Стандартная сборочная информация о свежей индустрии: фотоэлектрические материалы, вспомогательные материалы Объем/Китай Стандарт Пресс
Вес товара: ~0.7 кг. Указан усредненный вес, который может отличаться от фактического. Не включен в цену, оплачивается при получении.
Описание товара
Основная информация
Название: Стандарт для фотоэлектрической промышленности: фотоэлектрические материалы, объем аксессуаров
Цена: 150 юаней
Автор: редактор China Standard Press
Нажмите: China Standard Press
Дата публикации: ноябрь 2015
ISBN: 9787506680721
Слова: 1002000
Номер страницы:
Издание: 1
Переплет: мягкая обложка
Книга: да 16 кай
Товарно -логотип: Рен Тиан 46
Выбор редактора
Никто на данный момент
Краткое содержание
«Стандарты для стандартов фотоэлектрической промышленности», под редакцией China Standard Press*включают общую основу, фотоэлектрические компоненты, фотоэлектрические материалы, вспомогательные материалы, фотоэлектрические электростанции и объемы обнаружения энергии.Подготовка этой Ассамблеи направлена на то, чтобы обеспечить текущие эффективные технические стандарты для властей фотоэлектрической отрасли, связанных предприятий, учреждений, научных исследовательских институтов и других подразделений, а также услуг для ускорения развития солнечной фотоэлектрической промышленности.
Этот том является «Стандартами для стандарта фотоэлектрического отрасли (аксессуары для фотоэлектрических материалов)», который включает 49 современных эффективных технических документов, опубликованных к концу августа 2015 года, в том числе 42 национальных стандартов, 5 отраслевых стандартов, 2 предприятия, 2 пункта корпоративных стандартов Сущность
Каталог, часть 1: Кристаллический кремниевый материал
GB / T 1550 1 1997 Неосемичный институт
ГБ / т 1551— Метод измерения удельного сопротивления кристаллического сопротивления кремния 2009 года
ГБ / т 1553— кремний 2009 г. и небольшое количество срока службы носителей в организме кремния и тел определяют метод ослабления оптоэлектронной проводимости
ГБ / т 1554— 2009 Метод испытаний на коррозию на кремниевые кристаллы.
ГБ / т 1555— Метод измерения монокристалля 2009 года.
ГБ / т 1557— 2006 Метод измерения инфракрасного поглощения содержания кислорода в кристалле кремния
ГБ / т 1558— 2009 г. Метод измерения атомного содержания углерода в кремниевые среднего инфракрасного содержания углерода
ГБ / т 2881— промышленный кремний 2014 года
ГБ / т 4059— 2007 г. Способный тест на атмосферу атмосферы на основе расплава на основе расплава
ГБ / т 4060— 2007 Силиконовый поликристаллический вакуумный вакуумный метод таяния бора
ГБ / т 4061— 2009 г. Кремниевый поликристаллический сечение прозрачное движение химическая коррозия метод проверки коррозии
ГБ / т 12962— 2005 Силиконовый монокристалл
ГБ / т 12963— 2014 Electronic -Grade Polysilicon Часть 1: Кристаллический кремниевый материал
  GB / T 1550 1 1997  метод тестирования не -такого полупроводникового материала.
  GB / T 1551—2009  Метод измерения удельного сопротивления кристаллического сопротивления кремния
  GB / T 1553—2009  измерение срока службы срока службы кремния и кожи.
  GB / T 1554—2009  Кремниевый кристалл Полный химический выбор химии и метод испытаний на коррозию
  GB / T 1555—2009  Метод измерения направления кристалля полупроводника
  GB / T 1557—2006  Метод измерения инфракрасного поглощения содержания кислорода в кристалле кремния
  GB / T 1558—2009  Метод измерения поглощения содержания углерода в кремнии -ин -силиконе.
  GB / T 2881—2014  промышленный кремний
  GB / T 4059—2007  Метод испытаний фосфора на основе кремниевой поликристаллической атмосферы на основе расплава
  GB / T 4060—2007  кремниевый поликристаллический вакуумный вакуумный вакуумный метод проверки бора бора
  GB / T 4061—2009  Метод комплекса химической коррозии кремниевой поликристаллической срезом.
  GB / T 12962—2005  кремниевый монокристалл
  GB / T 12963—2014  электронный полисиликон
  GB / T 13389—2014  легирование бора и фосфата, мышьяка и кремниевого монокристаллического сопротивления и концентрации легирования преобразования преобразуют процедуры
  GB / T 14144—2009  Метод измерения радиального изменения содержания кислорода кремниевого кристалля.
  GB / T 24574—2009  Кремниевый монокристалл III Veri Pymal Test Test
  GB / T 24579—2009  Метод атомного поглощения кислоты.
  GB / T 24580—2009  Тяжелая -допированная кремниевая облицовка кремния.
  GB / T 24581—2009  Низкотемпературное метод инфракрасного спектра Фурье для измерения метода испытаний примесей в примеси кремниевой монокристаллической и V национальности
  GB / T 24582—2009  Кислотное погружение одна индуктивность связана и масс -спектрометр плазмы для определения примесей поверхностных металлов полисиликона
  Q / 0601 YKB001—2014  уголь двухмерной доски
  Q / 0611 YTL001—2012 порошок нитрида ультра
Часть 2: батарея, вспомогательные материалы и оборудование
  GB / T 2900.41—2008  Электрическая терминология Оригинальная батарея и батарея
  GB / T 5238—2009 和 монокристалл и 锗 одиночный чип
  GB / T 9505—2010  Общество шага -типа
  GB / T 17473.7—2008  Метод испытаний на технологию микроэлектроники для пульпы драгоценных металлов  сварка, определение сопротивления сварки
  GB / T 22473—2008  свинцовый аккумулятор для хранения энергии для хранения энергии
  GB / T 25074—2010 солнечный полисиликон
  GB / T 25075—2010  Солнечная батарея мышьяка 镓 镓 монокристалл
  GB / T 25076—2010  Силиконовый кристалл для солнечных батарей
  GB / T 26071—2010  ТАБЛИЧНЫЕ ТАБЛИЧНЫЕ РУБА
  GB / T 26072—2010  Солнечная батарея 锗 锗 монокристалл
  GB / T 29054—2012 литой поликристаллический кремниевый блок на солнечном уровне
  GB / T 29055—2012  Polysilicon Waff для солнечной батареи
  GB / T 29848—2013  Фотоэлектрическая компонентная упаковка с этиленацетатной этилацетатной кластерной (EVA) Клетной пленкой
  GB / T 29849—2013  Корпус плазмы с индуктивностью в содержании примеси металлов на поверхности фотоэлектрической батареи
  GB / T 29850—2013  Метод измерения металла для компенсации для кремниевого материала для фотоэлектрических батарей
  GB / T 29851—2013  Фотоэлектрические материалы аккумулятора в кремниевом материале B и Al со вторым методом измерения ионной масс -спектрометрии содержания основных примесей
  GB / T 29852—2013  Фотоэлектрические аккумуляторные материалы в кремниевых материалах в кремниевых материалах P, AS, SB для содержания основных примесей основных примесей основных примесей
  GB / T 30859—2014  Солнечные элементы с лидером кремниевой пластины и методом испытаний Ripple
  GB / T 30860—2014&Метод испытаний NBSP; для шероховатости поверхности и линии линий резания солнечных элементов
  GB / T 30861—2014  негативы на солнечной батареи
  GB / T 30869—2014&Метод испытаний NBSP; для изменений толщины и общей толщины солнечных элементов
  GB / T 31034—2014  Crystal Silicon Sun Component Component для изоляции Backboard
  JB / T 2599—2012  Случевая батарея -аккумулятор, метод подготовки модели и именования
  JB / T 10439—2004  монокристаллическая печь&Серия NBSP; серия TDR прямая монокристаллическая печь
  JG / T 449—2014  Строительный фотоэлектрический компонент с полиэтиленгликол -хипилиновым Aldo (PVB) Клетная пленка
  JG / T 450—2014  этилацетат коммунистическая (EVA) клейкая пленка для создания фотоэлектрических компонентов
ys / t 612—2014  солнечная батарея суспений
Оглавление
Часть 1: Кристаллический кремниевый материал
GB / T 1550 1 1997 Неосемичный институт
ГБ / т 1551— Метод измерения удельного сопротивления кристаллического сопротивления кремния 2009 года
ГБ / т 1553— кремний 2009 г. и небольшое количество срока службы носителей в организме кремния и тел определяют метод ослабления оптоэлектронной проводимости
ГБ / т 1554— 2009 Метод испытаний на коррозию на кремниевые кристаллы.
ГБ / т 1555— Метод измерения монокристалля 2009 года.
ГБ / т 1557— 2006 Метод измерения инфракрасного поглощения содержания кислорода в кристалле кремния
ГБ / т 1558— 2009 г. Метод измерения атомного содержания углерода в кремниевые среднего инфракрасного содержания углерода
ГБ / т 2881— промышленный кремний 2014 года
ГБ / т 4059— 2007 г. Способный тест на атмосферу атмосферы на основе расплава на основе расплава
ГБ / т 4060— 2007 Силиконовый поликристаллический вакуумный вакуумный метод таяния бора
ГБ / т 4061— 2009 г. Кремниевый поликристаллический сечение прозрачное движение химическая коррозия метод проверки коррозии
ГБ / т 12962— 2005 Силиконовый монокристалл
ГБ / т 12963— 2014 Electronic -Grade Polysilicon Часть 1: Кристаллический кремниевый материал
  GB / T 1550 1 1997  метод тестирования не -такого полупроводникового материала.
  GB / T 1551—2009  Метод измерения удельного сопротивления кристаллического сопротивления кремния
  GB / T 1553—2009  измерение срока службы срока службы кремния и кожи.
  GB / T 1554—2009  Кремниевый кристалл Полный химический выбор химии и метод испытаний на коррозию
  GB / T 1555—2009  Метод измерения направления кристалля полупроводника
  GB / T 1557—2006  Метод измерения инфракрасного поглощения содержания кислорода в кристалле кремния
  GB / T 1558—2009  Метод измерения поглощения содержания углерода в кремнии -ин -силиконе.
  GB / T 2881—2014  промышленный кремний
  GB / T 4059—2007  Метод испытаний фосфора на основе кремниевой поликристаллической атмосферы на основе расплава
  GB / T 4060—2007  кремниевый поликристаллический вакуумный вакуумный вакуумный метод проверки бора бора
  GB / T 4061—2009  Метод комплекса химической коррозии кремниевой поликристаллической срезом.
  GB / T 12962—2005  кремниевый монокристалл
  GB / T 12963—2014  электронный полисиликон
  GB / T 13389—2014  легирование бора и фосфата, мышьяка и кремниевого монокристаллического сопротивления и концентрации легирования преобразования преобразуют процедуры
  GB / T 14144—2009  Метод измерения радиального изменения содержания кислорода кремниевого кристалля.
  GB / T 24574—2009  Кремниевый монокристалл III Veri Pymal Test Test
  GB / T 24579—2009  Метод атомного поглощения кислоты.
  GB / T 24580—2009  Тяжелая -допированная кремниевая облицовка кремния.
  GB / T 24581—2009  Низкотемпературное метод инфракрасного спектра Фурье для измерения метода испытаний примесей в примеси кремниевой монокристаллической и V национальности
  GB / T 24582—2009  Кислотное погружение одна индуктивность связана и масс -спектрометр плазмы для определения примесей поверхностных металлов полисиликона
  Q / 0601 YKB001—2014  уголь двухмерной доски
  Q / 0611 YTL001—2012 порошок нитрида ультра
Часть 2: батарея, вспомогательные материалы и оборудование
  GB / T 2900.41—2008  Электрическая терминология Оригинальная батарея и батарея
  GB / T 5238—2009 和 монокристалл и 锗 одиночный чип
  GB / T 9505—2010  Общество шага -типа
  GB / T 17473.7—2008  Метод испытаний на технологию микроэлектроники для пульпы драгоценных металлов  сварка, определение сопротивления сварки
  GB / T 22473—2008  свинцовый аккумулятор для хранения энергии для хранения энергии
  GB / T 25074—2010 солнечный полисиликон
  GB / T 25075—2010  Солнечная батарея мышьяка 镓 镓 монокристалл
  GB / T 25076—2010  Силиконовый кристалл для солнечных батарей
  GB / T 26071—2010  ТАБЛИЧНЫЕ ТАБЛИЧНЫЕ РУБА
  GB / T 26072—2010  Солнечная батарея 锗 锗 монокристалл
  GB / T 29054—2012 литой поликристаллический кремниевый блок на солнечном уровне
  GB / T 29055—2012  Polysilicon Waff для солнечной батареи
  GB / T 29848—2013  Фотоэлектрическая компонентная упаковка с этиленацетатной этилацетатной кластерной (EVA) Клетной пленкой
  GB / T 29849—2013  Корпус плазмы с индуктивностью в содержании примеси металлов на поверхности фотоэлектрической батареи
  GB / T 29850—2013  Метод измерения металла для компенсации для кремниевого материала для фотоэлектрических батарей
  GB / T 29851—2013  Фотоэлектрические материалы аккумулятора в кремниевом материале B и Al со вторым методом измерения ионной масс -спектрометрии содержания основных примесей
  GB / T 29852—2013  Фотоэлектрические аккумуляторные материалы в кремниевых материалах в кремниевых материалах P, AS, SB для содержания основных примесей основных примесей основных примесей
  GB / T 30859—2014  Солнечные элементы с лидером кремниевой пластины и методом испытаний Ripple
  GB / T 30860—2014&Метод испытаний NBSP; для шероховатости поверхности и линии линий резания солнечных элементов
  GB / T 30861—2014  негативы на солнечной батареи
  GB / T 30869—2014&Метод испытаний NBSP; для изменений толщины и общей толщины солнечных элементов
  GB / T 31034—2014  Crystal Silicon Sun Component Component для изоляции Backboard
  JB / T 2599—2012  Случевая батарея -аккумулятор, метод подготовки модели и именования
  JB / T 10439—2004  монокристаллическая печь&Серия NBSP; серия TDR прямая монокристаллическая печь
  JG / T 449—2014  Строительный фотоэлектрический компонент с полиэтиленгликол -хипилиновым Aldo (PVB) Клетная пленка
  JG / T 450—2014  этилацетат коммунистическая (EVA) клейкая пленка для создания фотоэлектрических компонентов
ys / t 612—2014  Solar Actule Blurry показывает всю информацию
об авторе
Никто на данный момент
Абстрактный
Никто на данный момент
Рекомендация СМИ