Боковое выравнивание эпитаксиальных квантовых точек воздействие квантовая боковая сторона организует китайские и иностранные книги по физике, внедрение серии флагманских магазинов в Пекинском университете
Вес товара: ~0.7 кг. Указан усредненный вес, который может отличаться от фактического. Не включен в цену, оплачивается при получении.
Описание товара
Введение в контент
"Бутики китайской и иностранной физики·Введение серии (26): боковое расположение расширенной квантовой точки (фотокопия) »богата содержанием, покрытым широкими лицами и высокой читаемостью. Комплексное отображение границы физики; не только введено и введено динамику развития мира Физические исследования, но также для отличной монографии по распространению китайской физики в международной основной области.Можно сказать, что «бутик -книга китайской и иностранной физики» пытается полностью представить полную картину современного мира и развитие китайской физики. в Китае.
Каталог
Часть боковой самооплаты
1.1 General
1 Физические механизмы самоорганизованного образования квантовых точек
2 маршруты к боковой самоорганизации квантовых точек: модельная система SIGE на SI (001)
1.2 Компактные боковые квантовые точки конфигурации
3 краткосрочного бокового упорядочения квантовых точек GESI из-за упругих взаимодействий
4 иерархическая самосборка боковых молекул квантовой точки вокруг нанохолов
1.3 Ordering in Single Layers
5 Энергетика и кинетика формирования самоорганизованной структуры при росте растворов - система сигельси
6 GE Quantum Dot Selfignment на вицинальных субстратах
7 Латеральное расположение самоорганизации квантовых точек GE на частично расслабленном слое буфера CGEI_X
8 Заказы проводов и самооборных точек на вицинальных Si и GaAs (110).
1.4 Ordering by Layer Stacking
9 Упаковка и упорядочение в самоорганизованных многослойных структурах квантовой точки
10 самоорганизованная анизотропная деформация для латерального упорядочения квантовой точки
11 к квантовым точечным кристаллам через многослойные перепонки с различными индексированными поверхностями
Часть II принудительное выравнивание
11.5 Рост на мелкомодулированных поверхностях
11.5.1 SiGe Islands
12 Один-двух- и трехмерно-упорядоченные острова Геси, выращенные на подложках SI (001)
13 Заказанные массивы острова Sige: распределение материалов на большие расстояния и возможные приложения устройств
14 Наноразмерный боковой контроль сайтов нуклеации GE Quantum Dot на Si (001) с использованием имплантации сфокусированного ионного луча
15 GE Nanodroplets Самосборки на подложках сфокусированного ионного луча
16 Металлизация и шаблон окисления лиц SUR для направленного островного собрания
Нимфо
