.2.2 Вторая электрическая электроника
10.2.3 Поглощение электроники и электронных электронов
10.2.4 Русская электроника
10.2.5 функция x -rays
10.2.6 Катодная флуоресценция
10.2.7 Электронный ток -ток с электронным пучком
10.3 Влияние ионов, действующего на твердую поверхность
10.3.1
10.3.2 обратное рассеяние ионов
10.3.3 Положительная и отрицательная вторичная электроника
10.4 Влияние фотона, действующего на твердую поверхность
10.4.1 x -Rays с короткими длин волн
10.4.2 x -Rays с длинными длин волн
10.5 Наблюдение за пленками и анализ структуры
10.5.1 Оптический микроскоп
10.5.2 Сканировать электронный микроскоп
10.5.3 Переданный электронный микроскоп
10.5.4x Difraction Difraction Instruction
10.5.5 Электронная дифракция и отражение с низкой энергетикой с высокой энергетикой Электронная дифракция
10.5.6 Сканировать микроскоп зонда
10.6 Анализ композиции пленки
10.6.1 Российский электронный энергетический спектрометр
10.6.2 Второй анализатор ионного масс -спектрометра
10.6.3 Анализатор разброса Людасефорда
10.6.4x Спектр Electronics Ray Light
Рекомендации
Глава 11 Чистая обработка в технологии покрытия Lanthest
11.1 Обзор
11.2 Чистая обработка оборудования для вакуумного покрытия
11.2.1. Источник и чистящая обработка оборудования для вакуумного покрытия загрязняющих веществ
11.2.2 Очистка вакуумной оборудования для вакуумного покрытия.
11.3 Экологические требования для оборудования для вакуумного покрытия
11.4 Требования к окружающей среде для окружающей среды процесса вакуумного покрытия
11.4.1 Процесс вакуумного покрытия для основных требований окружающей среды
11.4.2. Источник и чистящая обработка поверхностных загрязняющих веществ на субстрате
11.5 Основные методы обработки поверхности покрытия
11.6 Метод очистки часто используемых материалов для вакуумного покрытия
11.7 Модель и метод испытаний модели оборудования для вакуумного покрытия
11.7.1 Модель вакуумного оборудования (JB/T 7673— 1995)
11,7,2 ГМ.—
Рекомендации
......Эта книга составлена в соответствии с развитием современной технологии вакуумного покрытия, сосредоточенной на системности и акценте на практичности.Книга содержит в общей сложности 11 глав, которые содержат физическую основу вакуумного покрытия, проектирование, характеристики и использование требований к различным источникам испарения и целям расщепления, различным методам вакуумного покрытия, а также измерения и мониторинг пленки, а также Требования процесса вакуумного покрытия для окружающей средыЭта книга авторитетная, практичная и универсальная.Эта книга может быть использована в качестве технического персонала, занимающегося вакуумным покрытием, студентами и учебниками для выпускников для специальностей на основе вакуума.
............