Официальное подлинное полупроводниковое устройство Физика 2 -е издание Liu Shulin Shang Shiguang Chai Changchun Zhang Hua Cao Electronic Press Press и учебники по вспомогательным университетам
Вес товара: ~0.7 кг. Указан усредненный вес, который может отличаться от фактического. Не включен в цену, оплачивается при получении.
Описание товара
 |
| ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Основная информация
Название: Физика полупроводникового устройства (2 -е издание)
Оригинальная цена: 45,80 Юань
Автор: Лю Шулин и другие редакторы
Пресса: электронная промышленная пресса
Дата публикации: 2015-09-01
ISBN: 9787121270499
Слова: 499000
Номер страницы: 297
Издание: 2
Переплет: мягкая обложка
Открыто: 16
Товарный вес:
Выбор редактора
Похожего контента пока нет
Оглавление
Глава 1 Полупроводниковая физика (1)
1.1 Кристаллическая структура полупроводника и дефект (1)
1.1.1 Кристаллическая структура полупроводника (1)
1.1.2 Кристаллическая и кристаллическая поверхность кристалла (3)
1.1.3 дефекты в полупроводниках (4)
1.2 Уровень полупроводника (6) энергии и примесей (6)
1.2.1 Электронное движение и энергетическая полоса в полупроводнике (6)
1.2.2 E (k) ~ k Отношения, эффективное качество и k пространство в полупроводнике (11)
1.2.3 Si, энергетическая структура GE и этот полупроводник (14)
1.2.4 Зажигательные полупроводники (15)
1.3 Баланс и баланс -носитель в полупроводнике (19)
1.3.1 Электронная концентрация направляющей полосы и различная точечная концентрация (19)
1.3.2 Концентрация потока нагрузки и уровень данной платы (22)
1.3.3 Концентрация примесей носителя полупроводника (24)
1.3.4 Простой и полупроводник и концентрация его носителя (28)
1.3.5 Генерация и совокупность балансирующего носителя и уровня (30)
1.3.6 Жизнь и составная теория сбалансированной нагрузки (32)
1.4 Транспортное явление носителя в полупроводнике (35)
1.4.1 Скорость бурения и миграции тока (35)
1.4.2 Взаимосвязь между основными рассеянными механизмами в полупроводнике и взаимосвязи между скоростью миграции и средним временем свободы (37)
1.4.3 Взаимосвязь между скоростью миграции полупроводника, взаимосвязи между концентрацией сопротивления и примесей и температурой (40)
1.4.4 Диффузионное движение текущего потока и отношений Эйнстана (43)
1.4.5 Непрерывное уравнение (45)
1,5 Полупроводниковая поверхность (46)
1.5.1 Полупроводниковая поверхность и уровень энергии поверхности (46)
1.5.2 Обработка поверхности и поверхности в системе Si-SIO2 (47)
1.5.3 Поверхность может быть изогнута и отражающая (49)
1.5.4 Поверхностный композит (50)
Мыслительные вопросы и практики вопросов (50)
Глава 2 PN Узел (52)
2.1 Баланс PN Knot (52)
2.1.1 Процесс производственного процесса и примесей распределения узлов PN (52)
2.1.2 Область зарядки пространственной зарядки сбалансированного PN узла и емкость полосы (54)
2.1.3 Сбалансированное распределение концентрации Loat PN (57)
2.2 Характеристики DC узел PN (58)
2.2.1 Положительные особенности PN Knot (58)
2.2.2 Обратные особенности PN Knot (65)
2.2.3 Voltry of PN Knot (68)
2.2.4 Факторы, влияющие на PN Cord Vagua (70)
2.3 Электрическое поле и ширина зарядов PN COMPATE (76)
2.3.1 Электрическое поле и ширина в области зарядки пространства мутационных узлов (77)
2.3.2 Электрическое поле и ширина в области филогенной зарядки (81)
2.4 Характеристики разрушения PN Knot (84)
2.4.1 Механизм скорости (84)
2.4.2 Напряжение прорыва Apacar (86)
2.4.3 Факторы, затрагивающие напряжение разбивки снежного лавины (91)
2,5 Эффект емкости PN узла (95)
2.5.1 PN Time Black Concacitor (95)
2.5.2 Страсть емкость PN Knot (101)
2.6 Характеристики переключения PN узла (101)
2.6.1 Переключение узла PN (101)
2.6.2 Обратное время восстановления узел PN (103)
2.6.3 Мощность для улучшения скорости вязания PN (106)
2.7 Контакт по выпрямлению металлического полупроводника и контакта с ом (107)
2.7.1 Поверхностные выплаты металлического полупроводникового поведения (108)
2.7.2. Эффект контакта с металлическим полупроводниковым контактом с диодом Шоттки (110)
2.7.3 Ом контакт (112)
Мыслительные вопросы и упражнения (114)
Глава 3 погружение хрустальной трубки (115)
3.1 Основная структура, производственный процесс и распределение примесей транзисторов (115)
3.1.1 Основная структура и классификация транзисторов (115)
3.1.2 Производственный процесс и распределение примесей транзистора (116)
3.1.3 Кристаллические трубы в кристаллической трубе и медленная площадь основания равномерной площади основания (118)
3.2 Принципы текущего усиления транзисторов (118)
3.2.1 Распределение концентрации пропускной способности транзистора и его носителя (119)
3.2.2 Передача передачи транзисторов и образование различных полюсов (120)
3.2.3 Отношение тока и напряжения тока (123)
3.2.4 DC тока избыточного коэффициента тока постоянного тока (126)
3.2.5 Факторы, влияющие на большой коэффициент перехода транзистора (134)
3.3 Скучная характерная кривая DC транзистора (139)
3.3.1 Характерная кривая постоянного тока общего базового соединения (140)
3.3.2 Характерная кривая постоянного подключения подключения к эмиссии (141)
3.3.3 Сравнение двух кривых выходных характеристик конфигурации (142)
3.4 Характеристики обратного тока и расщепления транзистора (143)
3.4.1 Обратный ток транзистора (143)
3.4.2 Обратное напряжение разрушения транзистора (145)
3.4.3 Передача напряжения (149)
3.5 Частотные характеристики транзистора (150)
3.5.1 Характеристики переменного тока кристаллической трубки и обмениваться процессом передачи небольших сигналов (151)
3.5.2 Высокочастотная эквивалентная схема и изгнания тока переменного тока транзисторов (154)
3.5.3 Кривая характеристики частоты и параметр крайней частоты транзистора (162)
3.5.4 Шум транзистора (167)
3.6 Силовые характеристики транзистора (170)
3.6.1 Большой эффект инъекции (170)
3.6.2 Эффект расширения базовой площади (175)
3.6.3. Эффект установленного края полюсного полюса (179)
3.6.4 Эпизодное поведение мощности ** диверсифицировать мощность и тепловое сопротивление транзистора (183)
3.6.5 Второе расставание транзистора (187)
3.6.6 Эпизод Электрический ** Рабочий ток и рабочая зона безопасности (191)
3.7 Характеристики переключения транзистора (193)
3.7.1 Функция переключения транзистора (193)
3.7.2 Определение сигналов переключения и время переключения транзисторов (196)
3.7.3 Процесс переключения и факторы, влияющие на время переключения транзистора (198)
3.7.4 Способ улучшить скорость переключения переключения и переключения переключения (202)
3.7.5 Перепадение напряжения напряжения и падение напряжения насыщения переключателя транзистора (203)
3.8 Дизайн хрустальной трубки (205)
3.8.1 Общий метод конструкции кристаллической трубки (205)
3.8.2 Вертикальная конструкция транзистора (207)
3.8.3 Горизонтальная конструкция транзистора (211)
Мыслительные вопросы и упражнения (219)
Глава 4 МОС Полевой эффект Кристаллическая трубка (221)
4.1 Структура, принцип работы и выходные характеристики полевого эффекта MOS (221)
4.1.1 Структура транзистора поля поля MOS (221)
4.1.2 Основной принцип работы и выходные характеристики полезной трубки полевого эффекта (222)
4.1.3 КЛАССИФИКАЦИЯ КРИСТАЛЛА ТРУБКА (224).
4.2 Пороговое напряжение поля МОС Полевого эффекта транзистора (226)
4.2.1 Определение порогового напряжения транзистора поля MOS (226)
4.2.2 МОС Полевого эффекта
4.2.3 Пороговое напряжение трубки с эффектом поля MOS в идеальных условиях (229)
4.2.4 Другие факторы, влияющие на пороговое напряжение (233)
4.2.5 Технология регулировки порогового напряжения (236)
4.3 ток постоянного тока поля MOS -эффекта кристаллической трубки— характеристики напряжения (240)
4.3.1 МОС Полевые эффекты линии кристаллического трубопровода— характеристики напряжения (240)
4.3.2 МОС Полевые эффекты— характеристики напряжения (241)
4.3.3 Ток в подпорочной зоне— характеристики напряжения (242)
4.3.4 МОС Полевые эффекты.
4.4 МОС емкости и модель переходной цепи кристаллической трубки МОС (247)
4.4.1 емкость идеальной структуры MOS— характеристики напряжения (247)
4.4.2 Создание модели переходной цепи кристаллической трубки в поле MOS (модель специй) (250)
4.5 AC Параметры небольшого сигнала и частотные особенности трубки эффекта поля MOS (253)
4.5.1 Параметры сигнала переменного тока в трубке эффекта поля MOS (253)
4.5.2 Частотные характеристики транзистора полевого эффекта MOS (257)
4.6 Характеристики переключения кристаллической трубки поля MOS (259)
4.6.1 МОС Полевого эффекта Кристаллическая трубка процесс переключателя переключателя (259)
4.6.2 Расчет времени переключения (261)
4.7 Вторичный эффект полевого эффекта МОС на транзистор (262)
4.7.1 Постоянный эффект подвижности поверхности (262)
4.7.2 Эффект заряда тела на ток— влияние характеристик напряжения (263)
4.7.3 МОС Полевой эффект от короткого канала эффекта транзистора (265)
4.7.4 Узкий канал эффект поля МОС на транзистор (268)
4,8 МОС Полевые эффекты характеристики температуры кристаллической трубки (269)
4.8.1 Тепловой электронный эффект (269)
4.8.2 Скорость миграции с изменениями температуры (270)
4.8.3 Пороговое напряжение и температурная связь (270)
4.8.4 МОС.
Мыслительные вопросы и упражнения (273)
Глава 5 Влияние эффекта поля Парижа и эффект металлической полупроводниковой фермы Эффект кристаллической трубки (274)
5.1 Структура JFET и MESFET, принцип работы и классификация (274)
5.1.1 Структура JFET и Mesfet (274)
5.1.2 JFET Принцип работы и характеристики выходных данных (276)
5.1.3 Классификация JFET и Mesfet (277)
5.2 Текущие характеристики напряжения JFET (278)
5.2.1 Характеристики напряжения тока линейной области (279)
5.2.2 Характеристики напряжения тока насыщенной площади (281)
5.2.3 Характеристики субтроговой области (283)
5.3 Параметры сигнала DC и AC JFET (285)
5.3.1 Параметры постоянного тока JFET (285)
5.3.2 Связь JFET Маленькие параметры сигнала (288)
5.4 ПАРАМЕТРЫ JFET (290)
5.4.1 Мертвая частота Ft (291)
5.4.2 Крайний срок для пересечения времени F0 (292)
5.4.3 ** Частота колебаний FM (292)
5.5 короткометральный JFET и Mesfet (293)
5.5.1 Эффект модуляции скорости миграции в JFET и Mesfet (293)
5.5.2 Ток JFET и Mesfet— уравнение напряжения (295)
Мыслительные вопросы и упражнения (295)
Глава 6 Другие обычно используемые полупроводниковые устройства (297)
6.1 Полевой транзистор Power MOS (297)
6.1.1 Основная структура эффекта поля транзистора на поле мощности (297)
6.1.2 Эффекты поля мощности поля транзистора.
6.1.3 Power MOS Полевой эффект поля поперечного сгибания и утечка выхода транзистора (302)
6.1.4 Полевой эффект мощности транзистора транзистора (302)
6.
Краткое содержание
Эта книга представляет основную структуру, принципы работы и рабочие характеристики обычно используемых полупроводниковых устройств от мелких до глубоких и систематически.Чтобы облегчить самооценку и ссылку читателей, эта книга сначала вводит базовые знания о полупроводниковых материалах и физике полупроводников, необходимых для полупроводниковых устройств; параметры производительности предмета и взаимосвязь между параметрами полупроводниковых материалов, параметров процесса и и и и и Описаны параметры геометрической структуры;*После краткого краткого изложения принципы и применение других часто используемых полупроводниковых устройств, таких как мощный MOSFET, IGBT и оптоэлектрические компоненты.
абстрактный
Похожего контента пока нет
Похожего контента пока нет
об авторе
Лю Шулин: Доктор, профессор и докторская руководитель Университета науки и технологий Сиан, окончил физику полупроводников Сичуань, окончил Министерство аэрокосмической промышленности и окончил микроэлектроника Сиан Микроники.Он занимался научными исследованиями и преподаванием в Институте электроники Xi'an, ZTE Co., Ltd. и Университета науки и техники XIAN.В настоящее время он является заместителем декана Школы электрического и контроля инженерии Университета науки и технологий Xi'an,“&Rdquo; Дисциплина лидера главы горнодобывающей машины и электротехники, лидер микроэлектронной и твердой электроники.