Инфракрасный детектор (оригинальная книга 2)
Цена: 2 832руб. (¥134)
Артикул: 44652348613
Цена указана со скидкой: 47%
Старая цена: 5310р.
Вес товара: ~0.7 кг. Указан усредненный вес, который может отличаться от фактического. Не включен в цену, оплачивается при получении.
Описание товараПродавец:当当网官方旗舰店
Рейтинг:
Всего отзывов:0
Положительных:0
Добавить в корзину
Другие товары этого продавца
¥13275руб.
¥91.451 933руб.
¥ 498 2495 262руб.
¥24508руб.
Оглавление
Переводчик
Предисловие
Благодарности
об авторе
Содержание Часть Ⅰ Базовые знания в области технологии инфракрасного обнаружения.
Глава *Радиометрия
1.1 Сопутствующие величины и единицы радиометрии и фотометрии
1.2 Определение радиометрических физических величин
1.3 Скорость излучения
1.4 Излучение черного тела
1.5 Коэффициент излучения (удельный коэффициент излучения)
1.6 Инфракрасная оптическая система
1.7 Сопутствующие понятия инфракрасной системной радиометрии
1.7.1 Система ночного видения
1.7.2 Пропускание атмосферы и инфракрасная спектроскопия
1.7.3 Излучение и контрастность сцены
Рекомендации
Глава 2. Свойства инфракрасных детекторов
2.1 История развития современных инфракрасных технологий
2.2 Классификация инфракрасных извещателей
2.3 Охлаждение инфракрасного детектора
2.3.1 Низкотемпературная колба Дьюара
2.3.2 Холодильник Джоуля Томпсона
2.3.3 Холодильная технология с циклом Стирлинга
2.3.4 Охладитель Пельтье
2.4 Добротность детектора
2.4.1 Скорость реагирования
2.4.2 Шумовая эквивалентная мощность
2.4.3 Скорость обнаружения
2.5 Базовый предел обнаружения
Рекомендации
Глава 3. Основные ограничения производительности инфракрасных детекторов
3.1 Тепловой детектор
3.1.1 Принцип работы
3.1.2 Механизм шума
3.1.3 Конкретный уровень обнаружения и основные пределы
3.2 Детектор фотонов
3.2.1 Процесс обнаружения фотонов
3.2.2 Теоретическая модель детектора фотонов
3.2.2.1 Оптически генерируемый шум
3.2.2.2 Тепловая генерация и составной шум
3.2.3 Оптимальная толщина фотоприемника
3.2.4 Добротность материала детектора
3.2.5 Уменьшите размер устройства для повышения производительности
3.3 Сравнение фундаментальных ограничений фотонных и тепловых детекторов
3.4 Моделирование фотоприемников
Рекомендации
Глава 4. Технология гетеродинного обнаружения
Рекомендации
Часть II Инфракрасные тепловые детекторы
Глава 5. Термобатареи.
5.1 Основной принцип работы термобатареи
5.2 Добротность
5.3. Термоэлектрические материалы.
5.4. Использование технологии микрообработки для изготовления термобатареи.
5.4.1 Оптимизация конструкции
5.4.2 Конструктивная схема термобатареи
5.4.3 Технология микротермобатарей
Рекомендации
Глава 6 Болометр
6.1 Основной принцип работы болометра
6.2 Типы болометров
6.2.1 Металлический болометр
6.2.2 Термистор
6.2.3 Полупроводниковый болометр
6.2.4 Миниатюрный кремниевый болометр для комнатной температуры
6.2.4.1 Чувствительные материалы для болометров
6.2.4.2 Оксид ванадия
6.2.4.3 Аморфный кремний
6.2.4.4 Кремниевые диоды
6.2.4.5 Другие материалы
6.2.5 Сверхпроводящий болометр
6.2.6 Высокотемпературный сверхпроводящий болометр
6.3. Термоэлектронный болометр.
Рекомендации
Глава 7 Пироэлектрические детекторы
7.1 Основной принцип работы пироэлектрического детектора
7.1.1 Скорость реагирования
7.1.2 Шум и скорость обнаружения
7.2 Выбор пироэлектрического материала
7.2.1 Монокристалл
7.2.2 Пироэлектрические полимеры
7.2.3 Пироэлектрическая керамика
7.2.4 Диэлектрический болометр
7.2.5 Выбор материала
7.3 Пироэлектрическая камера
Рекомендации
Глава 8. Новые тепловые детекторы
8.1 Коллоидный радиометр
8.2 Новый неохлаждаемый детектор
8.2.1 Электрически связанная консольная балочная конструкция
8.2.2 Консольная конструкция оптической связи
8.2.3 Тепловой датчик света
8.2.4 Микроболометр с антенной связью
8.3 Сравнение характеристик теплового детектора
Рекомендации
Часть III Инфракрасный детектор фотонов
Глава 9. Теория детектора фотонов.
9.1 Детектор фотопроводимости
9.1.1 Теория собственной фотопроводимости
9.1.1.1 Эффект развертки
9.1.1.2 Механизмы шума в фотопроводниках
9.1.1.3 Квантовая эффективность
9.1.1.4 Окончательные свойства фотопроводников
9.1.1.5 Фоновые эффекты
9.1.1.6 Эффект поверхностной рекомбинации
9.1.2 Теория внешней фотопроводимости
9.1.3 Рабочие температуры внутренних и внешних инфракрасных детекторов
Фотодиод с 9,2p?n переходом
9.2.1. Идеальный p?n-переход, ограниченный диффузией
9.2.1.1 Диффузионный ток
9.2.1.2 Квантовая эффективность
9.2.1.3 Шум
9.2.1.4 Удельная степень обнаружения
9.2.2 Фактический p?n переход
9.2.2.1 Генерация составного тока
9.2.2.2 Туннельный ток
9.2.2.3 Ток утечки на поверхность
9.2.2.4 Ограничение тока пространственного заряда
9.2.3 Время отклика
9,3-контактный фотодиод
9.4 Лавинный фотодиод
9.5 Фотодиод с барьером Шоттки
9.5.1 Теория Шоттки-Мотта и ее модификации
9.5.2 Текущий процесс передачи
9.5.3 Силицид
9.6 Металл? Полупроводник? Металлический фотодиод
9.7 Металл? Изолятор? Полупроводниковый фотодиод
9.8 Небалансный фотодиод
Детектор 9,9nBn
9.10 Фотоэлектромагнитные, магнитные концентрационные детекторы и детекторы Денберга
9.10.1 Фотоэлектромагнитный детектор
9.10.1.1 Фотоэлектромагнитный эффект
9.10.1.2 Решение Тетра Пак
9.10.1.3 Технология производства и характеристики
9.10.2 Магнитный детектор концентрации
9.10.3 Детектор Денберга
9.11 Детектор движения фотонов
Рекомендации
*Глава 0. Собственные кремниевые и германиевые детекторы.
10.1 Кремниевый фотодиод
10.2 Германиевый фотодиод
10.3 Кремний-германиевый фотодиод
Рекомендации
*Глава 1. Посторонние кремниевые и германиевые детекторы.
11.1 Технология внешнего обнаружения
11.2 Рабочие характеристики внешних фотоприемников
11.3. Свойства внешних фотопроводников
11.3.1 Фотопроводники, легированные кремнием
11.3.2 Фотопроводники, легированные германием
11.4. Устройства с полосой затрудненных примесей
11.5 Твердотельный фотоумножитель
Рекомендации
*Глава 2. Детектор фотоэлектрической эмиссии.
12.1 Процесс внутренней фотоэлектрической эмиссии
12.1.1 Эффект рассеяния
12.1.2 Темновой ток
12.1.3 Металлические электроды
12.2 Управление длиной волны отсечки детектора с барьером Шоттки
12.3 Структурная оптимизация и изготовление детекторов с барьером Шоттки
12.4 Новый внутренний детектор фотоэлектрической эмиссии
12.4.1. Фотоэмиссионный детектор внутри гетероперехода.
12.4.2 Фотоэмиссионный детектор с гомогенным переходом
Рекомендации
*Глава 3. Детектор группы (элемента) III?V.
13.1. Физические свойства узкозонных полупроводников III—V классов.
13.2InGaAs-фотодиод
13.2.1P?i?n InGaAs фотодиод
13.2.2 Лавинный фотодиод InGaAs
13.3.1 Детектор фотопроводимости InSb
13.3.2Фотоэлектромагнитный детектор InSb
13.3.3Фотодиод InSb
13.3.4Фотодиод InAs
13.3.5InSb несимметричный фотодиод
13.4. Трех- и четырехэлементные детекторы III?V.
13.4.1 Детектор InAsSb
13.4.1.1 Фотопроводник InAsSb
13.4.1.2 Фотодиод InAsSb
13.4.2 Фотодиоды на основе тройных и четверных сплавов GaSb
13.5. Новый узкозонный фотодетектор III?V на основе Sb.
13.5.1InTlSb и InTlP
13.5.2InSbBi
13.5.3InSbN
Рекомендации
*Глава 4. Детектор на теллуриде ртути-кадмия (HgCdTe).
14.1 История развития детектора HgCdTe
14.2. Материалы HgCdTe: технология и свойства.
14.2.1 Фазовая диаграмма
14.2.2 Технология выращивания кристаллов
14.2.3 Дефекты и примеси
14.2.3.1 Собственные дефекты
14.2.3.2 Легирующие добавки
14.3Основные свойства HgCdTe
14.3.1 Запрещенная энергетическая зона
14.3.2 Скорость миграции
14.3.3 Оптические свойства
14.3.4 Выделение тепла? Составной процесс
14.3.4.1 Процесс Шокли-Рида
14.3.4.2 Радиационный процесс
14.3.4.3 Шнековый процесс
14.4. Характеристики фотодетекторов, в которых преобладает эффект Оже
14.4.1 Балансные устройства
14.4.2 Несбалансированные устройства
14.5 Детектор фотопроводимости
14.5.1 Технология обнаружения
14.5.2 Характеристики детекторов фотопроводимости
14.5.2.1 Устройства, работающие при температуре 77К
14.5.2.2 Устройства с рабочей температурой выше 77К
14.5.3 Фотопроводники режима захвата
14.5.4 Отталкивание фотопроводников
14.5.5 Сканирующий детектор накопления
14.6 Фотоэлектрические детекторы
14.6.1 Образование узлов
14.6.1.1 Внутренняя диффузия ртути
14.6.1.2 Ионно-лучевое фрезерование
14.6.1.3 Ионная имплантация
14.6.1.4 Реактивное ионное травление
14.6.1.5 Легирование во время роста
14.6.1.6 Пассивация
14.6.1.7 Процесс металлизации контактного слоя
14.6.2 Основные ограничения производительности фотодиода HgCdTe
14.6.3 Незначительные ограничения производительности фотодиода HgCdTe
14.6.4 Лавинный фотодиод
14.6.5 Фотодиоды оже-подавления
14.6.6 Металл? Изолятор? Полупроводниковый фотодиод
14.6.7 Фотодиод с барьером Шоттки
Детектор на основе 14,7Hg
14.7.1 Рост кристаллов
14.7.2 Физические свойства
14.7.3Фотодетектор HgZnTe
14.7.4Фотодетектор HgMnTe
Рекомендации
*Глава IV? Детектор группы VI (Элемент)
15.1 Подготовка и свойства материала
15.1.1 Рост кристаллов
15.1.2 Дефекты и примеси
15.1.3 Физические свойства
15.1.4 Генерация? Составной процесс
15.2 Поликристаллический детектор фотопроводимости
15.2.1 Осаждение поликристаллических солей свинца
15.2.2 Технология производства
15.2.3 Производительность
Фотодиод с 15,3p?n переходом
15.3.1 Ограничения производительности
15.3.2 Технология и свойства
15.3.2.1 Рассеянный фотодиод
15.3.2.2 Ионная имплантация
15.3.2.3 Гетеропереход
15.4 Фотодиод с барьером Шоттки
15.4.1 Спорные вопросы, связанные с барьером Шоттки
15.4.2 Технология и свойства
15.5. Необычные тонкопленочные фотодиоды
15.6 Усовершенствованный детектор с перестраиваемым резонатором
15.7 Соль свинца и HgCdTe
Рекомендации
*Глава 6. Инфракрасный фотодетектор с квантовой ямой.
16.1 Твердые тела низкой размерности: основы
16.2. Множественные квантовые ямы и сверхрешеточные структуры
16.2.1 Композиционная структура сверхрешетки
16.2.2. Структура легированной сверхрешетки.
16.2.3 Оптический переход между поддиапазонами
16.2.4 Время межподдиапазонной релаксации
16.3. Инфракрасный фотоприемник с квантовой ямой фотопроводимости.
16.3.1 Технология производства
16.3.2 Темновой ток
16.3.3 Фототок
16.3.4 Характеристики детектора
16.3.5 Инфракрасный фотодетектор с квантовой ямой и детектор теллурида ртути-кадмия
16.4. Фотоэлектрический инфракрасный фотодетектор с квантовой ямой.
16.5. Сверхрешеточный микрополосковый инфракрасный фотодетектор с квантовой ямой
16.6 Оптическая связь
16.7 Другие сопутствующие устройства
Инфракрасный фотодетектор с квантовой ямой 16.7.1p-типа, легированный GaAs/AlGaAs
16.7.2 Тепловые электронные транзисторные детекторы
16.7.3. Инфракрасный фотодетектор с квантовыми ямами SiGe/Si
16.7.4 Инфракрасные фотодетекторы с квантовыми ямами, использующие другие материальные системы
16.7.5 Многоцветный детектор
16.7.6 Интегрированный светодиодный инфракрасный фотодетектор с квантовой ямой
Рекомендации
*Глава 7. Инфракрасный детектор на сверхрешетке.
*Глава 8. Инфракрасный фотодетектор на квантовых точках.
Часть IV. Решетка в фокальной плоскости.
*Глава 9. Обзор структуры решетки в фокальной плоскости.
Глава 20. Тепловой детектор. Матрица в фокальной плоскости.
Глава 21. Детектор фотонов. Матрица в фокальной плоскости.
Глава 22. Терагерцовые детекторы и матрицы в фокальной плоскости.
Глава 23 Инфракрасный детектор третьего поколения
Предисловие
Благодарности
об авторе
Содержание Часть Ⅰ Базовые знания в области технологии инфракрасного обнаружения.
Глава *Радиометрия
1.1 Сопутствующие величины и единицы радиометрии и фотометрии
1.2 Определение радиометрических физических величин
1.3 Скорость излучения
1.4 Излучение черного тела
1.5 Коэффициент излучения (удельный коэффициент излучения)
1.6 Инфракрасная оптическая система
1.7 Сопутствующие понятия инфракрасной системной радиометрии
1.7.1 Система ночного видения
1.7.2 Пропускание атмосферы и инфракрасная спектроскопия
1.7.3 Излучение и контрастность сцены
Рекомендации
Глава 2. Свойства инфракрасных детекторов
2.1 История развития современных инфракрасных технологий
2.2 Классификация инфракрасных извещателей
2.3 Охлаждение инфракрасного детектора
2.3.1 Низкотемпературная колба Дьюара
2.3.2 Холодильник Джоуля Томпсона
2.3.3 Холодильная технология с циклом Стирлинга
2.3.4 Охладитель Пельтье
2.4 Добротность детектора
2.4.1 Скорость реагирования
2.4.2 Шумовая эквивалентная мощность
2.4.3 Скорость обнаружения
2.5 Базовый предел обнаружения
Рекомендации
Глава 3. Основные ограничения производительности инфракрасных детекторов
3.1 Тепловой детектор
3.1.1 Принцип работы
3.1.2 Механизм шума
3.1.3 Конкретный уровень обнаружения и основные пределы
3.2 Детектор фотонов
3.2.1 Процесс обнаружения фотонов
3.2.2 Теоретическая модель детектора фотонов
3.2.2.1 Оптически генерируемый шум
3.2.2.2 Тепловая генерация и составной шум
3.2.3 Оптимальная толщина фотоприемника
3.2.4 Добротность материала детектора
3.2.5 Уменьшите размер устройства для повышения производительности
3.3 Сравнение фундаментальных ограничений фотонных и тепловых детекторов
3.4 Моделирование фотоприемников
Рекомендации
Глава 4. Технология гетеродинного обнаружения
Рекомендации
Часть II Инфракрасные тепловые детекторы
Глава 5. Термобатареи.
5.1 Основной принцип работы термобатареи
5.2 Добротность
5.3. Термоэлектрические материалы.
5.4. Использование технологии микрообработки для изготовления термобатареи.
5.4.1 Оптимизация конструкции
5.4.2 Конструктивная схема термобатареи
5.4.3 Технология микротермобатарей
Рекомендации
Глава 6 Болометр
6.1 Основной принцип работы болометра
6.2 Типы болометров
6.2.1 Металлический болометр
6.2.2 Термистор
6.2.3 Полупроводниковый болометр
6.2.4 Миниатюрный кремниевый болометр для комнатной температуры
6.2.4.1 Чувствительные материалы для болометров
6.2.4.2 Оксид ванадия
6.2.4.3 Аморфный кремний
6.2.4.4 Кремниевые диоды
6.2.4.5 Другие материалы
6.2.5 Сверхпроводящий болометр
6.2.6 Высокотемпературный сверхпроводящий болометр
6.3. Термоэлектронный болометр.
Рекомендации
Глава 7 Пироэлектрические детекторы
7.1 Основной принцип работы пироэлектрического детектора
7.1.1 Скорость реагирования
7.1.2 Шум и скорость обнаружения
7.2 Выбор пироэлектрического материала
7.2.1 Монокристалл
7.2.2 Пироэлектрические полимеры
7.2.3 Пироэлектрическая керамика
7.2.4 Диэлектрический болометр
7.2.5 Выбор материала
7.3 Пироэлектрическая камера
Рекомендации
Глава 8. Новые тепловые детекторы
8.1 Коллоидный радиометр
8.2 Новый неохлаждаемый детектор
8.2.1 Электрически связанная консольная балочная конструкция
8.2.2 Консольная конструкция оптической связи
8.2.3 Тепловой датчик света
8.2.4 Микроболометр с антенной связью
8.3 Сравнение характеристик теплового детектора
Рекомендации
Часть III Инфракрасный детектор фотонов
Глава 9. Теория детектора фотонов.
9.1 Детектор фотопроводимости
9.1.1 Теория собственной фотопроводимости
9.1.1.1 Эффект развертки
9.1.1.2 Механизмы шума в фотопроводниках
9.1.1.3 Квантовая эффективность
9.1.1.4 Окончательные свойства фотопроводников
9.1.1.5 Фоновые эффекты
9.1.1.6 Эффект поверхностной рекомбинации
9.1.2 Теория внешней фотопроводимости
9.1.3 Рабочие температуры внутренних и внешних инфракрасных детекторов
Фотодиод с 9,2p?n переходом
9.2.1. Идеальный p?n-переход, ограниченный диффузией
9.2.1.1 Диффузионный ток
9.2.1.2 Квантовая эффективность
9.2.1.3 Шум
9.2.1.4 Удельная степень обнаружения
9.2.2 Фактический p?n переход
9.2.2.1 Генерация составного тока
9.2.2.2 Туннельный ток
9.2.2.3 Ток утечки на поверхность
9.2.2.4 Ограничение тока пространственного заряда
9.2.3 Время отклика
9,3-контактный фотодиод
9.4 Лавинный фотодиод
9.5 Фотодиод с барьером Шоттки
9.5.1 Теория Шоттки-Мотта и ее модификации
9.5.2 Текущий процесс передачи
9.5.3 Силицид
9.6 Металл? Полупроводник? Металлический фотодиод
9.7 Металл? Изолятор? Полупроводниковый фотодиод
9.8 Небалансный фотодиод
Детектор 9,9nBn
9.10 Фотоэлектромагнитные, магнитные концентрационные детекторы и детекторы Денберга
9.10.1 Фотоэлектромагнитный детектор
9.10.1.1 Фотоэлектромагнитный эффект
9.10.1.2 Решение Тетра Пак
9.10.1.3 Технология производства и характеристики
9.10.2 Магнитный детектор концентрации
9.10.3 Детектор Денберга
9.11 Детектор движения фотонов
Рекомендации
*Глава 0. Собственные кремниевые и германиевые детекторы.
10.1 Кремниевый фотодиод
10.2 Германиевый фотодиод
10.3 Кремний-германиевый фотодиод
Рекомендации
*Глава 1. Посторонние кремниевые и германиевые детекторы.
11.1 Технология внешнего обнаружения
11.2 Рабочие характеристики внешних фотоприемников
11.3. Свойства внешних фотопроводников
11.3.1 Фотопроводники, легированные кремнием
11.3.2 Фотопроводники, легированные германием
11.4. Устройства с полосой затрудненных примесей
11.5 Твердотельный фотоумножитель
Рекомендации
*Глава 2. Детектор фотоэлектрической эмиссии.
12.1 Процесс внутренней фотоэлектрической эмиссии
12.1.1 Эффект рассеяния
12.1.2 Темновой ток
12.1.3 Металлические электроды
12.2 Управление длиной волны отсечки детектора с барьером Шоттки
12.3 Структурная оптимизация и изготовление детекторов с барьером Шоттки
12.4 Новый внутренний детектор фотоэлектрической эмиссии
12.4.1. Фотоэмиссионный детектор внутри гетероперехода.
12.4.2 Фотоэмиссионный детектор с гомогенным переходом
Рекомендации
*Глава 3. Детектор группы (элемента) III?V.
13.1. Физические свойства узкозонных полупроводников III—V классов.
13.2InGaAs-фотодиод
13.2.1P?i?n InGaAs фотодиод
13.2.2 Лавинный фотодиод InGaAs
13.3.1 Детектор фотопроводимости InSb
13.3.2Фотоэлектромагнитный детектор InSb
13.3.3Фотодиод InSb
13.3.4Фотодиод InAs
13.3.5InSb несимметричный фотодиод
13.4. Трех- и четырехэлементные детекторы III?V.
13.4.1 Детектор InAsSb
13.4.1.1 Фотопроводник InAsSb
13.4.1.2 Фотодиод InAsSb
13.4.2 Фотодиоды на основе тройных и четверных сплавов GaSb
13.5. Новый узкозонный фотодетектор III?V на основе Sb.
13.5.1InTlSb и InTlP
13.5.2InSbBi
13.5.3InSbN
Рекомендации
*Глава 4. Детектор на теллуриде ртути-кадмия (HgCdTe).
14.1 История развития детектора HgCdTe
14.2. Материалы HgCdTe: технология и свойства.
14.2.1 Фазовая диаграмма
14.2.2 Технология выращивания кристаллов
14.2.3 Дефекты и примеси
14.2.3.1 Собственные дефекты
14.2.3.2 Легирующие добавки
14.3Основные свойства HgCdTe
14.3.1 Запрещенная энергетическая зона
14.3.2 Скорость миграции
14.3.3 Оптические свойства
14.3.4 Выделение тепла? Составной процесс
14.3.4.1 Процесс Шокли-Рида
14.3.4.2 Радиационный процесс
14.3.4.3 Шнековый процесс
14.4. Характеристики фотодетекторов, в которых преобладает эффект Оже
14.4.1 Балансные устройства
14.4.2 Несбалансированные устройства
14.5 Детектор фотопроводимости
14.5.1 Технология обнаружения
14.5.2 Характеристики детекторов фотопроводимости
14.5.2.1 Устройства, работающие при температуре 77К
14.5.2.2 Устройства с рабочей температурой выше 77К
14.5.3 Фотопроводники режима захвата
14.5.4 Отталкивание фотопроводников
14.5.5 Сканирующий детектор накопления
14.6 Фотоэлектрические детекторы
14.6.1 Образование узлов
14.6.1.1 Внутренняя диффузия ртути
14.6.1.2 Ионно-лучевое фрезерование
14.6.1.3 Ионная имплантация
14.6.1.4 Реактивное ионное травление
14.6.1.5 Легирование во время роста
14.6.1.6 Пассивация
14.6.1.7 Процесс металлизации контактного слоя
14.6.2 Основные ограничения производительности фотодиода HgCdTe
14.6.3 Незначительные ограничения производительности фотодиода HgCdTe
14.6.4 Лавинный фотодиод
14.6.5 Фотодиоды оже-подавления
14.6.6 Металл? Изолятор? Полупроводниковый фотодиод
14.6.7 Фотодиод с барьером Шоттки
Детектор на основе 14,7Hg
14.7.1 Рост кристаллов
14.7.2 Физические свойства
14.7.3Фотодетектор HgZnTe
14.7.4Фотодетектор HgMnTe
Рекомендации
*Глава IV? Детектор группы VI (Элемент)
15.1 Подготовка и свойства материала
15.1.1 Рост кристаллов
15.1.2 Дефекты и примеси
15.1.3 Физические свойства
15.1.4 Генерация? Составной процесс
15.2 Поликристаллический детектор фотопроводимости
15.2.1 Осаждение поликристаллических солей свинца
15.2.2 Технология производства
15.2.3 Производительность
Фотодиод с 15,3p?n переходом
15.3.1 Ограничения производительности
15.3.2 Технология и свойства
15.3.2.1 Рассеянный фотодиод
15.3.2.2 Ионная имплантация
15.3.2.3 Гетеропереход
15.4 Фотодиод с барьером Шоттки
15.4.1 Спорные вопросы, связанные с барьером Шоттки
15.4.2 Технология и свойства
15.5. Необычные тонкопленочные фотодиоды
15.6 Усовершенствованный детектор с перестраиваемым резонатором
15.7 Соль свинца и HgCdTe
Рекомендации
*Глава 6. Инфракрасный фотодетектор с квантовой ямой.
16.1 Твердые тела низкой размерности: основы
16.2. Множественные квантовые ямы и сверхрешеточные структуры
16.2.1 Композиционная структура сверхрешетки
16.2.2. Структура легированной сверхрешетки.
16.2.3 Оптический переход между поддиапазонами
16.2.4 Время межподдиапазонной релаксации
16.3. Инфракрасный фотоприемник с квантовой ямой фотопроводимости.
16.3.1 Технология производства
16.3.2 Темновой ток
16.3.3 Фототок
16.3.4 Характеристики детектора
16.3.5 Инфракрасный фотодетектор с квантовой ямой и детектор теллурида ртути-кадмия
16.4. Фотоэлектрический инфракрасный фотодетектор с квантовой ямой.
16.5. Сверхрешеточный микрополосковый инфракрасный фотодетектор с квантовой ямой
16.6 Оптическая связь
16.7 Другие сопутствующие устройства
Инфракрасный фотодетектор с квантовой ямой 16.7.1p-типа, легированный GaAs/AlGaAs
16.7.2 Тепловые электронные транзисторные детекторы
16.7.3. Инфракрасный фотодетектор с квантовыми ямами SiGe/Si
16.7.4 Инфракрасные фотодетекторы с квантовыми ямами, использующие другие материальные системы
16.7.5 Многоцветный детектор
16.7.6 Интегрированный светодиодный инфракрасный фотодетектор с квантовой ямой
Рекомендации
*Глава 7. Инфракрасный детектор на сверхрешетке.
*Глава 8. Инфракрасный фотодетектор на квантовых точках.
Часть IV. Решетка в фокальной плоскости.
*Глава 9. Обзор структуры решетки в фокальной плоскости.
Глава 20. Тепловой детектор. Матрица в фокальной плоскости.
Глава 21. Детектор фотонов. Матрица в фокальной плоскости.
Глава 22. Терагерцовые детекторы и матрицы в фокальной плоскости.
Глава 23 Инфракрасный детектор третьего поколения
Введение
«Инфракрасные детекторы» имеют три отличительные особенности: во-первых, очень насыщенное содержание. Книга состоит из четырех частей и 23 глав, в которых описывается история развития инфракрасных детекторов, подробно описывается текущее состояние различных инфракрасных детекторов и прогнозируются пределы их производительности на основе соответствующих теорий; во-вторых, содержание очень систематично и не только знакомит с базовыми знаниями о технологии инфракрасного обнаружения, но и подробно объясняет различные типы детекторов, что позволяет читателям получить полное представление об инфракрасных детекторах и сосредоточиться на исследовательских проектах, в которых они участвуют; в-третьих, контент чрезвычайно продвинутый и охватывает различные зрелые инфракрасные детекторы и темы исследований. В нем также представлены некоторые проекты, которые были изучены, но не были полностью успешно применены, анализируются основные причины и указываются возможные направления дальнейшего развития. «Инфракрасные детекторы» ссылаются на большое количество документов конференций и технических материалов и, основываясь на результатах исследований и опыте исследовательской группы автора, анализируют и перечисляют самые высокие результаты, достигнутые на данный момент.Он, несомненно, представляет собой эталон для читателей и является очень ценным справочником. «Инфракрасные детекторы» могут использоваться инженерами и исследователями, занимающимися проектированием инфракрасных оптических приборов, проектированием устройств и исследованиями в области оптоэлектроники, особенно в аэрокосмической сфере.Его также можно использовать в качестве справочника для преподавателей и студентов смежных специальностей в колледжах и университетах.