8 (905) 200-03-37 Владивосток
с 09:00 до 19:00
CHN - 1.14 руб. Сайт - 21.13 руб.

Органическая полупроводниковая память Huang Wei, Jie Linghai, Yimingdong Отредактированная физическая технология Синьхуа

Цена: 2 004руб.    (¥94.8)
Артикул: 646699034635

Вес товара: ~0.7 кг. Указан усредненный вес, который может отличаться от фактического. Не включен в цену, оплачивается при получении.

Этот товар на Таобао Описание товара
Продавец:新华在线图书专营店
Рейтинг:
Всего отзывов:0
Положительных:0
Выберите вариацию / цвет
  • Органическая полупроводниковая память
Добавить в корзину
Другие товары этого продавца
¥1.9441руб.
¥23486руб.
¥55.621 176руб.
¥112.672 381руб.
  • Информация о товаре
  • Фотографии
Регулирование: Органическая полупроводниковая память
]]> 1
Основная информация
Органическая полупроводниковая память
Хуан Вэй, Цзе Лингхай, Йи Мингдонг
решительный  цена:120
Издательское агентство:научная пресса
страница  число:220
Дата публикации:01 декабря 2020 г.
установить  рамка:Твердая обложка
ISBN:9787030674418
]]> 2
Каталог
●Последовательность
Предисловие
Глава 1 Введение
1.1 История развития памяти
1.1.1 Линия задержки ртути
1.1.2 лента
1.1.3 Магнитный барабан
1.1.4 Магнитное ядро
1.1.5 Диск
1.1.6 CD
1.1.7 устройства микронано-переключателей
1.2 обычно используется неорганическая память
1.2.1 Память на основе конденсаторов
1.2.2 жесткий диск на основе магнитных сигналов
1.2.3 Флэш -память на основе транзисторов полевого эффекта
1.2.4 Оптический диск на основе оптического сигнала
1.3 Тенденции разработки памяти
1.3.1 Интеграция продолжает улучшаться
1.3.2 Скорость хранения продолжает улучшаться
1.3.3 Рабочное напряжение продолжает уменьшаться
1.3.4 Новая память продолжает появляться
1.4 Органическая полупроводниковая память
Глава 2 Электрическая память органического диода
2.1 Основной принцип
2.2 Структура устройства и метод подготовки
2.2.1 Классификация электрической памяти органического диода
2.2.2 Структура электрической памяти органического диода
2.2.3 Метод подготовки устройств электрической памяти
2.3 Характеристика устройства
2.3.1 Пороговое напряжение
2.3.2 Время ответа
2.3.3 Терпимость
2.3.4 Время обслуживания
2.3.5 Коэффициент переключателя тока
2.4 Рабочий механизм
2.4.1 применил проводимость
2.4.2 Пространственный заряд и ловушки
2.4.3 Механизм передачи заряда в полевых условиях
2.4.4 Механизм конформационной трансформации и фазового преобразования
2.4.5 Окислительно -восстановительный механизм
2.4.6 Механизм туннелирования
2.4.7.
2.5 Органические и электрические материалы для хранения
2.5.1 Органические полимерные материалы
2.5.2 Органические мелкомолекулярные материалы
2.5.3 Дендритный макромолекулярный материал
2.5.4 Графеновый материал
2.5.5. Направление разработки материалов для хранения электрического хранения
2.6 Новая электрическая память диода
2.6.1 Гибкая электрическая память
2.6.2 Органическая биоэлектрическая память
2.6.3 Органическая люминесцентная электрическая память
2.6.4 Электрическая память с органической/неорганической наночастиц
2.6.5 Устройство памяти молекулярного переключателя
2.6.6 Многозначная диодная электрическая память
ГЛАВА 3 Органический аэропорт Эффект транзистора памяти
3.1.
3.2 Основное введение в эпохи органического аэропорта Транзисторная память
3.2.1 Основная структура транзисторной памяти органического полевого эффекта
3.2.2
3.2.3 Основные параметры эпохи органического аэропорта транзисторной памяти
3.3 Классификация памяти транзистора органического аэропорта
3.3.1 Транзисторная память на основе плавучих затворов транзистор
3.3.2 Транзисторная память органического полета на основе полимерного диэлектрического
3.3.3 Транзисторная память органического полета на основе органических сегнетоэлектрических материалов
3.4 Материалы транзисторной памяти органического полевого эффекта
3.4.1 Материал субстрата памяти транзисторной памяти органического полета
3.4.2 Материал изоляционного слоя эфирного эффекта органического поля.
3.4.3 Органическое полевое полевое эффект транзисторной памяти полупроводниковой материал
3.4.4 Материал электрода транзисторной памяти органического поля транзистора
3.5 Несколько специальных типов эфирной памяти транзистора органического аэропорта
3.5.1 Многокаменточная память о органическом полете транзисторной памяти транзистора
3.5.2 Эффект органического поля транзисторной памяти на основе регуляции света
3.5.3
Глава 4 Моделирование нейроморфной функции мемористоров
4.1 Введение в синапсы и мемристоры
4.1.1 Синаптическая и синаптическая пластичность
4.1.2 Типичные характеристики мемристоров
4.2 Моделирование основной синаптической функции
4.2.1 Краткосрочная пластичность и долгосрочная пластичность и их взаимное трансформация
4.2.2 Пластичность зависимости от частоты импульсов
4.2.3 Зависимость от времени пульса от пластичности
4.2.4 Опыт обучения
4.3 Моделирование сложных синаптических функций
4.3.1 Устойчивая пластичность
4.3.2 Ассоциативное обучение
4.3.3 Неассоциционное обучение
4.4 Будущее и перспектива мемористоров
]]> 3
Введение в контент
Эта книга систематически суммирует принципы работы различных типов органических полупроводниковых устройств памяти, структуры устройства, методов подготовки, материалов хранения, параметров хранения и характеристики производительности.В общей сложности книга в первой главе обобщены типы и тенденции разработки памяти; Третья глава представляет память транзистора аэропорта суммирует его принцип работы, структуру устройства, тип памяти параметров, материал памяти и т. Д.;Эта книга может быть использована в качестве справочного материала и справочника для научных исследователей в области органических полупроводников и корпоративного инженерного и технического персонала, а также может использоваться в качестве справочника для учителей, старших студентов и аспирантов в связанных специальностях, таких как Органическая электроника в высших учебных заведениях.
]]> 4 ]]> 5