8 (905) 200-03-37 Владивосток
с 09:00 до 19:00
CHN - 1.14 руб. Сайт - 21.13 руб.

Азота -нитридная транзисторная схема силового транзистора и применение оригинальной книги 2 издания Lido Всемирно известный полупроводник генеральный директор компании классической монографии подлинной Gan Power Semiconductor Technology

Цена: 1 069руб.    (¥50.56)
Артикул: 578584924810

Вес товара: ~0.7 кг. Указан усредненный вес, который может отличаться от фактического. Не включен в цену, оплачивается при получении.

Этот товар на Таобао Описание товара
Продавец:华夏盛轩图书专营店
Рейтинг:
Всего отзывов:0
Положительных:0
Добавить в корзину
Другие товары этого продавца
¥136.12 876руб.
¥47.71 008руб.
¥ 94.4 84.891 794руб.
¥ 148 112.862 385руб.
  • Информация о товаре
  • Фотографии

Азот -нитридный транзистор——Устройство, схема и приложение (2 -е издание оригинальной книги)

сделать  К:(Американец) Алекс Лидоу ждет Duan Baoxing, Yang Yintang Перевод
решительный  цена:79
из Версия общество:Машиностроительная промышленность Пресса
Дата публикации:01 сентября 2018 г.
страница  число:224
установить  рамка:Мягкая обложка
ISBN:9787111605782
Рекомендация главного редактора

 

Каталог
●Переводчик
Предисловие
Благодарности
Об авторе
Введение в переводчик
Глава GAN Technology Обзор технологий
11.1 Силоконный мосфет (1976 ~ 2010) 1
1.2gan Base Power Device 2
1,3gan Материал 2 Характеристики 2
1.3.1 Запретная полоса пропускания (например,) 3
1.3.2 Критическое расщепление электрическое поле (ECRIT) 3 (ECRIT) 3
1.3.3 Устойчивость к направлению (RDS (ON)) 4
1.3.4 Двухмерный электронный газ (2DEG) 4
1.4 Основная структура Gan Transistor 6
1.4.1 Gagcame Enhanced Structure 7
1.4.2 Инъекционная сетка Улучшенная структура 7
1.4.3p Gan Grid Enhanced Structure 8
1.4.4 Улучшенная структура смешанного типа общего источника 8
1.4.5GAN Crystal Crystal Tub
1,5GAG Crystal Preparation 10
1.5.1 Выбор материалов субстрата 10
1.5.2 Действия для гетерогенного расширения 10
1.5.3 Обработка стен 12
1.5.4 Электрическое соединение с внешним электриком 13
1.6 Сводка этой главы 15
Ссылки 16
ГЛАВА 2 ГАН КРИСТОЛЬНАЯ ТРУБА ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВЕТИ 18
2.1 Введение 18
2.2 Ключевые параметры устройства 18
2.2.1 Индукционное напряжение (BVDSS) и ток утечки (IDSS) 18
2.2.2 Устойчивость к направлению (RDS (ON)) 22
2.2.3 Пороговое напряжение (VGS (TH) или VTH) 25
2.3 Конденсатор и заряд 27
2.4 Обратная проводимость 28
2.5 Теплостойкость 31
2.6 Мгновенная теплостойкость 33
2.7 Резюме этой главы 34
Ссылка 34
ГЛАВА 3 ДРАВИТЬ ГАН КРИСТАЛЬНАЯ ТРУБКА 36
3.1 ВВЕДЕНИЕ 36
3.2 Галерея Драйвер Напряжение 38
3.3 Самостоятельная и плавающая сила 40
3,4DV/DT сопротивление 41
3,5DI/DT Антиминация 43
3.6 Ground Recound 45
3.7 Co -модульный ток 46
3.8 Скорость края водителя сетки 47
3.9 управлять устройством Gan Gan 47
3.10 Эта глава является резюме 49
Ссылки 49
ГЛАВА 4 ГАН КРИСТАЛЬНАЯ ТРУБА МАСКАТА 51
4.1 Введение 51
4.2 Уменьшите паразитическую индуктивность 51
4.3 Традиционное проектирование силового кольца 54
4.4 Оптимизированная схема силового кольца 55
4.5 Parallel Gan Transistor 56
4.5.1 Параллельная хрустальная трубка Gan, нанесенная в одном выключателе 56
4.5.2 Параллельный Gan Transistor 60 из полублакового применения 60
4.6 Сводка этой главы 63
Ссылки 63
Глава 5 Моделирование и измерение хрустальной трубы Gan 64
5.1 Введение 64
5.2 Электрическое моделирование 64
5.2.1 Базовое моделирование 64
5.2.2 Ограничение базового моделирования 66
5.2.3 Ограничение схемы моделирования 68
5.3 Горячая модель 69
5.3.1 Улучшить тепловые характеристики 70
5.3.2 Multi -Chip обнаженная модель модели 72
5.3.3 Сложное моделирование системы 74
5.4gan Transistor Измерение производительности 75
5.4.1 Требования к измерению напряжения 76
5.4.2 Требования к измерению тока 78
5.5 Сводка этой главы 79
Ссылки 79
ГЛАВА 6 ТЕРВАННАЯ ТОПОЛОГИЯ ТОПОЛОГИЯ 81
6.1 Введение 81
6.2 Анализ потерь жесткого переключения 82
6.2.1 Потеря коммутатора 83
6.2.2 Выходная емкость (COSS) Потеря 87
6.2.3 Галерея Зарядка (QG) Потеря 87
6.2.4 Потеря обратного погружения (PSD) 88
6.2.5 Потеря обратного восстановления (QRR) 90
6.2.6 Общая потеря жесткого переключателя 90
6.2.7 Коэффициент качества жесткого открытия 90
6.3 Внешний фактор, влияющий на потерю жесткого переключения 91
6.3.1 Влияние индуктивности общего источника 92
6.3.2 Влияние индуктивности силового кольца с высокой частотой на потерю устройства 93
6.4 Уменьшите потерю диодной проводимости тела GAN Transistor 96
6.5 Влияние частоты на магнетизм 99
6.5.1 Трансформатор 99
6.5.2 Индуктор 100
6.6 Примеры анти -дальновидного преобразователя 100
6.6.1 Потеря выходной емкости 102
6.6.2 Галерея энергопотребление (PG) 103
6.6.3 Потеря направления трубки тела (PSD) 105
6.6.4 Потеря коммутатора (PSW) 108
6.6.5 Pdynamic 109 109
6.6.6 Pconduction 109 109
6.6.7 Общая потеря жесткого переключателя (PHS) 110
6.6.8 Прямая потеря (PL) 110
6.6.9 Преобразователь давления оценочная общая потеря (Ptotal) 111
6.6.10 Учитывая потерю потери конвертеров CO -Source Inductor 111
6.6.11 Экспериментальные результаты антигипертензивного конвертера 113
6.7 Сводка этой главы 114
Ссылки 114
Глава 7 Резонансный и мягкий переключатель 116
7.1 Введение 116
7.2 Технология резонанса и мягкого переключения 116
7.2.1 нулевое напряжение и переключатель нулевого тока 116
7.2.2 Резонансный преобразователь DC-DC 117
7.2.3 Резонансная комбинация сети 117
7.2.4 Принципы резонансной сети работы 118
7.2.5 Компонент резонансного переключения 120
7.2.6 Soft Switch DC-DC Converter 121
7.3. Параметры ключа устройства для резонированных и мягких приложений переключения 121
7.3.1 Выходной заряд (qoss) 121
7.3.2. Определите выходной заряд через данные производителя. Таблица 122
7.3.3 Выходной заряд транзистора GAN и кремниевого MOSFET 123
7.3.4 Заряд галереи (QG) 123
7.3.5 Определение зарядов решетки решений в резонансе и мягком переключателе 124
7.3.6 Сравнение заряда сетки кремниевого MOSFET в транзисторе и кремниевом MOSFET 125
7.3.7 Сравнение индикаторов производительности транзистора и кремниевого MOSFET кремниевого MOSFET 125
7.4 Примерный резонансный резонансный экземпляр.
7.4.1 Resonance Gan and Silin Line Converter Design 129
Сравнение 7.4.2gan и кремниевых устройств 130
7.4.3 Преобразование переключателя нулевого напряжения 131
7.4.4 Эффективность и энергопотребление 132
7.5 Сводка этой главы 134
Ссылки 135
Глава 8 Радиочастотная производительность 136
8.1 Введение 136
8.2 Различия радиочастотного транзистора и переключения транзистора 137
8.3 Базовые знания о RF 139
8.4 РЧ -транзисторный индикатор 140
8.4.1 Определить высокочастотную особенность RF FET 142
8.4.2 Импульсное испытание на рассмотрение теплового рассеяния 142
8.4.3S Анализ параметров 144
8.5 Используйте дизайн усилителя параметров небольшого сигнала 147
8.5.1 Стабильный двусторонний проект усилителя транзистора 147
8.6 Примеры Zaiser Design 148
8.6.1 Сопоставление и предвзятость сети 151
8.6.2 Экспериментальная проверка 153
8.7 Резюме этой главы 155
Ссылка 156
ГЛАВА 9 СПАСКОЕ ПРИМЕНЕНИЕ ГАН КРИСТАЛЬНАЯ ТРУБКА 157
9.1 Введение 157
9.2 Механизм отказа 157
9.3 Стандарт радиации и Big Dove 158
9.4 Гамма -излучение и толерантность 158
9.5 Эффект одной частицы (см.) Тест 159
9.6gan Crystal Tube и Rad-Hard Silicon Mosfet сравниваются с 160
9.7 Резюме этой главы 162
Ссылка 162
Глава 0 Пример приложения 163
10.1 Введение 163
10.2 Неизоляция DC-DC Converter 163
10.2.112VIN-1.2VOT Антиверсионное преобразователь 164
10.2.2 28VIN-3,3 Ввета модуля точки точки 168
10.2.3 48VIN-12VOUT Антигипертензивный преобразователь, применяемый к крупному полю тока, объединенного GAN Transistor 169
10.3 Изоляция DC-DC Converter 174
10.3.1 Промежуточный конвертер шины жесткого переключателя 175
10.3.2 400 V LLC Resonance Converter 184
10,4D аудио 185
10.4.1 Общее гармоническое искажение 185
10.4.2 Коэффициент демпфирования 185
10.4.3D Audio усилитель экземпляр 187
10.5 Отслеживание пакетов 189
10.5.1 Высокочастотная хрустальная труба Gan 190
10.5.2 Результаты эксперимента по отслеживанию пакетов 191
10.5.3 Ограничение Grid Drive 192
10.6 Высокая резонансная беспроводная энергетическая передача 194
10.6.1 Элементы проектирования беспроводной передачи энергии 196
……
Содержание пунктирное

Введение в контент

"Нитридная плохая мощность кристаллическая трубка——«Устройство, схема и применение» (оригинальное издание 2) включает в себя 11 глав: главы, изложенные технологией нитрида (GAN); глава 2 представляет физику устройства транзистора GAN; глава 3 представляет драйвер транзистора GAN; глава 4 представляет Проектирование транзисторной схемы GAN; в главе 5 обсуждается моделирование и измерение транзистора GAN; глава 6 подробно представляет технологию жесткого переключения; глава 7 вводит технологию мягкого переключения и преобразование подробно; 8 Глава вводит характеристики РЧ Gan Transistor; Глава 9 обсуждает пространственное применение транзистора GAN; в главе 0 приведен применение экземпляра транзистора GAN; в главе 1 анализируется причины, по которым транзистор GAN для замены транзистора мощности кремния.

Об авторе

(Американец) Алекс Лидоу ждет Duan Baoxing, Yang Yintang Перевод

Алекс·Лидо является генеральным директором EffulPowerConversion (EPC).До создания EPC доктор Лидоу был генеральным директором генерального директора International.Будучи Co -Inventor of Hexfetmosfet (гексагональный оригинальный MOSFET), доктор Лидоу имеет ряд монографий по технологии Power Semiconductor и написал монографию по многочисленной технологии полупроводникового полупроводника.Доктор Лидоу получил степень бакалавра в Калифорнийском технологическом институте в 1975 году и докторскую степень в Стэнфордском университете в 1977 году.
Джон·Сполон является вице -президентом по применению EPC.Он получил докторскую степень в Университете Рэнд Африх (ныне известный как Университет Йоханнесбурга) в 2001 году. С 1999 года ...

Краткое содержание